Diodes全新DFN3020封装MOSFET节省七成空间

Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这3款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下,可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET,节省七成的电路板空间。     

元器件与组件

面向各种无线通信应用的超小封装场效应晶体管；超小型SOT-963封装双小信号MOSFET；30V TrenchFET功率MOSFET；高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块。     

元器件与组件

提高效率的150V功率MOSFET 两种150V大功率MOSFET由于其导通电阻减小了30％,相当于200V MOSFET。IXFH70N15是以TO-247封装,额定电流70A,导通电阻28mΩ;     

英飞凌SuperSO8无铅封装OptiMOS 3系列提升功率密度

英飞凌公司推出采用SuperSO8和S308(Shrink SuperSO8)封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,在以上击穿电压下可提供无铅封装形式下的低导通电阻。与标准TO封装相比,SuperSO8封装     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

用于植入式医疗应用的功率MOSFET

采用PowerPAK SC-70（SMMA511DJ）封装的N沟道和P沟道12V MOSFET以及采用PowerPAK SC75（SMMB912DK）封装的20V双N沟道MOSFET适用于植入式医疗应用,通过对每个批次的产品施加强化的质量控制阀：统计箱限制（SBL）、良品率限制（SYL）,对晶圆和器件封装进行部件平均测试（PAT）控制,     

英飞凌SuperS08无铅封装OptiMOS3系列提升功率密度

英飞凌公司推出采用SuperSo8和S308(Shrink SuperSO8)封装的40V,60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,在以下击穿电压下可提供无铅封装形式下的低导通电阻.     

SiA447DJ／Si5429DU：功率MOSFET

VishayIntertechnology推出采用热增强型2mmX2mmPowerPAKSC．70封装的单路12V器件SiA447DJ,以及采用3mmX1．8mmPowerPAKChipFET封装、高度0．8mm的单片30V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFETGenIII系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4．5V下具有相应外形尺寸产品中较低的导通电阻。     

IR针对汽油和柴油发动机压电喷射系统推出优化版车用功率MOSFET产品

国际整流器公司推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。AUIRFR4292和AUIRFS6535采用IR最新一代已被验证的车用功率MOSFET技术,扩展了IR的车用MOSFET产品系列,将击穿电压提高到了300 V。250 V的AUIRFR4292采用DPAK封装,最大导通电阻达345 mΩ,而300 V的AUIRFS6535采用标准D2PAK封装,其最大导通电阻为185 mΩ。     

Vishay Intertechnology推出两款低导通电阻MOSFET

正日前,Vishay Intertechnology,Inc,宣布,推出新款采用热增强型2 mm×2mm PoWerPAK(?)SC-70封装的单路12 V器件—SiA447DJ,以及采用3 mm×1.8 mm PoWerPAK ChipFET封装、高度0.8 mm的单片30 V器件-Si5429DU,扩充其TrenchFET(?)GenⅢ系列P沟道功率MOSFET。两款MOSFET具有小占位的特点,在4.5V下具有相应外形尺寸产品中最低的导通电阻。     

低通态电阻MOSFET功率密度提高50％

英飞凌日前推出采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比,可使功率密度增大50％,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。     

Mouser开始供应Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET

正Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款采用业界最小的晶片级封装,并将导通电阻降至1.2 V的MOSFET。Vishay Siliconix的Si8802 TrenchFet功率MOSFET是第一款采用最小的0.8 mm×0.8 mm晶片级封装,亦即Vishay的MICRO FOOT,将导通电阻降至1.2 V的N通道元件。8V N通道Si8802的安装面积比第二小的晶片级元件还要小36%,而且提供相等甚至更低的导通电阻。     

元件

RF功率MOSFET STMicroelectronics公司的SD29XX系列全金属化N沟道MOSFET RF功率晶体管,额定功率值从5W、28V到300W、50V。采用特殊的内部封装技术,其无支架式设计使热阻降低了25％,平均故障间隔时     

Diodes推出全新MOSFET栅极驱动器

2015年1月8日,Diodes公司推出一对额定值1 A的40 V紧凑型栅极驱动器—ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6(采用SOT26封装)和ZXGD3009DY(采用SOT363封装)可缩减MOSFET的开关时间,有助于尽量降低开     

恩智浦NextPower系列MOSFET产品再添15款新成员

恩智浦半导体宣布,其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点,并且具有行业最低的RDS（on）（25V和30V均为亚1mΩ级）,是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。     

Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology,Inc宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／,将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术,使公司进入使用功率转换技术的增量市场,包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。     

同步MOSFET控制器

这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范围宽广，介于5～25V之间，可由适配器的19V供电轨直接供电，并且在瞬态过压状态下，保证器件正常工作。该器件拥有180V的MOSFET漏极感应功能，有助设计师减少对外部钳位电路的需求，并能大幅减少配件数量和节省空间。     

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。     

Vishay利用PowerPAK~封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen Ⅲ P沟道产品

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出采用PowerPAK1212-8封装的-40 V——SiS443DN和PowerPAK1212-8S封装的-30 V——SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET誖Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10 V和-4.5 V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻,是首款-40 V P沟道Gen Ⅲ器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30 V     

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET~ Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,扩充其采用超小PowerPAK~ SC-70封装的TrenchFET~ Gen Ⅲ P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2×2 mm,在-4.5 V和-10 V栅极驱动下的导通电阻是-12 V、-20 V和-30 V(12 V VGS和20 V VGS)器件中最低的。