英飞凌推出第五代1200 V thinQ!~(TM)碳化硅肖特基二极管

正英飞凌科技股份公司推出第五代1200 V thinQ!TM碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1 200 V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。     

科锐1200 V碳化硅肖特基二极管开关损耗锐减50%

科锐公司(CREE)日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。     

碳化硅二极管助力于提高太阳能系统的效率

碳化硅（SiC）二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场,尤其是在欧洲。Cree的1200V SiC肖特基二极管已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅（Si）PiN类设计,而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。     

碳化硅二极管提高太阳能逆变器的效率

碳化硅(SiC)二极管已经打入迅速扩展的太阳能逆变器市场中,在欧洲尤为如此。科锐公司(Cree)的1200V SiC碳化硅肖特基二极管正在替代其直流母线升压电路中的硅(Si)PiN同类产品,并且很快就会出现在商用系统的逆变器部分。     

科锐新型1,200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管系列以更低的成本为功率转换应用带来更高的性能

碳化硅（SiC）功率器件市场领先者科锐公司日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1,200V Z-Rec碳化硅肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。     

美高森美全新650V碳化硅肖特基解决方案提升大功率应用的系统性能

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司（Mi—crosemiCorporation）扩展碳化硅（SiC）肖特基产品系列,推出全新的650V解决方案产品系列,新型二极管产品瞄准包括太阳能逆变器的大功率工业应用。     

600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%。另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性。     

碳化硅肖特基二极管，帮助降低电源转换系统成本

第三代thinQ!SiC肖特基二极管具有极低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。该二极管系列提供多种封装形式,不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。目前,第三代thinQ!SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V（3A、4A、5A、6A、8A、9A、10A和12A）产品和采用TO-220封装的1200V产品（2A、5A、8A、10A和15A）。     

耐250℃高温的1200V-5A4H-SiC JBS二极管

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温度的变化情况,并验证至少在250℃下依旧能正常工作.研制的1 200 V碳化硅JBS二极管和IXYS公司的600 V硅快恢复二极管(Fast recovery diode)进行了对比:室温动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省92%.这是国内首次报道的250℃高温下正常工作的碳化硅JBS二极管.     

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装

<正>东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET——“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。     

英飞凌成功推出第五代thinQ!TMSiC肖特基势垒二极管

英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TMSiC肖特基势垒二极管,壮大其SiC（碳化硅）产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起,改进了热特性,并使一个优值系数（QcxVf）与英飞凌前代SiC二极管相比降低了大约30%。     

用于高功率密度功率因素校正的新一代600V砷化镓肖特基二极管

在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。     

英飞凌推出第二代SiC肖特基二极管

英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO-220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,     

意法半导体(ST)650V碳化硅二极管具有独一无二的双管配置,可提高安全性、能效并节省空间

正意法半导体的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650 V且共阴极或串联配置的整流二极管,可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。磁化硅产品的能效和耐用性高于传统的二极管,意法半导体在碳化硅功率半导体技术创新方面居世界领先水平,STPSC6/     

伊顿9390中标上海世博消防控制机房

2010年5月23日在中国电器工业协会电力电子分会组织的专家评审会上，北京时代民芯科技有限公司150～1200V／2．5～100A快恢复二极管（FRD）芯片通过科技成果鉴定。该系列化产品是时代民芯据市场需求以及公司技术基础，自立项目进行快恢复二极管系列产品研发的成果。     

JTE结构4H-SiC肖特基二极管的研究

借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展（JTE）结构的碳化硅（SiC）肖特基二极管（SBD）。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响。通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求。     

系统工程中先进的功率半导体器件新的发展方向

本文对近来提出的一些器件的基本原理进行了比较，这些器件包括超大型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极性晶体管（IGBT）和碳化硅（SiC）器件。所有这些器件的阻断电压都能达到1000V，以优化设计可适合于不同的应用领域。最新一代的CoolMOS在最大电流下可同时获得极高的通态电导率和极快的开关频率，而其阻断电压也在500～800V之间。在很多场合，CoolMOS的杰出的开关性能由于其二极管的动态特性比较差而无法得到应用。因此，一系列碳化硅二极管被设计出来，使开关特性优异的CoolMOS和快速SiC二极管在为理想的组合对象。该二极管的性能随后将被探讨。和硅器件相比，SiC器件展现出优越的性能，极低的导通电阻和很高的击穿电压被认为是碳化硅功率开关器件最突出的特点。阻断电压高达18000V的MOSFETs和结型场效应晶体管（JFETs）其导通电阻分别是47mΩcm^2和14.5mΩcm^2，比较而言，碳化硅器件对系统设计者有吸引力得多。为了在器件实体上描述这些预期的特性，我们在JFETs器件上实现了纵向阻断电压为1800V和通态电阻率为12mΩcm^2的性能。我们将对此进行讨论。     

SemiSouth推出阻值最低的SiC功率晶体管

SemiSouth Laboratories公司日前宣布推出全新45毫欧、1200V业界阻值最低的常开型沟槽SiC功率JFET产品系列。该公司是针对碳化硅（SiC晶体管进行技术研发和生产的领先制造商,其产品主要定位于高功率、高效率和恶劣环境电源管理和转换应用。     

意法半导体发布2-40 A 1200 V SiC JBS二极管

<正>意法半导体(以下简称ST)近期发布了一款2-40 A1200 V的SiC JBS二极管,具有高转换率、高回收率、恒温特性,广泛用于碳化硅技术领域。ST表示,SiC二极管工艺线生产的器件具有最佳的正向电压(VF最低),设计人员可通过使用低额定电流和低成本的二极管实现高有效性和可靠性的电路设计。因此,SiC     

采用T0—220FullPAK全隔离封装的第二代ThinQ!碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份公司推出采用TO一220FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的T0220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。