环境、环境影响与控制

0205839吸水剖面同位素污染控制研究[刊]/王艺景//江汉石油学院学报.—2002,24(1).—35～37(C)电网噪声干扰及其滤波器(见0207759)雾的雷达后向散射特性研究(见0206912)     

2002年《红外与激光工程》作者年度索引

(括号内的数字为页码 ,括号外的数字为期数 )(以姓氏汉语拼音为序 )Ａ安卫军———见常永勤　 4(360 )Ｃ蔡鹤皋———见戴士杰　 5(437)蔡敬菊———见冷何英　 6(465)曹永锋 ,郑建生 ,万显容 .具有强抗噪声能力的图像分割方法　 3(2 0 8)常大定———见刘新业　 3(2 2 0 )昌彦君———见杨述斌　 4(31 8)常永勤 ,安卫军 ,郭喜平 ,介万奇 .ＭｎｘＣｄ1 -ｘＩｎ2 Ｔｅ4 晶体生长及其性能研究 4(360 )陈伯良 ,孙维国 ,梁平治 ,郑志伟 ,王正官 ,朱晓池 ,江美玲 ,龚启兵 ,丁瑞军 ,黄水安 .ＩｎＳｂ凝视红外焦平面组件研制和应用 5(41 9)陈　东…     

光电器件

9914984测量噪声功率谱作为筛选光电耦合器件的方法研究[刊]/徐建生//光电子·激光.—1999,10(3).—236～239(Y)用国产元件修复 PE-5000型原子吸收分光光度计光电倍增管高压电路经验介绍(见9915868)真空紫外 MCP-PMT 中应用碘化铯阴极的研究(见9914974)     

化合物半导体

无应力和应力超薄栅氧化物中直接隧道效应电流用的物理模型试验研究(见0102016)采用多晶硅和多晶 Si_(0.7)Ge_(0.3)栅材料的 p~+栅 MOS 电容器的少效载流子隧道效应和应力感应漏泄电流(见0102015)软、硬击穿说明及其面积定标意义(见0102013)超薄二氧化硅中时间相关介质击穿用的相容模型(见0102012)Weibull 击穿分布的非线性特性及其对超薄氧化物可靠性投影的影响(见0102011)2000年 IEEE 国际磷化铟与相关材料会议录(见0101967)     

相关学科与技术

一种免维护反冲洗过滤器及其控制系统(见9916380)阴极弧离子镀磁过滤器(见9915157)用热分析技术研究非晶态合金的退火转变动力学(见9914810)X 射线衍射法测定 Fe-Mn-Si 形状记忆合金层错几率的研究(见9914808)     

测量技术与设备

适合所有地形的车辆频域响应分析和制导器的特性(见9905582)PLA 测试用的 CAD 工具的硬件性能分析(见9905377)为减小开关噪声在 CMOS VLSI 系统中最佳单片旁路     

He-Ne激光噪声测量及特性分析

本文介绍了一种能连续测量激光振幅噪声值(方均根值)的方法,测量带宽20～1MHz,最小可测噪声功率为0.2μW,噪声值(百分比表示法)精度为0.02%,测量误差10%左右,可直接接收激光功率达0.5～几十mW。可配接示波器和频谱分析仪,观测噪声频谱,可用于0.4～1μm波长范围的连续激光器件噪声和光纤传输激光噪声的实时测量,若换接其他光电     

GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究

基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能.对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势.     

GaAs MESFET低频噪声机理的研究

<正> GaAs MESFET器件的低频噪声是该器件一项重要的电特性,研究它的产生机理对器件微波非线性和从直流到微波超宽带等方面的应用,以及了解器件内部深能级均非常重要。 GaAs MESFET低频噪声研究在国内尚未见到有关文献报道。在建立了GaAs MESFET低频噪声测量系统的基础上,作者对南京电子器件研究所研制生产的各种GaAs MESFET样管及HEMT器件进行了测量。这些器件的低频噪声具有以下特点:(1)器件低频噪声同器件的偏置状态和几何参数有关,其等效输入噪声电压随源—漏电流和栅偏电压绝对值的增加而增大,但随栅长和栅宽的增加而减小。并发现功率器件噪声较低。(2)GaAs MESFET低频噪声比Si器件大。(3)一般器件的低频噪声谱呈1/f~μ关系,其中α=11;而GaAs MESFET的α在0.5～2之间。(4)HEMT器件的低频噪声同GaAs器件相比稍大。     

其它测量

神经传导速度检测仪的研制(见9908734)小波方法在油井液面检测中的应用(见9908640)AFM/STM 的反馈控制系统研究及其设计(见9908603)地面穿透雷达对煤矿厚度测量的应用(见9908147)测距系统配置中的电磁兼容性(见9907537)     

数字噪声消除器

数字信号在处理和传输过程中,由于电路内部的因素或是外界的干扰,会引起噪声污染数字信号,从而导致系统工作的错误和故障,甚至给用户带来不可估量的经济损失,因此消除数字信号中的噪声是非常必要的。本文介绍的数字噪声消除器只要在知道将要处理的数字信号的一些参数,通过选取合适的电路元件数值,即可清除任何数字信号中的噪声。该数字噪声消除器的电原理图见图(a),它主要由消除(噪声)脉冲发生电路(IC_1和IC_2)、消除(噪声)电路(D触发器)以及外围电路等组     

一种具有纹波消除技术的10 bit SAR ADC

逐次逼近寄存器模数转换器(SAR ADC)在逐次逼近的过程中,电容的切换会使参考电压上出现参考纹波噪声,该噪声会影响比较器的判定,进而输出错误的比较结果。针对该问题,基于CMOS 0.5μm工艺,设计了一种具有纹波消除技术的10 bit SAR ADC。通过增加纹波至比较器输入端的额外路径,将参考纹波满摆幅输入至比较器中;同时设计了消除数模转换器(DAC)模块,对参考纹波进行采样和输入,通过反转纹波噪声的极性,消除参考纹波对ADC输出的影响。该设计将信噪比(SNR)提高到56.75 dB,将有效位数(ENOB)提升到9.14 bit,将积分非线性(INL)从-1～5 LSB降低到-0.2～0.3 LSB,将微分非线性(DNL)从-3～4 LSB降低到-0.5～0.5 LSB。     

GaAs MESFET器件低频噪声机理研究

本文报道了对各种GaAs MESFET和HEMT器件的低频噪声测量和讨论,认为这些器件低频噪声具有以下特点:(1)GaAs MESFET器件低频噪声随器件源、漏电流、负栅压绝对值增大而增大。(2)GaAs MESFET低频噪声一般比硅器件噪声大2～3个数量级。(3)GaAs MESFET低频噪声不是纯1/f噪声,其噪声谱与频率成1/f~a关系,d值在0.5～2之间。 作者首次将高能电子辐照技术用于研究GaAs MESFET器件的低频噪声。通过对辐照前后器件变温噪声测量,并结合DLTS技术和变频C—V等方法,对器件低频噪声产生机理进行了实验探讨。认为GaAs MESFET的低频噪声主要是器件体内深能级陷阱的产生—复合噪声。器件表面特性、结特性对器件低频噪声有影响,但不是主要来源。 作者认为,对短沟道GaAs MESFET器件而言,速度饱和效应对共低频噪声有影响。因而从基本二维泊松方程出发,计入速度饱和区产生—复合噪声对器件低频噪声的贡献,首次得到了正常工作(高源、漏电压)条件下,器件低频噪声的理论计算模型,理论和实验吻合较好。     

测量技术与设备

0211233雷卡1X-AIME CDMA信令测试仪〔刊〕/王红飚//移动通信.-2002,26(1).-63～65(C)电容层析成像系统的电容测量电路(见0211240)未来数字CMOS电路的串扰噪声(见0210701)     

国外简讯

异质结声电荷转移(HACT)器件模式 美国康涅狄克州联合技术研究中心的S.WMerritt在他的文章中描述了根据实验数据而推出的异质结声电荷转移用微弱信号电路模式。该模式包括器件互导、脉冲、噪声及非线性响应。实验数据表明了转移通道内互导及噪声层和静态电流的关系。噪声功率也与输出阵列的电极数目有关。器件工作频率为144MHz时,测得互导为0.2—0.5ms/mm。转移通道内的噪声电流密度与偏流的平方根成正比;输出电路中的噪声功率密度与输出电极数目的平方成正比。文章还叙述了用以预测基于互导的HACT器件的噪声增益,承压点及其动态范围的     

一种基于噪声抵消的0.5μmCMOS宽带低噪声放大器设计

设计了一种应用于DRM(Digital Radio Mondiale,全球数字广播)和DAB(Digital Audio Broadcasting,数字音频广播)的宽带低噪声放大器.该放大器采用噪声抵消结构,抵消输入匹配器件在输出端所产生的热噪声和闪烁噪声,使得输入阻抗匹配和噪声优化去耦.采用华润上华CSMC 0.5μm CMOS工艺实现.测试结果表明,3dB带宽为300kHz~555MHz,最大增益为16.2dB,S11和S22小于-3.6dB,最小噪声系数为3.8dB,输入参考的1dB增益压缩点为0.5dBm,在5V电源电压情况下功耗为97.5mW,芯片面积为0.49mm2.     

Σ—Δ模数转换器基本原理及应用（2）

实际上,模拟滤波器对输入信号具有低通滤波作用,而对噪声分量具有高通滤波作用,因此可将调制器的模拟滤波器的作用看作一种噪声整形滤波器,整形后的量化噪声分布见图7(a)。     

Σ-△模数转换器基本原理及应用(2)

实际上,模拟滤波器对输入信号具有低通滤波作用,而对噪声分量具有高通滤波作用,因此可将调制器的模拟滤波器的作用看作一种噪声整形滤波器,整形后的量化噪声分布见图7(a)。     

一种改进型椒盐噪声滤波算法

针对极值中值(EM)滤波算法在去除椒盐噪声时误检率较大的问题,提出了一种改进的椒盐噪声去除算法.算法由漏检率和误检率都较低的噪声检测过程和多窗口噪声滤波过程组成,对受不同强度噪声污染图像的去噪实验表明,该方法在不同噪声率下均优于传统的中值(SM)滤波法及其一些改进方法,当噪声率达到70%时其峰值信噪比(PSNR)提高了16 dB.     

测量技术与设备

0633122基于TD-BP网络的噪声滤除[刊,中]／李萍／／信阳师范学院学报(自然科学版)．-2006,19(4)．-455-457 (L)为更好地消除噪声,提出TD-BP神经网络拟合未知的噪声信道滤波器,讨论了它的模型与学习算法及其通用逼近性。基于TD-BP神经网络的噪声消除器具有神经网络分布式并行信息处理能力．利用TD- BP逼近噪声,然后抵消噪声得到有用信号,具有较好的鲁棒性和除噪性能。参4 0633123脉冲爆震发动机模型机噪声辐射特性初探[刊,中]／郑龙席／／振动·测试与诊断．-2006,26(3)．-176-180 (C) 0633124基于M／T法直流母线绝缘检测系统的研究[刊,中]／张剐／／电测与仪表．-2006,43(8)．-10-13(D)对直流系统绝缘检测方法及其主要特点进行丁综合分析,提出了基于压频／变换技术和M／T算法的直流系统母线对地绝缘在线检测系统模型,并给出了软、硬件实现方案。参7