如何讲授晶闸管原理的探讨

已出版的诸教科书中对晶闸管原理通常将晶闸管等效为两个三极管来阐述。笔者认为这种方法毕竟是从“等效”的角度去讨论，对教师和学生理解起来总有些牵强。本文提出应用PN结原理来讲授晶闸管的工作原理并解释晶闸管的伏安特性，愿与同仁探讨。     

万用表测定三极管3个电极的方法研究

电子技术已广泛应用于国民生产的各个部门,国防和科学技术各个领域及人类社会生活的各个方面,半导体三极管是模拟电路的核心元件,应用十分广泛。文章研究了万用表测定三极管3个电极的方法。     

反向偏置下碲镉汞环孔PN结耗尽区电容的计算

采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞（HgCdTe）环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与有关理论分析的结论是吻合的。     

根据Ⅳ曲线形态定性判断PN结性能的一种简易方法

利用MATLAB灵活丰富的绘图功能,在半对数坐标下画出了PN结的Ⅳ曲线.根据其形态,可以对PN结的性能作出定性判断.逼近该曲线所需的直线段越多,说明该PN结的性能与理想状态相距越远.这种方法不仅适用于同质PN结,也适用异质PN结和肖特基势垒二极管.     

根据IV曲线形态定性判断PN结性能的一种简易方法

利用MATLAB灵活丰富的绘图功能,在半对数坐标下画出了PN结的IV曲线。根据其形态,可以对PN结的性能作出定性判断。逼近该曲线所需的直线段越多,说明该PN结的性能与理想状态相距越远。这种方法不仅适用于同质PN结,也适用异质PN结和肖特基势垒二极管。     

一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较

通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。     

一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较

通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。     

PN型半导体电特性分析

基于PN结半导体的理论知识,详细的介绍了PN结半导体的工作原理,通过实验描绘出了PN结伏安特性曲线,并利用基本理论知识对大学实验中＂非线性电阻元件＂的伏安特性进行解释。     

恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算

通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论.     

大功率LED伏安特性模型研究

研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED 芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函 数,构建出了大功率LED芯片的伏安特性新 模型和优化模型,模型中的系数采用最小二乘法进行确定。对大功率LED芯片的实测 伏安特性数据表明,本文构建出的优化模型比经典的PN结模型更能准确表征LED的伏安特性 ,与实测的伏安特性数据一致性更高,更具实用价值。     

PN结温度传感器原理及应用

介绍了采用PN结温度传感器进行温度测量的原理,在此基础上给出了PN结的信号调理电路,分析了各部分电路的特性,给出了由STC89系列单片机组成的测温电路系统及其程序流程,并指出了减小测量误差的方法。     

全色波段硅双结型色敏器件的研制

通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素。通过选择不同的器件结构和工艺条件，得到了色敏器件对蓝紫光的响应，完成了金色波段硅双结型色敏器件的研制。     

微波照射金属结时再辐射的特性及其与PN结的区别

本文从势垒的角度,分析了金属结的非线性伏安特性,并将其作幂级数展开,讨论了金属结在单频和多频微波场激励下,由于再辐射特性产生的二次和三次谐波电流的表达式以及它们与入射激励场大小的关系.论文详细地讨论了数值分析过程,并给出样例的数值结果.此种方法具有很大的通用性,可以用于各类金属结点的分析.计算结果表明:当入射激励场较小时,再辐射产生的三次谐波幅度将大于二次谐波幅度,这与PN结的再次辐射特性(二次谐波幅度大于三次谐波幅度)正好相反.但当入射激励场的场强过大时,则二次谐波幅度将会大于三次谐波幅度,这与PN结的区别将会减小.较低功率照射下金属结与PN结再辐射特性的区别正是许多实用探测仪器工作的理论依据,但本文提醒使用它们时注意在功率上的限制.     

一维情况下平面PN结连续性方程的一般形式解

对一维情况下平面PN结的连续性方程进行了求解,给出了不同边界条件下光生载流子浓度的一般形式解,并对结果进行了分析讨论.     

蜂箱内多点温度检测系统

介绍了基于AT89C52单片机的蜂箱内多点温度检测系统软、硬件结构设计。详细介绍了PN结温度传感器的工作原理以及在温度采集系统中的应用;AD0809在A/D转换中的应用;最后给出了软件设计的主流程图。该系统对蜂箱内温度变化规律的研究具有重要的现实意义。     

一种改进太阳能计算器芯片二极管稳压电路设计

对于太阳能计算器,稳压电路的设计是串联三个PN结二极管以达到稳压目的。这种设计会出现以下问题:当外部光线太强时,太阳能电池板的供电电压较高,而稳压电路由于正向饱和压降过高,不能及时将高电压释放掉,会造成计算器不能正常工作。文章研究了改进二极管稳压电路的设计,通过只变更其中的一层mask(P+),将其中一个PN结二极管改为肖特基二极管,使其正向饱和压降处于一个合理的区间,并且研究了通过该变动后不同的Ti金属厚度以及不同温度对该稳压电路的影响。结果显示该种优化完全符合应用需求。     

InSb中Be离子注入成结研究

进行了InSb中Be注入成结实验研究。得到的二极管在77 K低背景下测得的特性为:正向电流-电压遵守I0eqv/βKT规律,其中β为1.6,在-0.1 V时反向电流密度为2.14×10-7A/cm2,在-1 V时反向电流密度为3.9×10-6A/cm2,优值因子R0A为1.89×105Ωcm2。经装入结构测试,芯片光电性能达到生产要求水平。