真空熔炼CuCr25合金及其性能研究

采用真空熔炼法制备ＣｕＣｒ２５合金，能提高ＣｕＣｒ触头材料的生产率，节约Ｃｕ，Ｃｒ资源。实验结果表明，该合金Ｃｒ相尺寸为３０－５０μｍ，相对密度大于９８％，气体含量低于５００×１０＾－６Ｐａ，耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。     

根据微放电现象的研究评评真空灭弧触头材料的性能

本文研究了真空灭弧室用ＣｕＣｒ２５、ＣｕＣｒ５０、ＷＣｕ３０烧触头材料的真空间隙的绝缘性能。通过采用局部放电测量仪的多路分析仪,对预击穿阶段的典型现象－微放电现胆进行了研究,结果表明,真空间隙的耐电压强度与微放电现象的特性参数之间具有非常密切的关系。     

碳化钨基真空触头材料除气工艺研究

本文对铜含量２０Ｗｔ％的Ｃｕ－ＣＷ基真空接触器用触头材料残存气体的来源，存在状态进行了分析和推测，提出并实施了相应的除气工艺。研究成功一种气体含量低的Ｃｕ－ＷＣ触材料（ＣＷ－２型）。６ｋＶ等级的真空灭弧室改用ＣＷ－２型触头后，其短路分断电流由２５００－３２００Ａ提高到５０００Ａ以上。     

选择性相强化对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响

研究了合金元素Ｗ、Ｃｏ的加入对ＣｕＣｒ触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响。研究结果表明,合金元素选择强化ＣｕＣｒ材料的Ｃｒ相能够显著提触头间隙的耐电压强度,而强化Ｃｕ相对间隙的耐电压强度没有明显作用。文章认为制备ＣｕＣｒ系触头材料时应选择适当的制备工艺,使合金元素能够选择强化材料中的Ｃｒ相。     

西门子公司的真空断路器及其发展

德国西门子公司１９９５年开发出技术指标先进的３ＡＨ系列真空断路器，归功于新一代真空灭弧室和先进的加工工艺。该文除了介绍３ＡＨ系列产品的主要技术性能外，着重介绍了真空灭弧室采用ＣｕＣｒ触头材料的优点、触头制造工艺、形成的真空电弧形态，封排工艺以及真空度等；还指出了满足免维护（每操作１万次仅加一次油）的要求，提出了加工精度、改进关键件材质和工艺、采用长效润滑油脂和先进的ＣＡＴ检测装置、加强绝缘等。     

真空开关触头材料的开发现状与发展

本文综述了真空开关触头材料的开发现状，并对其发展作了论述。指出：１。Ｃｕ－Ｗ触头较普遍应用于真空接触器与负荷开关；２．Ｃｕ－Ｃｒ触头因具较多的优良特性已成为当前真空断路器的最佳触头；３．为弥补Ｃｕ－Ｃｒ材料的不足开发了添加其它元素的Ｃｕ－Ｃｒ系触头。然而为全面满足真空开关电器的发展，开发出高性能的触头材料则是触头研究者迫切需要进一步探索的问题。     

高温下 CuCr 触头材料对真空小间隙击穿强度的影响

测量了含不同合金元素的ＣｕＣｒ真空触头材料不同温度下的击穿强度,讨论了合金元素Ｗ、Ｃｏ及温度对ＣｕＣｒ真空触头材料高温下小间隙击穿性能的影响。     

深冷处理对CuCr真空触头材料组织及性能的影响

研究了 ＣｕＣｒ真空触头材料在一定的深冷处理条件下,其组织发生的微结构变化。深冷处理引起的Ｃｕ相中的过饱和Ｃｒ弥散析出,使得微观组织分布更加均匀,Ｃｕ相的导电、导热能力进一步改善。同时Ｃｒ相发生明显细化。深冷处理使ＣｕＣｒ真空触头材料的耐电压强度及耐电弧侵蚀得到了一定的提高。     

真空负荷开关用WCu10触头材料研究

本文详细介绍了真空负荷开关用ＷＣｕ１０触头材料的过程及材料特性。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金,首次穿相为Ｃｒ相,而对ＧｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金,首次击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高,电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织和成分均匀化,本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提