钽铌酸锂晶体的介电谱研究

研究了钽铌酸锂(LiTa_xNb_(1-x)O_3,x=0,0.02,0.06,0.59,0.92和1.00)晶体在室温的低频和射频介电谱。给出了它们的自由介电常数和受夹介电常数。讨论了低频介电损耗与晶体组分的关系。指出低频介电响应的测量可以作为衡量晶体质量的一种手段。     

锌粉还原制备低热释电钽酸锂晶体

利用锌粉和硅粉的混合粉末的还原性能,在400℃真空的情况下对同成分LT晶体进行还原处理,还原后的晶体呈棕红色。经检测晶体的电阻率为1010Ω.cm,相对未还原样品降低了4个数量级,其导电性能有了非常大的提高;晶体在325 nm的光下的透过率为未还原样品的35%,晶体的压电性能没发生大的变化,这些性能的改变在声表面波器件的制作过程中避免了电荷的富集,提高了电极线条的精度,对制作声表面器件非常有利。     

基于钽酸锂晶体薄片的红外探测器设计及应用

通过减薄、键合、抛光等技术加工成厚度达到10μm左右的超薄晶片,然后通过蒸金、黑化等处理技术将其制备成红外敏感元件.根据红外光谱吸收原理,为提高分辨率和选择性吸收性能,在敏感元件前段集成了窄带滤光片.制备的敏感元件与选用的窄带滤光片,以及CMOS放大器与电阻和电容各一个都被封装和集成在一个TO-18型管壳内,最终被设计加工成为单一通道的红外探测器,其滤光片可根据要求的波带范围进行更换.利用两个吸收波长分别为(3 310±90)nm和(3 910±60)nm的单元探测器,设计并制作了一个微型气体传感器.该气体传感器能实现检测一些烃类气体,文中对乙烯气体进行了实验测试,并进行了实验数据分析.分析结果表明:这种气体传感器具备较好的检测气体浓度的能力,能检测的最大量程为30 000×10-6,达到分辨100×10-6的检测能力,且具有较好的重复性.     

掺镁铌酸锂晶体——一种新的光电多功能集成晶体材料

铌酸锂(LiNbO_3)晶体是制作电光、非线性光学和集成光学器件的最重要的晶体材料之一。在光学应用中遇到的最大问题是容易产生光致折射率变化(光折变),引起光波前畸变,限制了其在高激光功率下应用。为了提高其抗光折变性能,以前多采用减少杂质的纯化方法,但效果不大。1980年我国     

铌酸锂晶体化学键性质研究

利用平均能带模型研究了ＬiNbO3晶体化学键性质,结果表明,铌氧键的共价性为０．２,锂氧键的共价性为０．４２,利用由共价性和极化率定义的化学环境因子h计算LiNbO3中Ｃr^3 的Ｒacah参数和ＬiNbO3中Ｆe^2 的穆斯堡尔同质异能位移均与实验值一致。     

近化学计量比钽酸锂晶体生长及表征

用高纯H2TaF7溶液经过过氧化反应、沉淀等一系列反应制得的钽酸盐化合物晶体作为初始原料,掺入一定剂量的K2O助熔剂,用提拉法生长近化学剂量比的钽酸锂晶体,结果得到尺寸为φ45 mm×45 mm的SLT晶体,并对该晶体的性能进行了表征.结果表明,尺寸为φ45 mm×45 mm的SLT晶体畴结构为完全六边形,本征缺陷比CLT晶体均明显减少;吸收边相对于CLT晶体发生了蓝移,蓝移5.8 nm;经外吸收变弱,经工外透过率为78%;抗光损伤能提高,达到108 W/cm2.是性能优良的光学材料,使介电体超晶格高频超声原件和全固态白光激光器的研制成为现实.     

离子束增强沉积制备钽酸锂薄膜电性能分析

为提升钽酸锂薄膜的性能,提出一种离子束增强沉积法制备钽酸锂薄膜的新工艺。分别采用这种新工艺和溶胶-凝胶法制备了钽酸锂薄膜,并利用阻抗分析仪和铁电材料分析仪对制备样品进行了介电性能、铁电特性、漏电电流和热释电特性分析。实验结果表明,采用离子束增强沉积制备的钽酸锂样品经550℃退火后,介电常数为39.44,介电损耗为0.045;测试电场强度为400kV/cm时,漏电流为4.76×10-8 A/cm2,击穿场强为680kV/cm,热释电系数达到1.82×10-4 C/m2 K。相比之下,采用溶胶-凝胶方法制备的钽酸锂薄膜样品,其介电常数、介电损耗、漏电流都更大,击穿场强和热释电系数更低。从电性能参数比较可以看出,离子束增强沉积法比溶胶-凝胶法更适合用于制备钽酸锂薄膜。     

钽酸锂单晶材料的横向场激励特性

用(yxl)-16.51°切型的钽酸锂(LiTaO3)加工制作两个电极在同一基板平面的横向场激励器件来验证该材料的横向场激励特性.理论上用扩展的Christoffel-Bechmann方法计算了LiTaO3材料的横向场激励机电耦合系数,其c模式值最大为37.9%.实验结果表明在空气中横向场激励在5.257MHz频率附近引起了一个明显的谐振主峰,谐振处阻抗为727ω;在液体中由于液体模拟电极的作用而形成了厚度场激励,使其在5.695MHz附近产生了另外一个谐振主峰.通过对声波相速度和谐振频率的计算也验证了实验结果.     

铌酸钾锂晶体的生长研究

首次使用坩埚下降法生长了蓝光掊频晶体铌酸钾锂K₃Li_2-xNb_5＋xO_15＋2_x（0＜x＜0．5）,探讨了该晶体的最佳生长条件,包括组份选择、原料处理、炉温控制、温场设计等,成功地生长出直径10mm、长度25mm的透明KLN晶体．     

铌酸钾锂晶体的生长技术

铌酸钾锂被认为是目前综合性能指数最高的非线性光学晶体,在半导体二极管蓝激光倍频方面有广阔的应用前景。本文综述了用于蓝光倍频的铌酸钾锂晶体生长研究进展,比较了不同生长方法的优缺点,报道了我们在该晶体坩埚下降法生长研究方面的最新成果。     

铌钽酸钠钾锂-铟酸铋铁电压电性能的研究

采用传统固相合成法制备了(1-x)(0.97Na_0.5K_0.5NbO₃+0.03LiTaO₃)+xBiInO₃[(1-x)(KNN+LT)+xBI]无铅压电陶瓷, 研究了该体系的晶体结构、压电、铁电与介电性能。结果表明: (1-x)(KNN+LT)+xBI陶瓷的晶体结构在室温下为正交相和四方相两相共存, 随着BI含量的增加, 四方相含量逐渐增多, 居里温度T_c降低, 但是正交四方相转变温度T_o-t呈现升高趋势, 晶格参数逐渐增大。随着BI含量的继续增加, Bi在高温下的挥发导致氧空位的增多, 从而使材料性能下降。在x=0.0015时得到组分的最佳性能, 其居里温度T_c、相转变温度T_o-t、压电常数d₃₃、剩余极化P_r、矫顽场E_c分别达到400℃、126℃、160 pC/N、19.26 μC/cm2和7.75 kV/cm。     

铌酸钾锂晶体的生长与性能

使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ10mm50mm、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体,讨论了引起晶体开裂的主要原因,研究了该晶体的光透过性能和介电性能,室温下该晶体的介电常数ε33=127,ε11=376,居里温度为380°     

掺锌铌酸锂晶体的拉曼光谱

为研究LiNbO3晶体中Zn2 浓度对拉曼光谱的影响,以及Zn2 在LiNbO3晶体中的占位和Zn:LiNbO3晶体的结构,分别在LiNbO3中掺进摩尔分数为0.02、0.04、0.06、0.08 ZnO的Zn:LiNbO3晶体,进行其A1(To)和E(To)模的拉曼光谱测试.结果表明,当掺杂ZnO的摩尔分数小于0.06时,拉曼光谱变化不大,当掺杂ZnO的摩尔分数大干8%时,晶体拉曼光谱的274 cm-1峰变得模糊,E(To)模也混入A1(To)模中,晶体峰值变化较大.     

锗酸铋晶体光电导性质的研究

生长了六种掺杂锗酸铋(简称 BGO)晶体(分别掺 Fe、Cr、Mn、W、Pb 和 Ce)。在合适的测试条件下,测量了它们的光吸收系数、光电导参数和暗电导率,并与未掺杂样品进行了比较。计算出了样品的特征参量μφτ,为上述材料光折变性质的研究提供了必不可少的数据。在此基础上,对 BG0∶Cr、BGO∶Fe 和BGO∶Mn 晶体的光折变机制进行了简略的讨论,认为 BGO∶Cr 中的光折变中心可能是:Cr~(3+)作为施主,Cr~(4+)作为电子陷阱;或 Cr~(4+)作为受主,Cr~(3+)为空穴陷阱。     

二次电光材料钽铌酸钾系列晶体研究进展

电光晶体材料是全固态激光器的基础材料之一,可实现激光传播特性的调制,电光调制具有效率高、稳定性好、响应快及无惯性等优势。新型高效电光晶体的发展,对于全固态激光技术的发展和应用具有重要意义。作为一种性能优良的多功能晶体材料,钽铌酸钾晶体具有显著的电光效应和光折变效应,其发现和研究已有半个多世纪历史。以激光调制技术需求和电光晶体发展为背景,从电光晶体材料理论出发,系统回顾和介绍了钽铌酸钾系列晶体作为一种可实用化的二次电光晶体材料的研究进展。     

钽铌酸钾晶体相结构和相变的研究

本文采用 X 射线粉末衍射法研究了不同组分钽铌酸钾的相结构、高温相变特征和温度与组分的关系等。并讨论了相变的过程。     

钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究进展

介绍了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究概况;简要阐述了热释电红外传感器的工作原理;着重分析了钽酸锂薄膜材料的新制备技术,以及在热释电红外传感器应用方面的研究现状;指出了钽酸锂薄膜材料及其热释电红外传感器应用研究发展前景.     

铌酸锂晶体的结构与性能关系研究

在实验测定的结晶学数据基础上，键价模型和化学键方法都被应用于定量或定性的研究铌酸锂晶体的物理性质，例如介电性质（包括折射指数n0和二阶非线性光学系数dij）、居里温度Te和自发极化率Ps。在前期工作中提出的Nb^5＋位依赖Li^＋位敏感的模型已成功地应用于铌酸锂晶体多种物理性质的研究。结果显示，其物理性质对晶体组成有强烈的依赖性。Nb^5＋位对于铌酸锂晶体的机械性质具有很强的影响；而Li^＋位也与晶体的介电性质密切相关．同时Li^＋位也是对＋1～＋5价不同掺杂剂敏感的晶格位置。     

近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展

介绍了近化学计量比铌酸锂晶体的主要生长方法及其特点,总结了近化学计量比铌酸锂晶体的主要性能,通过与同成分铌酸锂晶体的比较,指出了近化学计量比铌酸锂晶体的主要应用优势,明确了该类晶体今后的研究重点.     

铌酸锂晶体的结构与性能关系研究

在实验测定的结晶学数据基础上,键价模型和化学键方法都被应用于定量或定性的研究铌酸锂晶体的物理性质,例如介电性质(包括折射指数n0和二阶非线性光学系数dij)、居里温度Tc和自发极化率Ps.在前期工作中提出的Nb5+位依赖Li+位敏感的模型已成功地应用于铌酸锂晶体多种物理性质的研究.结果显示,其物理性质对晶体组成有强烈的依赖性.＃Nb5+位对于铌酸锂晶体的机械性质具有很强的影响;而Li+位也与晶体的介电性质密切相关,同时Li+位也是对+1～+5价不同掺杂剂敏感的晶格位置.