单面单片微波集成电路对偶—矩量法电磁仿真

本文应用对偶原理配合矩量法研究了槽线与共面波导的电磁仿真,提出一种利用对偶原理计及空气桥效应的简化方法,形成一种统一的单面单片微波集成电路的电磁仿真新方法。仿真实例证明了此方法的有效性。     

单片微波集成电路的快速电磁仿真技术

本文概述了单片微波集成电路(MMIC)电磁仿真的基本原理,提出了电路特性参量的直接摘取法,研究了两项矩阵降阶技术,从而建立了一套省时、实用的MMIC快速电磁仿真技术。两个仿真实例证明了该技术的有效性,仿真速度约可提高一个数量级。     

单片微波集成电路放大器

介绍单片微波等成路的特性     

单片微波集成电路的技术进展

根据从１９９６年国际微波会议和微波与毫米波单片集成电路会议上了解的情况，本文综述了单片微波集成电路当前的技术进展和值得注意的动向。     

宽带微波单片集成电路技术及其应用

电子战与光传输系统是宽带微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的重要应用领域。传统的宽带设计技术和以它为基础的各种综合设计技术普遍用于宽带ＭＭＩＣ的设计。分布式拓扑是实现多倍频程带宽的主要设计途径。９０年代新兴的三维ＭＭＩＣ技术和ＩＥＭＴ－ＨＢＴ技术已成功地应用于宽带ＭＭＩＣ的设计和制造，显著地改善了电路，组件及电子系统的性能和功能。     

宽带低噪声放大器单片微波集成电路

从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20 GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5 V工作电压下,能够在2~20 GHz频率内实现小信号增益大于16 dB,增益平坦度小于±0.5 dB,输出P-1 dB大于14 dBm,噪声系数典型值为2.5 dB,输入和输出回波损耗均小于-15 dB,工作电流仅为63 mA,低噪声放大器芯片面积为3.1 mm×1.3 mm。     

国内外微波毫米波单片集成电路的现状和发展趋势

本文综述了美国、日本及西欧等国在微波、毫米波单片集成电路MMIC方面的研究现状及发展趋势;指出我国MMIC研制情况与差距,并提出了开发建议。     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

GaAsMMIC放大器单元微波参量特性研究

采用微波参量分析方法能有效地分析高速ＧａＡｓＩＣ在微波域内的频响特性。文中根据电路和工艺技术,给出了已报导的一种ＧａＡｓ放大器单元电路的一组特定参数,并进行了微波参量特性研究。     

W及以上波段MMIC放大器的研究进展

在阐述W及以上波段MMIC放大器性能的基础上,回顾了以InP HEMT MMIC放大器为主流技术的W及以上波段MMIC放大器的研究进展,介绍了基于InP HBT、GaAs MHEMT和SbHEMT的MMIC放大器的研制水平,指出目前研制的W及以上波段MMIC放大器的应用领域,突显其在MMIC高端技术领域的重要性.针对欧美国家在该领域飞速发展而我国处于相对劣势的现状,对我国研发W及以上波段MMIC放大器提出初步建议.     

MMIC单片微波集成电路的原理及应用

介绍了MMIC单片微波集成电路的特点和分类，分析了其内部电路原理，列举了几种常用的MMIC的性能指标，给出了典型应用电路，最后就使用中的问题提出了几点建议。     

MESFET微波放大器的稳定化方法

介绍了以 MESFET构成的微波放大器的 2种稳定化方法 ;在栅漏间或栅源间插入 RCL串联支路。分析了在这两种方法中 ,稳定化因子 K以及电路增益与 RCL参数的关系。     

微波宽带矩阵放大器的噪声特性模拟

微波单片矩阵分布电路作为一种新型宽带电路,具有易于集成、高增益、超宽带、平坦的频率响应、良好的输入输出匹配、低噪声等优点。本文简要介绍了所研制的通用微波单片矩阵分布放大器噪声特性模拟软件,实例表明,软件简单有效,具有实用价值。     

Ka频段单片低噪声放大器设计

设计了一个Ka频段低噪声放大器MMIC,该芯片采用两级放大的结构,通过调节有源器件几何尺寸(栅宽和叉指数)和源极串联负反馈,减小最佳噪声匹配点(Γo)和共轭匹配点(S1*1)之间的距离,使低噪声放大器同时获得最佳噪声匹配和共轭匹配。另一方面,在源极引入串联负反馈可提高放大器的稳定性。该放大器采用商用的0.18μm pHEMT工艺制造,芯片面积为1.4×0.9mm2。把该芯片安装在测试电路上进行测试,在29~33GHz频率范围内,实现增益大于10dB,30GHz处噪声系数约为2.3dB。     

The Real Frequency Technique Applied to the Synthesis of MMIC Active Filters with Attenuation Poles at Finite Frequencies

This paper reports on several MMIC active filters designed by the real-frequency technique (RFT). RFT provides several advantages over most of the usual techniques: it does not require any active component model and no predetermined matching network topology is necessary. The CAD procedure based on the RFT is introduced to resolve the input and output matching problems. The simulation results of two broadband microwave filters are presented and a practical design is proposed for a 7.7–8.1 GHz active filter with two transmission zeroes at 6.8 GHz and 9.2 GHz.     

基于提高效率方法的CMOS功率放大器设计

利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里描述了一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHz WLAN的功率放大器的设计方法,使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路,在此基础上设计输入输出匹配网络,然后使用ADS软件进行整体仿真,结果表明在1.8V电源电压下,电路改进后于改进前相比较,用来表示功率放大器效率的功率附加效率（PAE）提高了两个百分比。最后给出了功放版图。     

24—38 GHz GaAs单片低噪声放大器的研制

介绍了24～38GHz低噪声放大器MMIC的研制。分析了微波晶体管放大器的噪声特性,针对噪声系数和增益,利用软件进行电路仿真优化和电磁场分析,设计制作电路版图,在标准3 in GaAs工艺线进行工艺制作。采用电子束制作0．20μm“T”形栅,利用选择腐蚀的方法准确控制有源器件的Idss和Vp,微波测试结果为在频带内的噪声系数小于3．8dB,小信号增益大于13dB,增益平坦度小于±0．6dB,输入和输出驻波比小于2：1．微波性能与NORTHROP GRUMMAN公司的同类产品ALH140C的水平相当。     

计算电磁学在仿真技术中的应用

随着数值计算方法以及计算机技术的进步而迅速发展的计算电磁学,现在正越来越广泛地应用于各种电磁领域。目前以计算电磁学为核心算法的诸多电磁仿真软件的兴起,为微波通信器件的分析和设计提供了有效的工具。本文首先简要介绍了计算电磁学的研究对象;接着提出仿真过程的3步骤——建模、计算、及结果评估;最后重点介绍了几种典型的计算电磁学算法的原理与特点,如有限元法、矩量法、快速多极子算法,以及时域有限差分法,同时,利用以它们为核心算法的仿真软件,分别做相应的仿真算例,并给出了仿真结果得出了一定的结论。