高可靠砷化镓功率场效应晶体管系列

高可靠砷化镓功率场效应晶体管系列南京电子器件研究所已研制出适用于卫星通信及微波系统的高可靠砷化镓功率场效应晶体管系列。它采用器件标准设计、全离子注入、干法刻蚀等高可靠５０ｍｍＧａＡｓ工艺技术，具有参数均匀、成品率高、一致性好等特点。器件在８ＧＨＺ下测...     

高可靠网状发射极晶体管

本文介绍采用网状发射极结构研制了具有极高可靠性的硅npn高频功率晶体管。指出以往影响这种晶体管可靠性的主要原因是电流集中和电极的电徒动。作者发现热脉冲会引起电极劣化。在动态工作条件下在极短时间内就可引起晶体管的损坏。采用扩散型的发射极镇流电阻,并用SiO_2覆盖铝电极可防止其退化。采用这些可靠性措施之后,器件在145℃的结温工作,其MTTF在几百万小时以上,这技术已应用到1千兆赫最大功率30瓦的27个品种的高可靠性网状发射极晶体管(MET)的设计及批量生产中。现在在4千兆赫,7千兆赫频带的微波中继系统中使用的MET其MTTF在220万小时以上,在超高频卫星电视装置及各种无线电装置中已开始使用MET并取得较好效果。     

快捷半导体推出新型水平偏转晶体管

快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor International) 现已推出新一代水平偏转晶体管 (行管HDTR)。这种先进的双极性晶体管提高了电压，达到1500V和1700V，具有高速开关速度，适合高分辨率(high-resolution)显示器及宽屏幕电视使用。在水平偏转产品中，双极晶体管要优于IGBT，因为它成本低、开关速度高，而且没有拖尾。 这些新一代HDTR有一个薄型外延层(epitaxial layer)和一个使用中空多发射级结构的优化单元。它的电流容量大、安全操作区域更宽，而功耗更小。这些晶体管中减小了基极散布电阻，具有更宽的驱动范围，简化了水平偏转电路的设计。此外，用电子辐射进行的寿命控制可以实现统一的开关速度(一般为0.1μs)及稳定的参数分布。     

小功率中波发射机晶体管保护电路

一般小功率发射机均采用较为简单的继电器保护电路,使用中动作灵敏度低并且保护范围小,维护和调整也烦琐。现介绍一种晶体管保护电路,它使用的元件较少,线路简单可靠,控制连线少,动作灵敏度高。     

今年世界功率晶体管创新高

世界功率晶体管市场继2010年大幅增长44%之后,2011年在汽车电子、太阳能电池、风力发电以及移动电子设备用电池等的驱动下将续增9%,达131亿美元,出货量将增长11%,达588亿个,均创历史新高。     

带有台阶电极结构和TiN阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管

本文描述了一种具有台阶电极结构和ＴｉＮ扩散阻挡层的高可靠微波硅功率晶体管，将这种用于高频大功率器件的结构与传统的平面结构进行了比较讨论，这种新式结构可使微波器件获得更好的性能，由于大功率器件带有梁式引线金属化系统，Ａｕ－Ｓｉ反应及局部铂硅化合物的生长是其主要的失效机理，为了减少上述缺陷，Ｔｉ层必须加厚。同时，进一步讨论了ＴｉＮ在梁式引线金属化系统中的应用，高温长期工作实验结果证明，将台阶式电极结构     

低功率高可靠热子

前言在电真空器件中,热子是一个发热元件,通过辐射或传导,使阴极达到额定工作温度。在间热式阴极中,长期采用辐射传热的方式,从而阴极和热丝之间的温度差很大。在高温下工作的热丝由于绝缘层遭到破坏,导致寿命很快终结。尤其在钡钨阴极中,热丝工作温度更高,(1800K～1900K),寿命更短,只有200小时左右。为了延长热丝寿命,必须大幅度地降低热丝的工作温度。达到这个目的的方法很多,其中最有效的措施是改变传热方式,利用热传导来加热阴极,也就是本文所介绍的阴极—热子组合件。     

新型功率晶体管频率高 表面装 功率大

工业界预测,今年功率晶体管将至少增长16％,明年可能增长13％。虽然对功率晶体管的需求在增长,但象日本这样的国家没有新的制造厂家涉足这一领域,中国台湾供应厂商的数量实际上也在减少。而中国的公司却在扩大其生产能力,不过现在也面临着国内市场的日渐饱和。 现在主要原材料的价格在     

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法.着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果.根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值.     

微波功率晶体管近几年来的发展水平

微波功率晶体管近几年来的发展速度保持着迅速的步子。以5瓦连续输出功率晶体管为例,1962年频率为0.25千兆赫,1964年为0.5千兆赫,1966年为1千兆赫,1968年为2千兆赫,1969年计3千兆赫,1972年为4千兆赫,1973年可达5千兆5瓦。在不久的将来连续输出5瓦的功率管每1～2年可望提高1千兆赫。     

E类放大电路中晶体管的功率损耗

在理想情况下,E类放大电路的效率可以达到100%,因此E类放大电路适用于高功率,高频率电路的设计,但在实际情况下,由于所有的器件都不是理想的。例如,电感、电容中会有寄生电阻的存在,晶体管的饱和电压,饱和电阻以及集电极电流的下降时间不为零,这些因素的存在都会导致E类放大电路的效率降低,但当电路的负载匹配且处于谐振状态,则引起电路功率损耗的主要因素也就是晶体管中的功率损耗。对E类放大电路中由晶体管引起的损耗进行分析,并得出简单的估算方法,并用实验的方法验证。     

一种高可靠的复位电路

介绍了复位电路的一些基本功能和一些常见的复位电路,提出了单片UP监控芯片MAX706在系统复位电路中的应用方法,最后介绍了80kV绝缘油测试仪中一种高可靠性的复位电路。     

高可靠电子密码锁电路YYH308

<正> YYH308是新一代电子密码锁电路。它可同时设置8组密码,每组又有上亿种密码;既有单独开锁功能,还具有首创的集体开锁方式;使用免维护的蓄电池作备份电源,即使市电停电也能照样开锁。此外,它还具有功耗微(静态电流7μA)、性价比高(相当于8片YYH301功能,而价格等同于1片YYH301),外围元件少,使用通用标准键,安装与普通锁相同等优点。 YYH308是采用专用电路(ASIC)制作而成的,大部分的     

高可靠大功率微波电路封装研究

本文叙述了高可靠大功率微波电路的封装设计及工艺研究情况。     

8mm高电子迁移率功率晶体管芯片

南京电子器件研究所研制的８ｍｍ高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的８ｍｍ波段ＰＨＥＭＴ功率器件,具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料的性能,采用ＣＡＤ技术,对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础...     

高可靠大功率1.3μm发光二极管

把１．３μｍ波长分段吸收式脊形波导结构发光二极管进行不同温度的加速老化寿命试验，共测试２４８５００器件小时。该器件在２５℃、１５０ｍＡＣＷ的平均寿命为１．２×１０６ｈ，其退化激活能Ｅａ＝０．４８ｅＶ；与标准单模光纤耦合后，在２５℃、１００ｍＡ下的光功率大于３０μＷ，最大可大于５０μＷ。     

塑封功率晶体管

所谓塑封晶体管是相对于金属或陶瓷等外壳封装半导体器件而言的。它采用某种稳定的可塑性材料,如硅酮、环氧、改性环氧、聚酯、酚醛等多种树脂或聚丁烯材料做器件的外包封。而功率晶体管因为其工作电流大,耗散功率大,以往多采用金属壳封     

组合功率晶体管

贝尔电话实验室采用同样功率的市售功率管做出增益带宽乘积提高300％的组合器件,可望应用于远距离微波通讯的放大级或高速数据传输终端。此技术是将几十个小功率晶体管、电阻器及其他电路元件组合在一起,得到一高增益的