Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶丝的制备及巨磁阻抗效应

非晶丝的巨磁阻抗效应可应用于微磁传感器.利用旋转水中纺丝法制备了直径为140μm的Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶丝,热处理后的XRD谱表明为非晶结构.在Agilent 4294A阻抗分析仪上测量非晶丝的阻抗在外磁场下随交流电频率的变化.结果显示,样品在不同频率下表现出不同的巨磁阻抗效应,频率为3MHz时,非晶丝的巨磁阻抗变化率最大为270%,对磁场的最大灵敏度达到2.06%/A·m-1.     

退火对FeCo基磁环巨磁阻抗效应的影响

采用铜模吸铸法制备了Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2非晶合金管,切成薄环后,用系列温度对其进行退火处理.然后用X射线衍射仪测试了样品的相组成,用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的磁阻抗.分析了退火温度对FeCo基磁环环向驱动巨磁阻抗效应的影响,发现退火可以显著改善FeCo基磁环样品的环向巨磁阻抗效应,540...     

玻璃包覆层对钴基非晶丝巨磁阻抗效应的影响

分别用机械法和HF酸化学腐蚀方法去除金属芯丝直径为13μm、总直径为47μm的钴基Co68.15Fe4.35Nb1Si11.5B15.0非晶态玻璃包覆丝的玻璃包覆层,发现HF酸腐蚀去除玻璃层比机械法处理过的非晶丝的巨磁阻抗磁场灵敏度要高,HF酸剥离的非晶裸丝的巨磁阻抗最大磁场灵敏度可达ξ=105.02%/(79.6A/m)。HF酸去除玻璃包覆层的微细丝的阻抗效应要比有玻璃包覆层的丝在更低的外部磁场作用下达到巨磁阻抗比的最大值,在频率为f=4.07MHz、磁场强度为Hdc=176A/m处,非晶裸丝的磁阻抗效应达到最大值113.6%,其巨磁阻抗效应的磁场灵敏度ξ=42.9%/(79.6A/m)。     

脉冲电流退火的钴基非晶带环巨磁阻抗效应

将近零磁致伸缩系数的钴基非晶薄带卷成环形后,在16kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,并由环形薄带轴线上的直流电流提供环形磁场,可以获得显著的巨磁阻抗效应.分析了巨磁阻抗效应与激励电流的频率和幅值的关系.结果表明,在低频下阻抗变化率随频率升高而增大,达到特征频率后随频率升高而减小,增大激励电流幅值有利于提高磁阻抗效应.样品在频率为5MHz、峰-峰值5mA交流电流激励下阻抗变化率达55.1%.     

不同磁场退火方式FeZrBCu薄膜巨磁阻抗效应比较

用射频溅射法制备了(Fe88Zr7B5)0.97Cu0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对薄膜磁导率和巨磁阻抗(GMI)效应的影响.姑果表明,纵向和横向磁场退火都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13MHz频率下纵向最大GMI比分别为18.6%和17%;纵向磁场退火后薄膜样品的横向磁各向异性消失,横向磁场退火则能有效增强横向磁各向异性,提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度;磁场诱导的磁导率变化是巨磁阻抗效应变化的主要原因.     

基于Fe基合金薄带巨磁阻抗效应的新型磁敏传感器

利用Fe基合金薄带的巨磁阻抗效应和LC谐振回路特性,研制了一款新型巨磁阻抗磁敏传感器.文中介绍了Fe基合金薄带的巨磁阻抗特性、传感器的电路设计和实验数据分析.实验结果表明,该传感器具有重复性好(最大偏差为0.32%)、几乎无迟滞(最大偏差为0.19%)、线性度好(最大偏差为1.04%)且线性测量范围广(464.86~1488.52 A/m)等优点,在磁场检测和位移测量领域具有广泛的应用前景.     

基于巨磁阻抗效应的新型高灵敏度磁敏传感器

结合材料学与微电子学,利用信号的调制与解调技术,设计制作出一种基于非晶材料巨磁阻抗效应的新型高灵敏度磁敏传感器.该传感器尺寸小,为28mm×15mm×4mm;灵敏度高,达到6.5mV/μT;非线性度小于0.78%F.S.文中介绍了非晶丝的特性、传感器的电路设计和实验数据分析.     

Fe72Co8Si15B5非晶薄带的磁阻抗效应

研究了频率、磁场强度、线圈匝数、薄带长度以及退火对Fe72Co8Si15B5非晶薄带磁阻抗效应的影响.结果表明:非晶薄带的阻抗随着频率的升高、线圈匝数的增多而增大,随着磁场强度和薄带长度的增大而减小;阻抗变化幅度随着频率的升高、磁场强度的增大和线圈匝数的增多而增大,随着薄带长度的增大而减小;退火可以提高非晶薄带的磁阻抗效应.     

几何尺寸对玻璃包覆铁磁合金微丝性能影响的分析及模拟

根据玻璃包覆合金微丝内应力的来源,分析了合金与玻璃层的热膨胀系数差异产生的内应力与玻璃包覆层和合金的杨氏模量、热膨胀系数以及尺寸的关系。通过计算不同合金芯直径和玻璃包覆层厚度时合金微丝不同径向位置处的内应力,建立了理想无限长玻璃包覆Fe基和CoFe基合金微丝的磁畴结构模型。模拟研究了玻璃包覆层厚度与合金芯半径的比值对内应力及磁各向异性的影响规律。结果表明,高饱和磁致伸缩系数和高的玻璃包覆层/合金芯半径比值使玻璃包覆合金微丝具有高内应力,最终导致高的磁各向异性等效场。     

FeNiCrSiB非晶软磁合金薄带的巨磁阻抗效应

研究了ＦｅＮｉＳｒＳｉＢ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗效应。磁阻抗比ΔＺ／Ｚｓ不仅与样品的磁特性有关,而且与交变电流频率ｆ和外加直流磁场Ｈ有密切的关。对退火温度为３５０℃,退火时间为９０ｍｉｎ的样品,在交变电流频率为２ＭＨｚ下,磁阻抗比ΔＺ／Ｚｓ＝（Ｚ０－Ｚｓ）／Ｚｓ最高可达５３．７％。     

Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶薄带的磁感应效应

研究了交流信号电压、直流磁场和限流电阻对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带磁感应效应和磁感应效应变化幅度的影响。结果表明,当信号为正弦交流电时,线圈感应电压也为同频率的正弦交流电压;当信号为矩形脉冲电压时,线圈感应电压则为同频率的尖脉冲电压。当信号为正弦交流电时,磁感应效应随着交流电压幅值的增大而增强,随着直流磁场强度和限流电阻的增大而减弱,磁感应效应变化幅度随着直流磁场强度和交流电压幅值的增大而增大,随着限流电阻的增大呈现出先增大后减小的趋势。     

基于巨磁阻效应的电流传感器密封式聚磁环设计

智能电网的建设离不开先进的传感和量测技术。相对于传统巨磁阻电流传感器聚磁环有开口的情况,文中提出了一种应用于巨磁阻电流传感器上的密封式聚磁环,包括对密封式聚磁环形状与构造、气隙开口大小与凹凸程度的设计,以及对密封式聚磁环所用的材料进行挑选。利用COMSOL Multiphysics对密封式聚磁环的模型进行仿真,对比分析了密封式聚磁环与传统式聚磁环之间的磁场饱和程度,气隙中心磁场均匀度的大小关系。仿真结果表明,密封式聚磁环的聚磁能力是传统开口式聚磁环的764倍,其结构能够使得巨磁阻传感器拥有更低的磁滞,灵敏度比传统开口结构磁环更好,从而可以为现场实时、精确、可靠的电流进行测量;小电流实验验证了密封式聚磁环在微弱磁场下的聚磁效果显著,0.2 A及其以下电流所产生的磁场经密封式聚磁环聚磁后作用于巨磁阻芯片上,密封后巨磁阻芯片输出的电压是密封前的5倍以上。     

HDDR Nd2Fe14B磁粉微结构和磁性能研究

采用未经均匀化热处理的SC(Strip casting)合金铸片为原料制备HDDR磁粉,着重研究了HDDR工艺的歧化阶段和缓慢脱氢阶段的氢气压强对Nd2Fe4B磁粉微结构和磁性能的影响.研究表明:合适的歧化压强(Pd)和缓慢脱氢压强(Psd)不仅有利于磁粉各向异性的获得,同时也有利于磁粉微结构的优化和磁性能的改善.磁粉...