睿励科学仪器在SEMICONChina2012上推展出TFX3000

300mm全自动300mm精密薄膜线宽测量系统睿励科学仪器（上海）有限公司在SEMICONChina2012期间推展出其自主研发的适用于65am和45mm技术节点的300mm硅片全自动300mm精密薄膜线宽测量设备（TFX3000）。该设备适用于先进半导体生产工艺中各种非金属薄膜的厚度及折射率的测量,     

睿励发布TFX3000 300mm全自动精密薄膜线宽测量系统

睿励科学仪器（上海）有限公司宣布推出自主研发的适用于65nm和45nm技术节点的300mm硅片全自动精密薄膜和线宽测量系统（TFX3000）。针对65nm及45nm生产线的要求，本产品的测量系统采用了先进的非接触式光学技术，并进行了全面的优化，能准确地确定集成电路生产中有关工艺参数的微小变化。     

300 mm Si片加工及最新发展

65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备.在加工方法上,65 nm线宽用300 mm Si片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层.而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀.对目前300 mm Si片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mm Si片加工工艺的发展趋势.     

KLA—Tencor推出Aleris 8500薄膜测量系统 提供业界最先进的45nm及以下节点厚度与成分测量技术

据报道,KLA-Tencor推出Aleris系列薄膜测量设备,此系列由Aleris 8500开始,是业界第一款同时结合多层薄膜厚度与成分测量的专业量产型设备。其他Aleris系列产品将在未来几个月内以不同配备组合推出,以满足45nm及以下制程中对薄膜测量的性能与量产成本控制的要求     

吉时利发布两款新测量仪器

美国吉时利仪器公司最近推出 用于各种精密DC、脉冲及低频AC 信号源测量的2600系列数字源 (System Source Meter)仪器和适于 200mm和300mm晶圆制造工厂用     

压力传感器

英国爱德华高真空公司(Edwards High Vacuum Inc.)最近推出了一种Baroce1600型电容压力计的改型产品——可烘烤的Baroc-e1621型电容压力计。它特别适用于那些要求测量电路远距离装配的场合,如冷冻干燥设备、核装置及其它科学仪器中。Barocel传     

基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究

首次采用扫描式光刻机开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的130nm光刻工艺研究,通过研究Si片与GaAs片表面状态的差异,确认基于扫描式光刻机实现GaAs晶圆130nm光刻工艺需以GaAs片为基础调整设备状态,较好地实现了GaAs晶圆130nm光刻图形。同时尝试采用不同工艺方法(蒸发Ti金属薄膜、涂覆PMGI光刻胶以及生长SiN薄膜)处理GaAs晶圆表面,有效提高了圆片焦平面参数稳定性。进一步研究了图像倾斜参数对曝光图形形貌以及线宽均匀性的影响。     

使用外腔半导体激光器对远距离微小振动的干涉测量

采用中心波长为942.4nm,线宽大于3.6nm的半导体激光器,使用Littrow型自准直光栅外腔结构,得到功率恒定、模式单一稳定、线宽优于1.2MHz(Δλ<3.5×10-6nm)的激光输出;使用正弦光频调制方式完成了对远距离的微小振动(纳米量级)的测量,对振动的辐值和频率都具备良好的探测效果。     

用于远距离干涉测量的外腔半导体激光器

采用中心波长为942.4nm、初始线宽大于1200GHz的半导体激光器(LD),使用littrow型自准直光栅外腔结构,以精度为10-3/℃的温控手段,实验得到了功率恒定、模式单一稳定、线宽优于1.2MHz(Δλ<3.5×10-6nm)的激光输出,可应用于程差大于250m的干涉测量,使测量系统易于调制、便于集成。     

使用外腔半导体激光器对远距离微小振动的干涉测量

采用中心波长为942. 4 nm ,线宽大于3. 6 nm 的半导体激光器,使用Littrow 型自准直光栅外腔结构,得到功率恒定、模式单一稳定、线宽优于1. 2 MHz (Δλ< 3. 5 ×10 - 6 nm) 的激光输出;使用正弦光频调制方式完成了对远距离的微小振动(纳米量级) 的测量,对振动的辐值和频率都具备良好的探测效果。     

移频延时自外差法的DFB激光器线宽测量

为了测量分布反馈（DFB）单模半导体激光器线宽,采用一种新颖的基于马赫-曾德尔干涉结构的光纤自外差测量方案,设计了一套全光纤延时自外差法测量系统,并进行了理论分析。在此基础上搭建了延时光纤长度分别为900m,3000m和6000m的窄带线宽测量系统,对实验室一台中心波长为1550nm、标称线宽值为800kHz的DFB单模半导体激光器光源进行了测试,测得激光器线宽值分别为951.566kHz,832.471kHz和802.221kHz,并对所设计的方案进行了模拟仿真验证。结果表明,与模拟仿真结果作对比,延时光纤长度为6000m时的窄带线宽测量系统最优,其误差在3%之内,证明了所用自外差干涉原理的合理性和准确性。全光纤移频延时自外差法对测量DFB激光器线宽具有优越性和重要的实用价值。     

Si/SiO2多层膜线宽关键参数精细化表征技术研究

线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)是衡量线宽标准样片质量的重要指标。文中基于自溯源光栅标准物质的自溯源、高精密尺寸结构特性,提出了一种直接溯源型精确校准SEM放大倍率的方法,以实现SEM对线宽标准样片关键参数的测量与表征。利用校准后的SEM,对利用Si/SiO₂多层膜沉积技术制备的线宽名义值为500、200、100 nm样片进行关键参数的测量,采用幅值量化参数的均方根粗糙度RMS描述线边缘粗糙度与线宽粗糙度,并通过图像处理技术确定线边缘位置,对线宽边缘特性进行了精确表征。实验结果表明,名义值为500、200、100 nm对的线宽样片,其实测值分别为459.5、191.0、99.5 nm,σLER分别为2.70、2.35、2.30 nm,σLWR分别为3.90、3.30、2.80 nm,说明了多层膜线宽标准样片线边缘较为平整、线宽变化小、具有良好的均匀性与一致性。基于自溯源标准物质校准SEM的方法缩短了溯源链,提高了SEM的测量精度,实现了线宽及其边缘特性的精确表征,为高精度纳米尺度测量和微电子制造领域提供了计量支持。     

言时利发布两款新测量仪器

美国吉时利仪器公司最近推出用于各种精密DC、脉冲及低频AC信号源测量的2600系列数字源(System Source Meter)仪器和适于200mm和300mm晶圆制造工厂用于高性能逻辑电路生产和高性能模拟集成电路生产的第三代半导体参数自动化RF测试系统。     

吉时利推出射频参数测量选件

吉时利(Keithley)仪器公司发布了用于半导体生产过程中参数测试的第三代晶圆射频(RF)测量功能，能提供连续、自动、实时的测试质量监控，在提供优等质量结果的同时，也获得了最高测量产能、最低运行成本，以及易于使用的特点。此外，吉时利公司的射频参数测量选件适合于200mm和300mm的半导体参数射频(RF)测试系统，适用于包括高性能逻辑电路生产和高性能模拟集成电路生产。     

一种具有平顶陡边响应的新型谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析及模拟

提出了一种适用于波分复用系统的具有平顶陡边响应的新型谐振腔增强型 (RCE)光电探测器结构 ,模拟得到了量子效率从峰值下降 0 5dB的线宽 1 8nm ,10dB的线宽 5 6nm ,2 0dB的线宽 10 4nm ,量子效率峰值99 7%,几乎没有凹陷的响应曲线。     

适用200mm圆片、0.5μm线宽的半导体设备

本文论述了开发200mm圆片、0.5μm线宽半导体设备的必要性,并介绍4种适用200mm圆片、0.5μm线宽的半导体设备。     

NOVELLUS推出VECTOR EXPRESS

<正>诺发系统有限公司日前正式推出VECTOR ExpressTM新产品。VECTOR ExpressTM是诺发公司300mm VECTOR等离子增强化学气相沉积(PECVD)平台的最新增强版本。VECTOR Express的工艺生产速度提高了40%,保持了业界领先的生产效率。此外,VECTOR Express还建立了薄膜工艺性能的新标杆,使该设备能够被延伸到45nm及以下工艺节点。     

应用材料公司300mm铜电镀系统

应用材料公司（Applied Materials,Inc)宣布推出适用于300mm硅片的SlimCell化学电镀系统（ECP）。该系统适用于当今130nm和90nm的制造技术。独特的单电解槽独立化学控制功能是SlimCell系统的关键所在，它实现了多级化学电镀工艺控制处理。SlimCell系统的领先设计在于将多个电解槽共同使用的化学浴槽改成为单个小容积电解槽提供的小型，     

AD8295：仪表放大器

ADI推出高集成度的精密仪表放大器前端AD8295，适合工业与仪器仪表应用。在单个4×4mm芯片级封装内，AD8295仪表放大器集成了一个顶级仪表放大器、两个可配置的运算放大器和两个精密微调匹配电阻，可为工业过程控制、精密数据采集系统、医疗仪器仪表设备及惠斯登电桥测量等应用提供集成前端。     

PET复合衬底上梯度介质薄膜厚度的椭偏表征

为了监控3维玻璃上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)复合衬底介质膜膜厚, 采用将PET复合衬底等效为单层基底材料的建模分析方法, 通过椭偏测量技术实现了复杂衬底上TiO₂梯度折射率材料薄膜厚度的检测。结果表明, 采用该方法测量的PET复合衬底上TiO₂梯度折射率薄膜厚度为212.48nm, 扫描电子显微镜的测量结果为211nm, 结果非常准确。以TiO₂为例验证了等效衬底方法, 该方法也同样适用于其它介质膜。等效衬底法可实现PET复合衬底上的TiO₂薄膜厚度的高精度测量表征, 对镀膜工艺过程监控具有重要意义。