自差型光电反馈半导体激光器的量子AM和FM噪声谱

本文研究了自差型光电反馈(SHOE)半导体激光器(LD)的量子噪声,给出了AM与FM噪声谱的解析表达式,讨论了反馈环路参数的选择对量子噪声的影响。     

外腔半导体激光器的量子噪声的分析

本文用半经典理论研究了外腔半导体激光器(LD)的量子噪声,给出了AM噪声谱和FM噪声谱。并指出:在适当的条件下,LD的AM噪声谱和FM噪声谱均可得到极大的抑制。     

集成外腔半导体激光器的量子噪声

本文首次用半经典理论给出了集成外腔(IEC)半导体激光器(LD)的量子AM和FM噪声谱。指出IEC LD的噪声特性主要取决于有源区和外腔的长度及折射率的变化。     

新型多量子阱被动锁模半导体激光器噪声分析

对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析 ,并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。研究表明 ,被动锁模半导体激光器 (MLLDs)的总噪声主要由散粒噪声、自发辐射放大噪声、频率调制噪声和量子噪声组成 ,分别由光场的振幅、频率和载流子的相位噪声等所致的结果     

强度反馈对半导体激光器量子噪声的改善

本文研究了强度负反馈对半导体激光器(LD)量子AM噪声的抑制。     

半导体激光器的AM和FM噪声

研究了热起伏、场零点飘移和自发辐射对半导体激光器AM和FM噪声的影响。     

线宽检测中的量子噪声

本文从半导体激光器的速率方程组出发，讨论了线宽检测时的量子噪声，分析了在各种检测条件下量子噪声的变化，给出了数值计算结果。     

注入锁定半导体激光器的噪声

本文用半经典理论研究了注入锁定半导体激光器(LD)的FM噪声和AM噪声,讨论了注入光功率、锁定相位等对噪声特性的影响。     

注入锁定半导体激光器的量子噪声

本文给出了注入锁定半导体激光器(LD)的强度和相位噪声谱。分析表明,注入锁定可以大大降低LD的量子噪声。     

光通信用高性能应变层量子阱激光器

把应变引入量子阱，改变Ⅲ－Ⅴ族体化合物半导体材料的能带结构，从而全面改善半导体激光器的性能，出现了通信用新一代高性能应变层量子阱激光器。     

AlGaAs激光器调频噪声光谱和光谱线宽

半导体激光器的调频量子噪声是半导体激光器应用于光学传输系统和光纤传感器系统方面最重要的特性之一。调频噪声特性用调频噪声光谱、瞬时频率概率密度、振荡功率光谱这三个项来描述。对于半导体激光器,这三个值之间的关系式可采用四种不同的分析法,即用Van der pol方程、Fokker-Plank方程、速率方程和光子密度矩阵方程。本文讨论了AlGaAs激光器的这些理论计算和实验结果之间的比较。图1给出了腔长900μm的CSP激光器的理论和实验的调频噪声光谱。用一个迈克尔逊干涉仪把调频噪声转换成调幅噪声。用一个光隔离器和角反射器来消除对半导体激光     

半导体激光器动态量子AM和FM噪声的理论

本文用小信号分析的方法,研究了当对半导体激光器(LD)进行直接调制时(动态)LD的量子噪声,首次给出了LD的动态AM与FM噪声谱的解析表达式.分析表明,调制强度与调制频率均对LD的量子噪声有极大的影响.     

负频反馈半导体激光器的噪声-半经典理论

本文用半经典理论研究了负频反馈(NFFB)半导体激光器的FM和AM噪声。在适当的条件下,FM噪声(线宽)可用NFFB技术得到极大的抑制。     

光电反馈对半导体激光器相位噪声的改善

本文给出了光电反馈半导体激光器(LD)的相位噪声,指出:光电反馈可显著改善半导体激光器的相位噪声性能。     

半导体激光器—多模光纤传输的模式噪声实验与分析

光纤通信系统除了光电检测器的噪声之外,还有光源的量子噪声、激光器输出功率曲线“扭折”噪声、反射噪声、模分配噪声与模式噪声等。半导体激光器多模光纤传输容易出现模式噪声而影响传输的正常进行,本文报告模式噪声的实验观察及其有关的计算分析问题。一、实验观察     

量子阱激光器超晶格缓冲层的研究

在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效应”进行了理论分析。     

6.5dB(78%)振幅压缩态的观察

量子噪声低于标准量子极限(SQL)的非经典光场(包括压缩态、非经典相关态和振幅压缩态等)对光通信和引力波测量等领域有很重要的潜在应用价值。振幅压缩态具有低于标准量子极限的振幅噪声,常称为亚泊松分布光场。 我们采用电流负反馈半导体激光器来产生和观察振幅压缩态。半导体激光器(Sharp LT015MP)直流驱动电流为60mA,单模(λ=830nm)输出功率约为10mW,微分量子效率为0.8～1.2。输出激光的量子噪声用双通道平衡检测法测量(Balanced detection),它包括:分束镜、两个量子效率为0.85～0.9的PIN光电二     

半导体激光器电噪声与非辐射复合电流的相关性

测量了50余只980 nm InGaAsP/InGaAs/AlGaAs双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V-I特性。结果表明,小注入情况下,980 nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为1/f特性,并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。     

钱合腔半导体激光器的相位噪声

本文首次给出耦合腔半导体激光器的相位噪声谱和线宽,指出耦合腔半导体激光器的相位噪声性能是由光反馈和注入锁定两种机理共同决定的。     

半导体激光器电源与非辐射复合电流的相关性

测量了50余只980nmInGaAsP/InGaAs/AlGa As 双量子阱高功率半导体激光器的低频电噪声及其V－I特性。结果表明,小注入情况下,980nm半导体激光器的低频电噪声主要表现为1/f特性,并与器件的表面非辐射复合电流有着良好的对应关系。