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采用扩散掺铝方法可以显著降低Cr-SiO薄膜电阻的温度系数,1~5kΩ/□,TCR≤±500×10(-6)℃(-1);10kΩ/□,TCR≤±100×10(-6)℃(-1)。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。 相似文献
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将电解铜丝和NiCr丝进行蒸发。为防止氧化,铜膜应侵锡。电阻经150℃大气热处理,即可制成NiCr-Cu导电带。用Cr-SiO作电阻材料。试验证明,这种薄膜具有良好的电气性能。 相似文献
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采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上沉积了Cr薄膜,采用光刻–湿法腐蚀工艺对Cr薄膜图形化得到电阻桥。通过实验,详细研究了腐蚀液温度、pH值和硝酸铈铵[(NH4)2Ce(NO3)6]浓度对Cr薄膜电阻桥腐蚀效果的影响。实验结果表明,Cr薄膜电阻桥的最优腐蚀参数为:硝酸铈铵浓度1.16 mol/L,pH值4,30℃水浴恒温。采用该最佳工艺制备的Cr薄膜电阻桥的腐蚀速率为180 nm/min,侧蚀为400 nm,桥区边缘线条整齐,其在5A恒流作用下点火效果良好,点火时间约为27.4 ms。 相似文献
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用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si:H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大,掺磷a-Si:H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大,但随环境温度的升高而降低。 相似文献
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硅基光电集成技术是当代高速信息化的重要发展方向之一。为了研究制备在硅衬底上的新型发光材料,突破Nd:YAG固体激光工作物质主要是晶体、透明陶瓷等固体形态的限制,采用电子束蒸发沉积工艺,在硅(100)衬底上制备了Nd:YAG薄膜,并对Nd:YAG薄膜的表面形貌、晶体结构、光学特性进行了测试。X射线和扫描电子显微镜测试结果显示,Nd:YAG薄膜经1100℃真空高温退火处理1h后有效结晶,采用钛蓝宝石激光器输出808nm激光激发,液氮冷却的InGaAs阵列探测器室温下得到Nd:YAG薄膜的1064nm主荧光峰的荧光光谱。结果表明,采用电子束蒸发沉积和后续高温退火工艺可以在硅衬底上制备Nd:YAG晶体薄膜。 相似文献
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现在普遍采用ITO薄膜 (In2 O3 ∶Sn)作为太阳电池的窗口材料 ,但由于In资源的稀缺 ,使太阳能电池的成本增加。Zn O是一种低成本材料 ,具有良好的电学、光学特性 ,因此可代替ITO薄膜作为窗口材料。由于ZnO n Si异质结太阳电池的转化效率为6 9%~ 8 5 % ,而ITO光电转换效率为 12 %~ 15 % ,采用液态源掺杂方法 ,取得较好效果 ,证实了掺P、B对纳米ZnO薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺P、B随热处理温度的变化对纳米Zn O薄膜电学特性的影响。在研制过程中 ,对掺入P、B的纳… 相似文献
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用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了薄膜的结构特征,同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析,认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心中的三重激发态到基态(T1→S0)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 nm发光峰的主要原因。实验结果表明,Al的掺入可能在GeO2晶粒中引入了新缺陷能级,从而产生494 nm这一特殊的发光带,同时Al的掺入也提高了398 nm发光峰的发光效率。 相似文献
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一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用光增强反应气体材料的光激活和光分解,可以在50~300℃条件下形成薄膜.与高温氧化、常压CVD相比,它可以减少温度对杂质分布的影响,降低针孔密度,避免芯片弯曲,抑制工艺中诱发新的缺 相似文献
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双极事业部五分厂在圆片生产过程中出现这样一个问题;“做完铝布线后发现电极孔接触电阻大”。这一问题对生产造成很大影响,阻碍了一部分产品成品率的提高。为解决这一问题,由双极五分厂负责蒸发工艺的同志和支援中心工艺室共同组成课题组对这一问题共同分析探讨,做了一些工作,初步搞清了问题的根源。为解决这一问题,我们用PHI610型扫描俄歇微探针为主要分析手段。该仪器的基本原理是:一个聚焦电子束以一定的能量照射到样品表面上,样品表面就被激发出X-ray、二次电子、背散射电子、俄歇电子等信息。俄歇能谱就是把样品表面发射出… 相似文献