μIPM系列：功率模块

国际整流器公司推出一系列高集成、超小型μlPM功率模块,适用于高效率家电和轻工业应用,包括制冷压缩机驱动器、加热和水循环泵等系统。新μlPM系列采用超小型12mm×12mm×0．9mmPQFN封装,配备多种充分整合的三相位表面贴装电机控制电路解决方案。     

高集成度功率模块

ISL8201M是高效率、低噪声、高集成度的DC／DC电源解决方案,在热增强的QFN封装内集成了PWM控制器、MOSFET驱动器、功率MOSFET、电感器,以及优化的补偿电路。     

智能功率模块FSAM20SL60

<正> FSAM20SL60是美国快捷公司开发的智能功率模块SPM系列产品之一,适合驱动1.5马力(1.4kW)空调器交流电机。 FSAM20SL60采用32脚DIP封装,其引脚排列如图1所示。     

飞兆半导体公司近日推出一款智能功率模块

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为小功率（100W以下）的直流无刷（BLDC）电机应用提供高度集成的解决方案，推出一款智能功率模块（Motion-Smart Power Module，SFM）。Motion-SPM器件在单一紧凑封装内集成多项功能，提供简化的电机驱动解决方案以加快工程设计、减小了占用的线路板空间，实现高性能和高可靠的家用电器设计。     

功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异。同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。     

TOPSwitch—JX系列电源转换IC

Power Integration推出TOP Switch—JX系列器件,新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成,其内部均集成一个725V功率MOSFET,适用于设计反激式电源。     

功率模块封装结构及其技术

本文从封装角度评估功率电子系统集成的重要性。文中概述了多种功率模块的封装结构形式及其主要研发內容。另外还讨论了模块封装技术的一些新进展以及在功率电子电路系统集成中的地位和作用。     

IR4322M：功率模块

IR推出单通道IR4321M和双通道IR4322M集成武功率模块以扩充PowlRaudio系列。新60VIR4321M和IR4322M与现有产品相辅相成,为汽车音响系统、桌面音响系统、有源音箱和带有集成放大器的乐器等应用内的低负载阻抗D类音频系统提升功率容量。     

微波功率模块——新型功率电子器件

微波功率模块MPM是上个世纪末提出的一种全新的电子器件,具有高效率、高增益、重量轻、体积小等优点,是功率放大技术的重大突破,已成为构建各种军用电子装备和民用系统的基本单元,在雷达、电子对抗和通讯等领域已得到应用,是未来武器装备核心电子器件。文中从MPM概念的提出入手,首先介绍了MPM基本组成与特点,然后对MPM的可靠性以及技术难点进行了分析,并展望了MPM的应用和发展。     

智能功率模块的封装结构和发展趋势

在消费电子和一般工业应用的电机驱动领域智能化模块封装结构研发过程中,设计人员和制造厂商面临如何实施稳健设计,优化工艺流程、提高良率、降低成本、扩大产能等很多实际问题。解决这些问题的首要突破口是智能功率模块结构设计本身,其中模块结构和互连方式设计对产品开发人员的想象力提出极大挑战,而器件应用、可靠性及市场等因素又极大地制约了开发人员创造性的发挥。文章介绍了功率半导体器件及智能功率模块的发展,分析了常用（一般低于1500V）智能功率模块的特点、结构和工艺流程,以及封装过程所使用的材料和产生的问题,最后探讨了封装设计的发展趋势。     

智能功率模块PS21865在逆变器中的应用

介绍了智能功率模块DIP—IPM的工作原理、引脚功能和电气特性，指出了DIP—IPM模块在应用中应注意的问题，同时给出了在逆变器设计时，DIP—IPM模块PS21865和CPU的连接电路。     

最新第三代MOSFET功率模块兼顾尺寸和效率

通过优化芯片工艺和封装技术,最新第三代MOSFET功率模块实现了更高的效率、开关频率和功率密度,满足了服务器和基站等低压MOSFET应用市场的需求。     

NexFET功率模块实现高效率和小尺寸

德州仪器（TI）日前推出一款可在25A电流下实现超过90％高效率的同步MOSFET半桥CSD86350Q5D,其占位面积仅为同类竞争功率MOSFET器件的50％。该功率模块通过高级封装将2个非对称NexFET功率MOSFET进行整合,可为服务器、台式机与笔记本电脑、基站、交换机、路由器以及高电流负载点（POL）转换器等低电压同步降压半桥应用实现高性能。     

以LFPAK为封装的汽车功率MOSFET系列

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOS．FET。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验,新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）被认为是高度可靠的功率SO—8封装。     

SiA850DJ：190VN沟道功率MOSFET

Vishey推出带有同体封装的190V功率二极管的190VN沟道功率MOSFET-——SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的超薄厚度。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

FDMS36xxS系列：功率MOSFET

飞兆半导体公司FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET,以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接,能够进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（SyncFET）（Q2）经专门设计,     

SOT-23系列：功率MOSFET

IR公司推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。