φ76mm砷化镓0.5微米研制开发线

照片中是南京电子器件研究所φ76mm(3英寸)砷化镓研制开发线的十级超净区,该研制开发线具有0.5微米的工艺加工能力,能够承担18 GHz以下各类砷化镓单片电路、功率器件和低噪声器件的设计和加工制造。 　　欢迎用户利用所内的设计环境和开发线,前来设计制造各类砷化镓ASIC电路和器件。     

砷化镓集成电路的应用

综述了迅速发展的砷化镓集成电路市场、电路应用种类以及相关的器件和技术。     

砷化镓场效应管超高速逻辑电路

综述了砷化镓场效应管超高速逻辑电路的国外概况。说明了发展砷化镓场效应管超高速逻辑电路的必要性和可能性。介绍了所用的器件结构、电路形式、电路的水平动向及发展这种电路所需的技术。指出了直接耦合场效应管逻辑无论在超高速还是在大规模方面均有发展前途。     

砷化镓集成电路的应用

综述了迅速发展的砷化镓集成电路市场、电路应用种类以及相关的器件和技术。     

新的砷化镓体效应二极管振荡器

据讯,美国通用电气公司微波器件生产部门最近生产了一种新的砷化镓体效应二极管及其配用的X波段振荡器微波电路。它们适用于小型雷达和运测研究。Y-2109电子渡越效应二极管及其C-2070微波电路模拟具有低边带噪声和低压运用的特点。它们的工作频率为10.5千兆赫。二极管和振荡器典型的输出功率分别为100毫瓦和50毫瓦。     

RTD的器件模型和模拟——共振隧穿器件讲座(9)

阐述了电路模拟在设计和研制大规模集成过程中的必要性和重要意义,器件模型在电路模拟中的重要性以及器件模拟与器件模型的关系;在器件模拟通用软件形成过程的基础上重点讨论了RTD的器件模型、器件模拟和电路模拟软件SPICE三个课题;介绍了基于物理参数I-V方程RTD模型和高斯函数、指数函数RTD直流模型;利用ATLAS器件模拟通用软件对RTD进行了器件模拟,得到了势垒和势阱宽度、E区掺杂浓度等对RTDI-V特性的影响;以包含RTD电路的SPICE电路模拟中的文字逻辑门为例,通过电路模拟验证了其逻辑功能,对设计该电路起到指导和参考作用。     

GaAs 10 bit DAC的抗辐射设计和实验

通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验。在电路设计上,10 bit DAC由两个5 bit DAC组成,通过芯片内部合成10 bit DAC,有效降低了芯片面积和制造工艺难度;通过分析电路的电离辐射剂量率辐射效应,针对敏感电路进行局部电路的抗辐射设计,提高电路抗辐射能力;结合实验条件和器件引线分布,设计合理的辐照实验方案,开发辐照实验电路板,进行辐照实验,获得科学的实验结果,验证电路的抗辐射能力。实验结果表明该数模转换器能够抗3×1011rad(Si)/s剂量率的瞬时辐照。     

各种规模集成电路

Y98-61351-1103 9905909模拟/数字砷化镓电路和系统设计(含5篇文章)=Session 6-5:analog/digital gallium arsenide circuits andsystem design[会,英]//1997 IEEE 40th Midwest Sym-posium on Circuits and Systems,Vol.2.—1103～1123(HG)本部分汇编5篇论文。其题目是:辅助砷化镓(CGaAs)制造工艺的动态4位先行进位加法器电路及其动态逻辑系列,基于砷化镓的微加速器,免除软误差的砷化镓电路技术,以及补偿互补 MOS 晶体管失配特性的“Do-it-yourself”方法论。     

与砷化镓材料相依发展的微波半导体器件

本文从微波半导体器件的角度论述了砷化镓材料的重要性.砷化镓材料的发展过程是与微波器件的发展紧密联系在一起的.砷化镓材料每前进一步都导致微波器件性能的突破.文中在回顾了微波半导体器件发展历史的同时,指出砷化镓材料所起的重要作用.列举了砷化镓材料的特点,比较了几种制备方法,并给出了目前砷化镓微波器件研究和生产的现状、参数水平,最后对材料与器件的前景进行了初步估计.     

内热和环境热对砷化镓器件与电路相互作用的影响

一、引言砷化镓微波振荡器实现的可能性不仅依赖于器件材料和电路,而且依赖于不断变化的器伴与电路的相互作用的界面。在低的占空因数和室温条件下,提出了材料的纯度和均匀性以及在基频和谐波频率下适当的电路负载的准则。本文的目的是获得器件热效应的结果和考虑对说明这些器件变化所必要的谐振电路的改变。热效应可改变峰-谷端电流比和低场阻抗。结合电路负载阻抗来考虑时,达两个参数决定效率和偏压击穿极限。     

纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。     

Windows操作系统中的USB 2.0体系结构分析

Windows的USB2.0体系结构包括两个重要的核心内容:USB驱动程序栈和USB设备栈.Windows XP 和Windows 2000的驱动程序栈均由主机控制器驱动程序、总线驱动程序和客户设备驱动程序3层构成.Windows XP设备栈包括客户设备栈、基类复合设备、根集线器设备栈和主机控制器设备栈;Windows 2000 USB设备栈由客户设备栈、基类复合设备、根集线器设备栈和主机控制器设备栈构成.在阐述Windows XP 和Windows 2000驱动程序栈的基础上,对两者存在的区别进行了对比分析,对Windows平台下的USB2.0驱动程序开发具有很好的参考价值.     

虚拟字符设备驱动程序在Linux的实现

在Linux系统中,设备驱动程序隐藏了设备的细节,用户程序可以方便地操作设备,但随着硬件产品不断更新,需要不断编写新的驱动程序以支持硬件,通过虚拟字符设备驱动程序的编写,来说明Linux系统中字符设备驱动程序的工作原理。首先介绍了Linux系统中设备驱动程序的基本结构,以及字符设备驱动程序应提供的入口点,最后用进程虚拟字符设备,编写了相应的驱动程序,实现进程间的信息读写。     

基于SON的MOSFET器件及其工艺方法研究

超薄体SOI器件能够有效抑制短沟道效应,业界认为在纳米器件时代它有可能取代传统体硅器件。但SOI器件的全局化埋氧层特性会使其产生自加热效应,严重时会导致器件开态电流下降、漏电流增加,从而导致器件可靠性降低。具有局部空洞层或介质层的SON器件及其制备方法已成为纳米器件时代的一个研究热点。阐述了SON器件的基本概念,比较了SON器件和传统体硅器件的电学特性。对SON器件的工艺制备方法进行了全面描述,包括早期的SON器件制备方法、基于MSTS的SON制备方法、气体注入SON制备方法,以及完全自对准SON器件制备方法。详细描述了准自对准气体注入SON器件和完全自对准SON器件制备方法的工艺流程。     

超深亚微米非对称Halo LDD低功耗新器件的研究分析

提出了一种新的器件结构——非对称Halo L DD低功耗器件,该器件可以很好地抑制短沟效应,尤其可以很好地改善DIBL效应、热载流子效应以及降低功耗等,是低功耗高集成度电路的优选结构之一.分析了非对称HaloL DD器件的主要特性,并将其与常规结构、非对称L DD结构、非对称Halo结构的器件进行了比较并进行了参数优化分析.     

对称迟后-超前校正的一体化设计方法

本文首先分析了一类迟后-超前校正环节的频率特性,严格证明了在半对数坐标系下,其幅频特性是轴对称的,其相频特性是中心对称的,进而将此类校正环节称为对称迟后-超前校正环节。在校正环节的参数满足一定条件下,本文指出：对称迟后-超前校正环节在超前环节作用的频段内,能提供正的相角和负的幅值。进一步,给出了该校正环节所能提供的近似最大相角和所对应频率,并给出了在该频率点该校正环节的近似幅值。基于这些结论,给出了利用对称迟后-超前环节进行校正的两种一体化设计方法。     

Memory performance of a thin-film device based on a conjugated copolymer containing fluorene and chelated europium complex

A memory device based on the sandwiched structure of a conjugated copolymer (PF8Eu), containing fluorene and chelated europium complex, has been fabricated. An electrical bistability phenomenon was observed on this device: low conductivity state for the as-fabricated device and high conductivity state after device transition by applying a voltage of /spl sim/3 V. At the low conductivity state, the device showed a charge injection controlled current and at the high conductivity state, the device showed a space charge limited current. At the same applied voltage, the device exhibited two distinguishable conductivities with an ON/OFF current ratio as high as 10/sup 6/ at room temperature. After transition to the high conductivity state, the device tended to remain in the high conductivity state even when the applied voltage was removed. Thus, the device is a potential write-once-read-many-times memory device.     

SONOS非挥发性存储器件的研究进展

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2 bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景.     

典型ESD防护器件失效机理研究

瞬态电压抑制管(TVS)是电子线路设计中常用的静电放电(ESD)防护器件,其可靠性将直接影响整个电路的安全。选取常见的TVS器件PESD5V0U1BA进行研究,通过实验和仿真分析了TVS器件的短路失效机理及其影响。研究表明,当TVS器件注入高压时,器件存在缺陷的SiO2层会发生自愈性击穿。当器件的pn结发生击穿时,器件将失效。如果两个pn结都被击穿,器件的I-V曲线表现为电阻特性。当TVS器件出现损伤后,器件仍具有箝位作用,且其表现的箝位电压更低,但由于器件的漏电流发生较大的增长,将影响被保护电路的正常工作。     

GaN HEMT器件稳态热特性试验研究

大功率GaN HEMT器件在工作时较高的热流密度引发器件高温,而高温会显著影响器件性能及可靠性.从不同器件结构设计出发,结合器件热量传递理论,建立了器件热阻模型;采用高速红外热像仪试验分析了器件结构对GaN HEMT器件稳态热特性的影响,定量给出了不同总栅宽、不同单指栅宽、不同栅间距在不同功率密度下的稳态温升.相关结果...