透明导电薄膜材料的研究与发展趋势

本文简述了透明导电薄膜材料的发展现况和趋势,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态.材料设计原理及其应用进行了重点介绍,并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论.     

可用于沉积透明导电氧化物薄膜的柔性衬底研究进展

柔性衬底表面沉积TCO薄膜具有许多独特的优点且应用广泛.但柔性衬底存在不耐高温的缺点,如何选择合适的柔性衬底,在表面沉积TCO薄膜过程中至关重要.简单介绍了各种柔性衬底的相关性能,阐述了当前国内外在该领域中各柔性衬底的研究成果,展望了未来柔性衬底的选择及应用趋势.     

透明导电氧化物薄膜研究进展

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望.     

ITO透明导电薄膜的研究进展

介绍了ITO薄膜的基本特性和透明导电原理,综述了ITO薄膜主要的制备技术及其研究进展,并指出了不同制备方法的优缺点.还对ITO薄膜晶格常数畸变、载流子浓度上限和最佳掺杂量、红外反射率、光吸收边的移动等基础理论研究进展进行了归纳.今后,还需要在低温或室温ITO薄膜的制备、ITO薄膜的导电机理、纳米尺度ITO材料的特性等方面加强研究.     

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2的研究进展

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2因其优异的光电性能成为当今研究的热门材料.本文详细阐述了Nb-TiO2薄膜的光电性能、影响Nb-TiO2光电特性的因素与机理以及目前的研究进展、前沿动态等,着重讨论了载流子浓度及其散射过程对光学透过率和导电性能的影响.     

透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂ITO基InSnGaMo复合氧化物薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高。当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω.cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3×1020cm-3,45 cm2V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92%,特别地,波长为362 nm时,最高透射率可达99%。     

P型透明导电SnO2薄膜的研究进展

SnO2薄膜是一种应用广泛的宽禁带半导体材料.近几年来,随着对SnO2的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,SnO2薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型SnO2是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近年来,国内外在p型SnO2薄膜研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型SnO2薄膜的最高电导率为5.952Ω-1cm-1.并且得到了具有较好非线性伏安特性的铟锡氧化物的透明p-n结.本文就其最新进展进行了综述.     

p型透明导电氧化物薄膜的研究进展

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用.近来在这方面的研究取得了一些突出的进展.本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展.     

特色功能材料--透明导电氧化物薄膜

透明导电氧化物(TCO)是一种特色鲜明的功能材料,以其接近金属的电导率、可见光高透射率、红外区高反射率及其它半导体特性,可应用于平板显示器件、太阳能光伏电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层以及光电子、微电子、真空电子器件等领域.综述了透明导电氧化物薄膜的基本特性、制备方法及应用,并展望了其发展前景.     

AZO透明导电薄膜的制备技术及应用进展

概述了国内外AZO透明导电薄膜的多种制备技术和开发应用进展。详细介绍了磁控溅射、溶胶-凝胶、脉冲激光沉积、真空蒸镀、化学气相沉积等工艺在AZO薄膜制备中的研究现状,并且在对AZO膜与ITO膜性能比较的基础上,指出AZO薄膜的产业化前景好。     

p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征

本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜.X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8 eV.霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关.热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度.当热氧化温度处于(600～700) ℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018 cm-3.     

透明导电氧化物镀膜玻璃的光伏应用前景

一、透明导电氧化物镀膜玻璃简介1.透明导电氧化物镀膜玻璃的定义透明导电氧化物镀膜(Transparent Conductive Oxide,TCO)玻璃,是在平板玻璃表面通过物理或者是化学镀膜的方法均匀镀上一层透明导电氧化物薄膜,主要包括铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)和镉(Cd)氧化物及     

氧化锌透明导电薄膜的制备及其特性

氧化锌薄膜的透明导电特性与化学计量偏离和溅射条件有关。以２％氧化铝掺杂的氧化锌陶瓷作靶,采用ＦＲ磁控溅射技术制备的透明导电薄膜,其电阻率４．５＊１０＾－３Ωｃｍ,载流子浓度２．８＊１０＾２０ｃｍ＾－３,霍尔迁移率１５．８ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ平均透射率大于８０％。     

透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究

采用van-der-Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2O3：Mo)薄膜和ITO(In2O3：Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明，IMO薄膜的载流子迁移率高达100cm^2V^-1s^-1以上，远超过已报导的其他掺杂透明导电氧化物（TCO）薄膜的载流子迁移率；IMO薄膜的载流子有效质量约为电子静止质量的0.35倍；IMO薄膜的高载流子迁移率主要是由载流子受到的散射作用较弱所引起。这无法用通常的掺杂TCO薄膜的载流子散射理论来解释，为此引入复合效应进行分析。在ITO薄膜中，每形成一个电中性复合粒子，就会使两个掺杂的Sn^4 失去贡献载流子的电活性；而在IMO薄膜中，即使一个掺杂Mo^6 与晶格间隙中的一个O^2-结合成复合离子后，该复合离子仍然会贡献出一个载流子，故薄膜中形成的电中性复合粒子数目较少，从而导致价态差为3的IMO薄膜中的电中性复合粒子对载流子的散射远低于价态差为1的ITO薄膜，因此，IMO薄膜有可能获得较高的载流子迁移率。     

退火温度对透明导电InSnGaMo氧化物薄膜性能的影响

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出可见光透过率高、电阻率极低的Ga、Mo共掺杂ITO基透明导电InSnGaMo复合氧化物薄膜，研究了退火温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响。实验结果表明，退火温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响。XRD、SEM和霍尔测试结果表明，随着退火温度的升高，薄膜...     

透明导电氧化物材料的应用与开发

光电子产业已经成为前景最为广阔，发展速度最快的产业，作为产业的基础材料之一，透明导电氧化物材料的地位也将会不断巩固和发展。[编按]     

透明导电氧化锌薄膜的制备

简单回顾了透明导电氧化锌薄膜的发展历程，着重介绍了各种氧化锌薄膜的制备方法和各自的优缺点，以及改进方案和在实际生产中的应用，分析了透明导电氧化锌薄膜存在的问题和解决问题的思路，最后对于氧化锌这种极具替力的材料进行了展望。     

有机-无机透明导电薄膜的研究进展

透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛.以传统的无机氧化物和导电高分子材料制备的导电薄膜虽然电学性能优良,但综合性能不甚理想.通过有机-无机杂化的透明导电薄膜能够借助各组成材料特性的互补作用使复合材料具有出色的综合性能.介绍了透明导电薄膜的种类、用途和特性,综述了有机-无机杂化导电材料在块体材料和透明导电薄膜方面的应用,并展望了其发展前景.     

透明导电聚苯胺复合膜的研究进展

本文主要介绍了透明导电聚苯胺复合膜的几种制备方法及提高透明导电复合膜的透明导电性、耐水、耐化学性的最新研究进展。