日本金属镓的需要量增加

1990年日本GaAs和GaP等化合物半导体单晶市场形势好转,高纯金属镓的消费增加。同和矿业公司金属镓的精制能力成倍提高,现已达年产24吨。此外,从废料中回收已成为专业化,处理4N以下的粗制品也将增至约20吨。     

理事单位简讯

中铝河南分公司高纯镓生产线产能居国内首位中铝河南分公司,依靠自行研制开发的高纯镓提纯和产业化技术,成功设计建造的高纯生产线已经具备年产能5万t规模,居国内同行业首位。中铝河南分司与日本住友化学合作,在采用树脂吸附法从氧化铝生产流程中提取金属镓,并达到年产15t金属镓能力的基础上,自行研制和优选了生产高纯镓的环境净化、纯水制备、原料处理、电解控制、真空蒸馏及冷却设备,完善了规模化生产的自动化操作检测手段,开发了工艺流程合理、技术措施恰当、易于工业实施的高纯镓提纯技术,并在规模化生产上取得技术突破,建成了可一次电…     

高纯钛的生产技术

高纯钛在半导体超大规模集成电路中以钛硅化合物（ＴｉＳｉｘ）、氰化钛（ＴｉＮ）、钨钛（Ｗ－Ｔｉ）等形式用做控制电极、扩散阻挡层、配线等材料,这些都是以薄膜形式使用的．薄膜主要是用溅射方法制备,所以高纯钛是作为溅射靶材使用．在纯度要求上,必须充分除去 Ｎａ, Ｋ等碱性金属, Ｕ, Ｔｈ等放射性元素、Ｆｅ,Ｃｒ,Ｎｉ等重金属元素．另外,随着半导体的微型化,还开发了被称为离子金属等离子的技术,其溅射设备腔体内的各种部件也开始采用与溅射靶同样材质的高纯钛．在生物材料方面,高纯钛丝可用作捆扎材料． 高纯钛的生产…     

利用4.2-300K变温霍尔效应分析半导体纯度

半导体材料的纯度,是半导体材料及器件工作者所共同关心的重要问题之一。但由于半导体材料的纯度已经相当高,因此分析高纯金属的一般方法(如质谱、化学光谱等)往往不能给出较为准确的结果。霍尔效应可以分析各种半导体材料的纯度,给出受主和施主杂质总浓度,指出主杂质是什么元素,并给出电阻率、迁移率等其他重要数据。但它需要比液氮更低的低温条件。     

高纯镓生产现状及前景

介绍了世界上生产高纯镓的几个主要生产厂家及其近年来的发展情况。简述了高纯镓在化合物半导体方面的用途及其重要作用。对镓的开发前景进行了预测。     

从液相外延废液中回收高纯金属镓的工艺

本发明属于液相外延制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体电子材料领域，涉及一种对从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法的改进。在废镓中加入浮游剂去除其中的Zn、As、Te等蒸气压高的杂质。用本发明回收高纯金属镓的杂质含量小于3μg／g，用其生产的外延片的基本参数与采用日本进口高纯镓一致。对液相外延后的废液回收和再利用大幅度降低LED成本，     

当代高纯半导体材料分析的进展（一）

本文评述了1983~1993年半导体硅材料、高纯元素、化合物半导体等高纯半导体材料的分析进展。     

当代高纯半导体材料分析的进展（二）

6N—8N高纯镓、铟、砷、磷、碲、镉、汞等高纯元素是制备化合物半导体材料的基础材料,要求严格控Fe、Al、Mg、Si、Cu、Pb、Cd、Zn、Sn、C、H、O、N、Na、K等杂质浓度,为了确保产品质量,很多国家和企业     

硅氟酸一次电解制取高纯铅

在电子和半导体工业中,制备硫化铅、碲化铅等二元化合物和铅——铋合金超导体材料,都要用高纯铅。此外,它还用于红外探测、原子核和X射线等方面。由于近年来电子工业飞跃发展,高纯铅日益得到广泛的应用。     

以砷为填料AsC1_3精馏法除硒和硫的研究

一、前言 由于制备GaAs等化合物半导体需要基础材料高纯砷,特别是对砷中硒和硫等杂质的含量要求很低,所以,国内外对如何除去砷中的硒和硫进行了大量而系统的研究工作。其方法有十余种之多,例如铅熔池法、生长单晶法、砷的氧化法、As_2O_3升华法、As_2O_3在盐酸中重结     

半导体外延材料导电类型及载流子浓度的简易判定法

本文利用金属—半导体接触的基本理论,发展了一种炉前简易判别化合物半导体外延层导电类型和载流子浓度范围的方法,其准确率为:GaAs和GaInP达100％,GaInAsSb可达90％左右。     

硅氟酸一次电解制取高纯铅

在电子和半导体工业中,制备硫化铅、碲化铅等二元化合物和铅——铋合金超导体材料都要用高纯铅。此外它还用于红外探测、原子核和 X 射线等方面,由于近年来电子工业飞跃发展,高纯铅日益得到广泛的应用。高纯铅制取的途径一般采用火法精炼和湿法提取。湿法电解精炼提取铅,采用的电解质有铅的氟化盐(硅氟酸、硼氟酸)、氯     

Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究

用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S。E。M和电子衍射以及用x射线能谱进行了研究和测量。     

金属嫁的生产、利用现状及存在的问题

介绍了金属镓的分布、生产及利用现状,针对目前国内金属镓存在的问题进行详细探讨,主要包括回收利用少、高纯镓发展弱、再生镓生产落后、镓消耗量低等,建议应加大对镓废料的回收、高纯镓的制备技术以及其高端产品的研究和应用等,以提高高纯镓的产量,减少镓的消耗,扭转我国高价进口高纯镓的局面。     

磷化铟:工艺现状和应用前景(上)

一、前言 GaAs和InP的电子迁移率比硅大,禁带宽度比硅宽,有可能成为比Ge,Si更优越的半导体材料。1963年,继GaAs之后发现了InP的激光作用;同年,在InP和GaAs上都观察到微波振荡,即耿氏效应。但是,由于材料制备工艺困难,InP器件没有进一步得到发展,与此相反,GaAs激光二极管和耿氏二极管却取得了惊人的发展,使GaAs成为占第三位的半导体材料。高压液封直拉工艺和气相、液相外延工艺的发展,使高质量InP晶体的供应成为可能,给深入研究InP材料的性质创造了条件。1970年,Hilsum等首次提出InP导带中的     

国内高纯镓制备技术的研究进展

综述了金属镓的主要提纯方法及其原理、常用提纯技术及其特点、国内高纯镓企业采用的生产技术路线等,并对比了各种高纯镓制备技术的优缺点,指出了高纯镓制备过程中的注意事项。     

冶金部高纯金属、半导体材料分析经验交流会

会议于1979年11月10日至11月20日在杭州召开。科研机构、高等院校、厂矿企业50个单位的107名代表参加了会议。冶金部有色总院和峨嵋半导体材料厂为会议的主持者。大会总结了十五年来全国高纯金属、半导体分析的经验和进展。提出论文报告91篇,座谈了今后高纯分析的发展方向。     

国内MOCVD化合物半导体材料的新进展

金属有机气相沉积法(MOCVD)已受到国内外普遍重视,MOCVD技术所用的关键原材料也已研制成功。近年来,国内采用MOCVD技术在GaAs衬底上已生长出GaAlAs、HgCdTe、ZnSe等异质结材料,以InP、CaF_2作衬底,也生长了某些半导体薄膜材料。     

n型〈100〉掺硫GaP单晶研制

近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999％的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。     

高纯锌的制备及检测技术研究进展

高纯锌是制备化合物半导体材料、精密铸件、还原剂、高纯金属盐和高纯金属有机化合物的重要材料。高纯锌的重要应用依赖于制备和检测技术的发展。围绕超高纯锌产品和高纯锌化学分析两个行业标准，重点介绍了高纯锌的电解法、真空蒸馏法和区域熔炼法等制备方法以及辉光放电质谱法(GD-MS)、电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)、极谱法、氢化物发生-原子荧光光谱法(HG-AFS)、电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)、原子吸收光谱法(AAS)、分光光度法等检测方法。高纯锌的制备需要逐级提纯，包括电解法初级提纯、真空蒸馏法提纯、区域熔炼精炼和超纯化。高纯锌中的杂质元素检测主要采用辉光放电质谱法和电感耦合等离子体质谱法，并辅以极谱法、氢化物发生-原子荧光光谱法、电感耦合等离子体原子发射光谱法等方法作为验证手段和补充。文章可以为高纯锌制备和检测方法的研究者提供相关借鉴和指导。高纯锌制备和检测技术的发展也促进了材料应用领域的拓展，目前高纯锌越来越多在电子信息、生物医药等高新技术领域得到应用。