压阻式医用导管端微型压力传感器

本文探讨了对压阻式导管端压力传感器微型化起限制作用的一些因素.根据(100)硅各向异性腐蚀的特点和矩形硅膜上的应力分布曲线,分析了硅片厚度和力敏电阻区尺寸对传感器压力灵敏度的影响.介绍了一种微型化的压阻式医用导管端压力传感器的设计、制造工艺和钝化与封装技术.该传感器芯片尺寸为1mm×2.5mm×0.16mm;量程为40kPa;灵敏度约为100μV/V·kPa;静态精度约0.3％FS;固有频率高达350kHz.其制造工艺适用于批量生产.     

压阻式绝对压力传感器的研制

<正> 压阻式绝对压力传感器是利用单晶硅的压阻效应,在周边固支的圆型膜片上采用半导体平面工艺,在晶片特定的方向和位置上制成电阻并组成全桥电路,最后通过静电封接技术形成真空腔制成。     

阵列式硅压阻压力传感器的研究

介绍了一种阵列式硅压阻压力传感器 ,就其设计结构、生长工艺及实验结果进行了概要地阐述 ,其生长工艺将微机械加工工艺和半导体平面CMOS工艺融为一体。     

微型硅压阻式压力传感器研制

结合多晶硅材料的压力敏感特性,通过在硅膜片上沉淀多晶硅压敏电阻及精密的微型化封装工艺,设计了微型硅压阻式土压力和孔隙水压力传感器.传感器通过将硅膜片在压力下的电阻值变化转换为电信号输出,通过标定实验得出:传感器的零点输出小,动态频响高,线性拟合度高,且适用于监测精度要求高的实际工程及受尺寸限制的室内模型试验.     

400MPa压阻式压力传感器

采用高强度合金膜片作为初始敏感元件来承受被测压力，再利用硅油将压力传递到压阻敏感元件上，经硅油传递后的压力要比被测压力小很多，从而可用低量程的压阻元件制成超高压力传感器。基于此原理，本文采用量程为２ＭＰａ的压阻元件，研制成了４００ＭＰａ量程的超高压力传感器。     

压阻式压力传感器性能的研究

微压力传感器是微机电领域最早开始研究并且实用化的器件之一,它结构简单、用途广泛.本文介绍了基于压阻效应及惠斯顿电桥的压阻式压力传感器.介绍了膜的面积、厚度、电阻形状和位置等参数对压阻式压力传感器的灵敏度和线性度的影响.     

压阻式压力传感器零点输出研究

使用有限元方法 ,分析了压力传感器力敏电阻条工作时的自身发热对传感器零点输出的影响 ,结果表明 :由于电阻工作时的发热引起传感器温度分布的不均匀 ,即便组成压力传感器电桥的力敏电阻条参数完全匹配 ,传感器也可能存在零点输出。     

压阻式金刚石压力传感器的优化设计

介绍了一种新型金刚石高温压力传感器的优化设计方法。采用薄板弯曲理论研究了均匀载荷作用下多晶金刚石方膜在小挠度和大挠度下的应变分布情况。对设计时应当考虑的主要问题包括金刚石力敏电阻条的掺杂浓度，电桥的形式，电阻条在膜片上的分布以及电阻条的有效长度和形状等进行了讨论。利用模拟程序确定了力敏电阻条的最优有效长度，分析了敏感膜片厚度，方块电阻等因素对电阻条有效长度和输出响应的影响。     

压阻式压力传感器的动态特性

综合分析了敏感元件构形与尺寸及传感器的封装结构对动态压力测量的影响。给出了几种ＣＹＧ压阻式压力传感器在动态压力测量时的频响特性的理论计算值与实验值。     

压阻式压力传感器伏频特性转换研究

作者利用新型半导体器件MPNIM结构二端、三端变容器(已获专利)研制成功一种新型伏频变换器.将这种伏频变换器与压阻式压力传感器直接相联,可将传感器输出的模拟电压转换为频率信号,与计算机接口时无需高精度多位A/D变换器,可省去高增益、低漂移、高精度的测量放大器.与一般伏频变换器相比,它的灵敏度可高达400kHz/V;稳定性为±40Hz;重复性为土40Hz;分辩率可达0.1mV.     

新型SOG压阻式力敏传感器的研制

本文介绍一种以玻璃作绝缘介质膜的SOG压力传感器,探讨了实现SOG材料良好键合的关键工艺,研究了以腐蚀自致停技术为核心的减薄成膜方法.结果表明,SOG传感器在高温、大压力方面颇具潜力.     

电阻式压力敏感阵列足底压力测量及噪声滤除方法研究

介绍了一种电阻式压力分布测量系统,通过采用零电势电路有效地抑制了阵列间的串扰.分析了系统的噪声机制,针对噪声特性提出一种混合噪声滤波算法——改进的IMF中值滤波方法.算法首先使用边界模板检测出脉冲噪声并通过中值滤波滤除;而后使用阈值自适应中值滤波方法滤除高斯噪声.实验结果表明本文提出的方法较已有方法具有更强的噪声滤除能力.     

小型化电容式压力传感器及变换器

介绍了一种新型结构的电容式压力敏感元件及其信号变换器,给出了敏感元件与变换器联合测试结果,并对变换器的工作原理作了较详尽的分析.非线性误差大是电容式压力传感器的主要误差,通过在变换电路上采用一种方法可以很好地解决这一问题.此方法具有非线性纠正能力强、调试方便的特点.该电路特点是精度高、分辨率高、动态响应快、低功耗.整机表现出很高的时间稳定性.     

硅压阻式压力传感器的一种温度补偿方法及其应用

介绍了一种用压力一温度复合传感器对硅压阻式压力传感器温度特性的补偿方法。此电路设计简单，调节方便，在无人机上得到了应用。     

一种大量程SOI压阻式压力传感器

对传统的SOI压阻式压力传感器进行了结构优化。目的是提高灵敏度,以满足在高温环境下大量程压力测量的实际需求。通过力学性能模拟,采用浅凸台结构来提高灵敏度和测量范围。分析并模拟了凸台厚度和形状对灵敏度的影响。得到了适合高温工作的掺杂浓度,压敏电阻的尺寸,金属引线的材料和布局。电阻放置在(σl-σt)最大的区域以保持灵敏度和线性度。采用U形电阻补偿在浅凸台制作过程中的工艺偏差对灵敏度的影响。有限元分析(FEA)表明,优化后的芯片结构可以测量10 MPa范围内的压力,灵敏度高达86.6 mV/(V·MPa),非线性误差在0.1％以下。和其他文献报道的大量程压力传感器相比,浅凸台芯片结构灵敏度和过载能力优异。     

厚膜压力传感器的设计和研究

阐述了厚膜力敏浆料基本配方和工艺,传感器设计及有关原理。並对厚膜电阻(TFR)工艺条件对力敏特性的影响和关系进行了一些探讨。对研制成功的传感器主要性能指标及开发应用前景也作了介绍。     

泥沙掩埋对压阻式压力传感器的影响及其对策研究*

为了研究泥沙掩埋对压阻式压力传感器的影响,对传感器在不同泥沙、不同掩埋深度下的动态特性进行了测量,发现泥沙掩埋前后及不同泥沙和不同掩埋深度时,传感器输出动态特性有较大差异,对此解释了其产生的原因,并利用机电等效模型建立了泥沙掩埋时的压力传递模型,在此模型基础上,提出了减小泥沙掩埋下传感器输出特性变差的方法,最后利用试验验证了此方法可较好地减少泥沙掩埋对传感器的影响。     

扩散硅压力传感器性能优化研究

本文论述了实现扩散硅压力传感器性能优化的一些技术措施、设计原理和工艺技术.采用矩形双岛硅膜结构等新型微机械结构可提高灵敏度和精度并实现过压保护;通过改善工艺并进行表面钝化、改进封装工艺与结构等可改善稳定性;用恒压源及三极管补偿法和等效电阻最佳耦合法可对其灵敏度、零位温度系数进行补偿;采用各向异性腐蚀工艺技术可实现集成化生产.     

钢弦式综采液压传感器的设计及应用

在分析研究现有钢弦传感器性能的基础上，采用新方法、新技术，优选材料设计，特别是激发器的设计具有独到之处，显著提高了钢弦传感器的技术指标和通用性。