低压差线性稳压器

Diodes公司推出具有低压差和低静态电流的全新线性稳压器,适用于延长电池寿命为关键设计要素的低功耗手持产品设计。150 mA的AP7312和300 mA的AP7332两款新型双固定输出器件压差值分别为150 mV和300 mV,典型额定静态电流仅为60μA。     

低压差线性稳压器MCP1727

低压差线性稳压器单片集成电路MCP1727的输入电压范围为2．3～6V，可调输出电压范围为0．8～5V，标准固定输出电压有0．8、1．2、1．8、2．5、3、3．3V和5V几种，输出电流容量为1．5A，输入与输出电压之差典型值是0．33V．静态电源电流仅约120μA。MCP1727主要应用于高速驱动器芯片组电源、网络底板卡、笔记本电脑、网络接口卡和掌上计算机中。     

双输出低压差线性稳压器MAX8530

MAX8530是MAXIM公司生产的器件,它是一种双输出、低功耗、低压差线性稳压器。该器件主要特点:输出1(OUT1)保证输出200mA;输出2(OUT2)保证输出150mA;OUT1及OUT2有多种电压输出(详见表1),用户也可根据电路需要确定要求的OUT1及OUT2的电压(在1.5～3.3V范围之内)向工厂订货;两个电源是相互独立的并且都是低压差,在100mA输出时其压差典型值为100mV;工作电压范围2.5～6.5V;当OUT1输出电压低于87%正常输出电压时,RESET端输出100ms的复位信号(低电平有效);静态电流小,典型值130μA;有省电关闭控制,关闭状态时耗电小于1μA;内部有输…     

从超低压差线性稳压器MIC5330

MIC5330是MICREL公司推出的一种双输出，超低压差线性稳压器。该稳压器主要特点，输入电压范围2.3-5.5V；超低压差，在300mA输出时，压差典型值为75mA，高的电源电压变动抑制率，在1kHz时大于70dB；超低噪声输出，典型值为30μVRNS;极好的负载，电压瞬态响应。     

超低压差线性稳压器LTC3025

<正> LTC3025是一种微功耗、超低压差(VLDO)、低工作电压的线性稳压器。其主要特点:宽的输入电压(0 9V 到5.5V);输出仅需1μF多层陶瓷电容;很低的压差(在300mA 输出时仅为45mV);输出电压可设定(从0.4V 到3.6V);在工作温度范围及输出电流范围内输出电压精度为±2%;噪声电压低(在10Hz 到100kHz 范围为80 μV_(RMS));偏置电压范围2.5V 到5.5V);有关闭控制,在关闭状态     

Intersil推出新型超低压差线性稳压器

Intersil公司宣布推出具有业内最低压差的新型超低压差线性稳压器系列——ISL8011x。Intersil的ISL80111、ISL80112和ISL80113分别具有1A,2A,3A输出能力,并且针对精密低压输出进行了优化。     

CMOS单片集成超低压差线性稳压器设计

设计了一种具有过热保护、限流保护、快速启动等特性的CMOS单片集成超低压差线性稳压器,对其电路结构及其工作原理进行了分析,给出了主要子模块电路的设计方案,提出了设计方法和设计中所需考虑的问题.该稳压芯片,输入电压范围为2.5～6V,输入输出压差的典型值为0.4 mV@1 mA和52 mV@150 mA,电压调整率典型值为0.012 6%/V,负载调整率典型值为0.000 12%,静态电流的典型值为85 μA.     

低压差稳压器可设定输出电压

APL5610／A是茂达电子所推出的低压差稳压控制IC,工作时外部需要搭配一颗N沟道MOSFET做为传送组件,IC输入电压操作范围在4．5V～13．5V,内部提供0．8V参考电压,搭配外部负反馈分压电阻可让使用者自由设定输出电压。稳压器的输出电流则由外部N沟道MOSFET来决定,能实现非常高的输出电流,并且能有极低的压差电压。APL5610／A适用于主机板、笔记本电脑等应用。     

超低压差CMOS线性稳压器的设计

设计出一种输出电流为300mA且具有微功耗超低压差低噪声性能的单片CMOS线性稳压器,对其电路结构及工作原理进行了分析并给出各子电路模块的设计。该稳压器具有过流过热保护,工作电压范围为2．5V～6V。基于现代公司的0．6μm CMOS工艺模型,Hspice模拟结果表明其输入输出压差的典型值分别为0．4mV@1mA和120mV@300mA,静态电流的典型值为90μA。     

LT3022：低压差线性稳压器

Linear推出1A低压差线性稳压器（VLDO）LT3022,该器件具有低至0．9V的输入电压能力和低至0．2V的可调输出电压。LT3022的低VIN能力加之该器件的低压差（满负载时典型值为145mV）使其适用于数字IC（例如：FPGA、ASIC、DSP、微处理器和微控制器等）的低电压、大电流轨应用。     

凌力尔特推出双输出、低噪声、正／负低压差电压线性稳压器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出双输出、低噪声、正／负低压差电压线性稳压器LT3032。在满负载时,该器件以300mv压差电压在每个通道上提供高达±150mA的连续输出电流。     

一种快速响应低压差线性稳压器的设计

介绍了一种应用于DRAM芯片内部供电的新型低压差线性稳压器(LDO)。在传统LDO电路PMOS输出驱动管的栅端增加了一个开关电容电路,根据负载电流使能信号控制耦合电容的接入,使驱动管的栅端耦合到一个正向或者负向的电压脉冲,在负载电流急剧变化时能快速调整过驱动电压,以适应负载电流的变化。仿真结果显示,该电路有利于输出电压的快速稳定,恢复时间缩短了38%以上。采用45 nm DRAM 掩埋字线工艺进行流片。实测结果显示,该LDO输出电压恢复时间在10 ns以内。在DDR3-1600的数据传输速度下,DRAM芯片的数据输出眼图为280 ps,符合JEDEC标准。     

凌特推出新款线性稳压器

凌特公司日前宣布推出输入电压可低至1.7V的300mA非常低压差(VLDO)线性稳压器LTC3035。该器件具有低内部基准电压以及从0.4V至3.6V的对应可调输出电压,而且在满负载电流时保持仅为45mV的极低压差电压。为允许在低输入电压时工作,LTC3035带有一个集成充电泵转换器,为内部LDO电路提供必要的空间。这种低输入电压能力可从锂离子电池或2xAA碱性电池、低输入至低输出电压转换系统应用中实现高性能。LTC3035严格的±2%输出电压准确度、分别为100uA和1uA的低静态电流和停机电流加上快速瞬态响应以及采用很少外部组件的小解决方案占板面积…     

超低压差CMOS 线性稳压器的设计y

摘要: 设计出一种输出电流为300 mA 且具有微功耗超低压差低噪声性能的单片CMOS 线性稳压器, 对其电路结构 及工作原理进行了分析并给出各子电路模块的设计。该稳压器具有过流过热保护, 工作电压范围为2?? 5 V~ 6 V。 基于现代公司的0??6 ??m CMOS 工艺模型, Hspice 模拟结果表明其输入输出压差的典型值分别为0?? 4 mV @ 1 mA 和 120 mV @ 300 mA, 静态电流的典型值为90 ??A。     

用于低压差线性稳压器的输出精密微调设计技术

提出了一种用于低压差线性稳压器(LDO:Low-Dropout regulator)的输出精密微调方法,通过在反馈网络中引入可微调电阻梯实现对LDO输出的精密调整,并采取伪电阻保护的版图布局方式提高电阻梯的匹配性能。基于65 nm CMOS工艺对LDO进行了设计,整个LDO线性调整率约为0.05mV/V,输出电压在1.02V~1.36V范围内能够按照0.02V/step的最小步长进行精密微调,能有效减小由电源电压、温度等因素引起的输出误差,适合嵌入式片上系统(So C:System-on-Chip)的应用。     

一种低压差CMOS线性稳压器的设计

设计了一种输入电压范围为1.9~5 V,输出电压为1.8 V的LDO。采用零点-极点追踪频率补偿方案,补偿结构简单,可动态补偿输出极点;利用PMOS管与NMOS管阈值电压相互补偿的特性,设计了基准电压源,具有结构简单、版图面积小等优点。基于GSMC 0.18 μm CMOS工艺,采用Spectre软件对电路进行仿真。仿真结果表明,电路的带宽为4 MHz,低频段时电源抑制比达到125 dB,静态电流只有80 μA。     

低压差线性稳压器

Diodes公司推出具有低压差和低静态电流的全新线性稳压器,适用于延长电池寿命为关键设计要素的低功耗手持产品设计。150mA的AP7312和300mA的AP7332两款新型双固定输出器件压差值分别为1.50mV和300mV,典型额定静态电流仅为60μA。     

提供恒定电流的低压差线性稳压器

通过在稳压器输出和地节点之间连接一支固定电阻器,线性稳压器就可以提供一种产生恒定电流的简单方法。稳压器恒定的输出电压通过电阻器产生一个恒定的电流。这个基本电路可以用作高侧或低侧电流     

低压差线性稳压器中过流保护电路的设计

设计了一种应用于低压差线性稳压器的过流保护电路.该电路结构简单,易于调整,功耗低,可采用0.5μmCMOS工艺实现.仿真结果表明,它可以把稳压器的最大输出电流限定在300mA,输出短路电流限定在40mA,能够实现过流保护的目的.     

Linear推出低压差线性稳压器（VLDO^TM）LT3022

Linear公司近日推出1A极低压差线性稳压器（VLDO^TM）LT3022,该器件具有低至0．9V的输入电压能力和低至0．2V的可调输出电压。LT3022的低V。能力加之该器件的低压差（满负载时典型值为145mV）性能使其非常适用于数字集成电路产品（例如：FPGA、ASIC、DSP、微处理器和微控制器等）的低电压、大电流轨应用。