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设计了一种改进的电平移位电路。该电路采用交叉耦合结构,在不明显增加电路复杂度的情况下,显著提高了高压栅极驱动集成电路(HVIC)的噪声免疫能力。整个驱动器基于0.35μm 600 V BCD工艺设计。仿真结果表明,设计的HVIC可以实现高达125 V/ns的dV/dt噪声免疫能力,并在15 V电源电压下允许VS负电压过冲达到-9.6 V。此外,从理论上分析了改进电平移位电路的本级传输延时。同传统HVIC相比,设计的HVIC整体的传输延时得到了优化,降低到54 ns左右。 相似文献
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正2014年1月8日,高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(MicrelInc.)推出一款85V半桥MOSFET驱动器MIC4605,该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。 相似文献
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Intersil公司推出面向电源和电机驱动应用的“HIP”系列MOSFET桥式驱动器新品HIP212x系列。该100V、2A高频半桥驱动器产品系列提供非常短的上升,下降时间,可调节死区时问控制和灵活的控制输出。 相似文献
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IR2520是自适应镇流器控制器与600V半桥驱动器单片IC ,可用来驱动半桥配置中的荧光灯。文中介绍了IR2520的主要特点和基本原理 ,给出了它的典型应用电路。 相似文献
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本文介绍了美国IR公司专为驱动半桥逆变器同桥臂的两个MOSFET或IGBT而生产的高压高速驱动器,文中讨论了其引脚排列、各引脚的名称、功能和用法、主要设计特点和参数,剖析了它的内部结构及工作原理,探讨了它的应用技术,并给出了应用实例。 相似文献
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美国UNITRODE公司生产的IGBT驱动器UC1727,只需用很少量的外部元件就可以从单隔离变压器接收功率和信号去驱动一只IGBT功率器件,可广泛用于对电机、开关和其它需要完全电隔离负载线全桥或半桥的控制及驱动。 相似文献
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Ryan Schnell 《今日电子》2014,(11):33-35
正在为功率转换器和电机驱动器中半桥拓扑的高端栅极设计电源时,设计师需要从大量的变压器、光耦合器和驱动器中做出选择半桥拓扑广泛应用于功率转换器和电机驱动器中。主要原因在于,半桥能够对总线电压上的脉冲宽度调制(PWM)信号提供高效的同步控制,然而,在控制器与功率器件之间,往往需要栅极驱动器以缩短开关时间;同时还能提供隔离以满足安全性或者功能性的需要。对于总线电压超过电源开关栅极-源极电压最大限值的系统 相似文献
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