浮栅ROM器件γ射线、X射线和中子辐射效应实验研究

本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量。测量结果表明，浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应。错误发生存在剂量阈值，开始出错时的错误数及错误地址不确定，错误数随辐照剂量或注量的增大而增加。     

星用典型CMOS器件54HC04^60Co源辐射效应研究

给出了加固和非加固５４ＨＣ０４电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果,探讨了电流转移曲线,辐射感生漏电流、阈值电压,转换电压随辐射剂量的变化关系。     

星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究

本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60 γ射线辐照试验研究.在γ射线辐照过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平.     

数模/模数转换器和大容量存储器件γ射线辐射试验研究

构建了一个测试平台,在计算机和辅助测试模块的配合下,对信号处理模块经常用到的数模,模数转换器AD10465和AD9857以及大容量MASH存储器、反熔丝PROM存储器进行了γ,射线辐射试验,并以功能的正常性为测试标准对这些器件的抗辐射效应性能进行了评估。结果发现,AD10465和AD9857在总剂量为1．59kGy时仍然功能正常,MASH存储器和反熔丝存储器分别在总剂量为0．13kGy和0．99kGy时出现错误。     

FLASH ROM 28F256和29C256的14 MeV中子辐照实验研究

给出了国内首次FLASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现28F256和29C256器件的14 MeV中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应,它只有“0”→“1 ”错误。错误发生有个中子注量阈值,当中子注量小于某一个值时,无错误; 当中子注量达到一定值时,开始出现错误。随着中子注量的增加,错误数增加,直到所有“0”变为“1”。 动态监测和静态加电的器件都出现硬错误,不能用编程器重新写入数据。错误随读取次数的增加而增加。在相同的中子注量下,不加电的器件无错误,而加电的器件都出现错误,并且出现不确定性错误。     

静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究

通过比较1Mbit商用静态随机存储器（SRAM）在6种不同偏置条件下器件参数（静态和动态功耗电流）和功能参数（错误数）随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的影响,以及不同偏置和温度（25℃和100℃）条件下的退火机制。结果表明：不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响;静态和动态功耗电流为器件的敏感参数,在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重。     

对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识

通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退化。在不同的应力条件下,其效果也有所不同。对改性器件施加热载流子应力时,改性器件的前栅和背栅之间存在着更明显的相互作用。同时,探讨了总剂量辐照对改性器件热载流子退化的影响。在改性器件中存在辐照增强的热载流子退化,高温退火只能部分消除这一影响。     

迭加法减小γ数字辐射成像系统噪声的研究

γ数字辐射成像（γ－DR）系统的主要噪声源是由射线与物质相互作用的随机性产物的统计涨落器声，对采样信号进行多次迭加平均是减小噪声的有效方法，本工作从理论上推导了迭加法降噪效果的影响因素，得到了迭加后噪声强度与迭加次数和采样周期之间的关系，并用实验进行了验证，研究结果应用于钴－60集装箱检测系统的降噪处理，取得了良好的效果。     

AlteraSRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应

通过比较不同模块的输出波形、不同源程序的功耗电流以及输出端口的高、低电平随总剂量的变化关系,研究了AlteraSRAM型现场可编程门阵列（FPGA）器件在⁶⁰Coγ源辐照下的总剂量辐射效应。实验结果表明：器件的功能和功耗电流随总剂量的变化不同;不同模块随总剂量的变化关系相似,不同源程序的功耗电流随总剂量的变化趋势一致;总剂量辐照实验时功耗电流可作为判断器件失效的1个敏感参数。     

重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究

应用^252Cf源和^60Coγ源进行单粒子翻转斋与γ累积剂量的关系研究，实验结果表明，静态加电和不加电状态下，γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大，无明显的规律。动态测量状态下，在存储单元中写入相同数据时，器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据相反，会使器件的单粒子翻转截面水经^60Coγ源辐照时的水平，甚至更低，从而抵消了累积剂量对单粒子翻转截面的影响。     

HI—13串列加速器上卫星器件空间辐射效应模拟研究简况

简要叙述了卫星器件及样机的空间辐射效应的实验模拟研究的起源,以及在HI－13串列加速器上已进行的有关研究工作和方法。分析了现有设备的局限性,简述了串列加速器国家实验室升级工程要点。     

32 质子致生物辐射效应初步实验研究

在长期载人航天中，空间辐射对人体是一种严重的威胁。宇宙辐射源（天然空间电离辐射源）主要是银河宇宙射线和随机发生的太阳粒子辐射（质子事件）。银河宇宙射线的主要成分是约占84．3％的质子，约占14．4％的α粒子及约占1.3％的重离子。质子具有高传能线密度（LET），与低LET（如电子、X射线和γ射线）辐射相比，具有较高的相对生物学效应（RBE），能诱发DNA分子中出现更多的双链断裂，从而更有效的杀伤细胞、更易诱发突变或改变细胞的生长特性。     

星用典型CMOS器件54HC0460Co源辐射效应研究

给出了加固和非加固 5 4HC0 4电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果 ,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系。     

重离子单粒子效应实验研究

在HI—l3串列加速器上建立了对微电子器件进行单粒子效应模拟实验的辐照和检测技术。利用该Q3D磁谱仪获得种类和能量单一、强度分布均匀且足够弱的重离子辐照源，利用散射室内的半导体探测器和焦面上的位置灵敏半导体探测器监测辐照离子。用该装置和技术测量了在8个传能线密度(LET)值的重离子辐照下引起的几个存储器器件的单粒子翻转（SEI）截面o(L)。从测得的o(L)——LET曲线，结合空间重离子和质子辐照环境模型以及离子与微电子器件相互作用模型计算，预言了器件在空间的单粒子翻转率。     

普通小麦品种辐射敏感性及其诱变效应的研究

利用~(60)COγ射线辐照含水量13%的小麦休眠种子,从形态学、细胞学和生理生化三方面综合研究了普通小麦品种辐射敏感性。结果表明,普通小麦品种间辐射敏感性存在显著差异,并呈正态分布。对供试的49个品种进行模糊聚类分析,普通小麦品种辐射敏感性分为极敏感 型、敏感型、中间型、迟钝型和极迟钝型五类。不同遗传背景品种的辐射敏感性强弱具有以下关系:重组品种>地方品种>辐射实变品种。植物品种辐射敏感性强弱取决于DNA损伤的自身修复能力。M_1辐射敏感性不同的品种,其M_2的诱变效果也不同。在7.74C/kg(30kR)以下的剂量范围内。对辐射敏感的品种实变频率高,数量性状的变异程度大。因此,在辐射育种上,选择敏感的品种作辐照材料可收到较好的效果。     

5 模拟强辐射环境条件下的核素定量分析实验研究

在较强辐射环境下用γ谱分析方法进行核素分析时，若周围环境中的核素与被测样品的核素相同，则将对样品分析产生很大干扰。确定和消除环境中干扰核素的影响是样品定量分析中的重要问题。当被测核素置于容器中时，由于容器对样品γ射线的屏蔽作用，这一问题显得更突出。     

东方百合组培芽增殖阶段60Coγ射线辐射效应研究

采用⁶⁰Coγ射线辐照东方百合鳞片,组培后以其诱导的不定芽进行增殖培养,对芽3次增殖过程中的辐射效应进行研究。试验结果表明,辐照明显影响芽的增殖,但随增殖次数的增加,芽增殖数和芽增殖率受辐照因素的影响明显降低。在第1次增殖期,辐照对芽增殖的影响表现为抑制作用,这种现象在高剂量辐照时表现得更加明显;在第3次增殖期,辐照对芽增殖的抑制作用已消失,但芽的生理状态仍处于损伤修复作用的末期。辐照剂量对不同培养基上接种不同部位鳞片产生的不定芽蛋白质、MDA含量有不同影响。     

静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究

应用重离子加速器和 2 52 Cf源进行单粒子翻转效应实验 ,测量得到 IDT系列和 HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子 L ET阈值为 4～ 8Me V· cm2 /mg,单粒子翻转饱和截面为 10 -7cm2 · bit-1量级 ,位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明 ,可以用 2 52 Cf源替代重离子加速器测量静态随机存取存储器的单粒子翻转饱和截面