退火处理对Y2O3薄膜结构和光学性能的影响

采用射频磁控溅射法以Y2O3陶瓷为靶材在单晶si(Ⅲ)和石英表面制备了Y2O3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-VIS)光谱仪和傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪对真空退火前后Y2O3薄膜的结构和光学性质进行了分析研究.结构研究表明,在200℃条件下制备的Y2O3薄膜为非晶态,经600℃退火后出现单斜相,经800℃退火后薄膜完全转化为立方多晶,同时得到了不同晶面的晶粒尺寸;沉积态的Y2O3薄膜由球状颗粒排列组成,经800℃真空退火后薄膜为柱状晶.光学性质研究发现,真空退火后Y2O3薄膜的红外透过率显著下降;使用Tauc作图法得到不同结晶条件下的光学带隙,发现薄膜的光学带隙与结晶条件有关,并且退火后薄膜的光学带隙明显减小.     

正偏压作用下多弧离子镀ZrO2薄膜的组织结构与力学性能研究

在氧气和氩气的混合气体中,以O2/Ar流量比固定为1/4的条件,通过改变正偏压大小,采用多弧离子镀方法制备了新型高k栅介质——ZrO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了在不同正偏压作用下正偏压值与薄膜的相结构、表面形貌之间的关系,利用纳米压痕仪测量了不同正偏压作用下沉积得到的ZrO2薄膜的硬度及弹性模量,并观察了ZrO2薄膜经不同温度退火处理后的相结构及表面形貌的变化。结果表明,在各个正偏压条件下,薄膜结构呈微晶或非晶;ZrO2薄膜的均方根粗糙度随着正偏压的升高而降低;正偏压为100V时硬度和弹性模量均达到最大值,分别为16.1GPa和210GPa。     

Si（111）基片上Mg2Si薄膜的脉冲激光沉积

采用脉冲激光沉积方法在Si(111)基片上制备了Mg2Si薄膜。研究了激光能量密度、退火气氛及压强、退火温度、退火时间等工艺条件对Mg2Si薄膜生长的影响。用X射线衍射仪分析了Mg2Si薄膜的物相,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明:在激光能量密度为2.36 J/cm2,Si(111)基片上室温、真空(真空度10-6Pa)条件下沉积,在Ar气压强为10 Pa,500℃,30 min条件下原位退火得到了纯相、结构均匀、表面平整、厚度约为900 nm的Mg2Si多晶薄膜。     

不同靶材制备ZrW_2O_8薄膜的对比研究

分别采用摩尔比n(WO3):n(ZrO2)=2.8:1复合陶瓷靶材、纯ZrW208陶瓷靶材以及WO3和ZrO2双靶,以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备ZrW2O8薄膜.利用x射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了退火温度对采用不同靶材沉积制备薄膜的相组成和表面形貌的影响;用划痕仪、表面粗糙轮廓仪测量薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度.试验结果表明:采用不同靶材磁控溅射制备的薄膜均为非晶态,经过不同温度退火后,不同靶材制备的薄膜的相组成和表面形貌有所不同,但在高温1200℃热处理3 min后均得到立方相ZrW2O8薄膜,其中采用WO3和ZrO2双靶交替磁控溅射制备的立方相ZrW2O8薄膜纯度最高,致密度好,且薄膜与基片之间结合力良好.     

热蒸发制备CdSe薄膜的退火工艺研究

采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。XRD结果表明,在400~500℃范围下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不发生改变,结晶性随退火温度升高而增强,其晶粒尺寸从32nm增加至50nm。SEM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜表面颗粒分布均匀且排列规则、无裂纹。AFM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜致密性好,表面粗糙度低(5.19nm)。因此采用真空热蒸发制备的CdSe薄膜的热处理条件确定为:退火温度450℃,退火时间2h。     

非晶Er2O3高 k栅介质薄膜的制备及结构特性研究

采用高真空反应蒸发法在未加热的P型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜足非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er2O3薄膜获得了平整的表面.电容.电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2.这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.     

N掺杂Cu2O薄膜的低温沉积及快速热退火研究

采用氧化亚铜(Cu_2O)陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu_2O(Cu_2O∶N)薄膜,并在N_2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N_2流量和退火温度对Cu_2O∶N薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光电性能的影响。结果显示,在衬底温度300℃、N_2流量12sccm条件下生长的薄膜为纯相Cu_2O薄膜;在N_2气氛下对预沉积薄膜进行快速热退火处理不影响薄膜的物相结构,薄膜的结晶质量随退火温度(450℃)的升高而显著改善;快速热退火处理能改善薄膜的结晶质量和缺陷,降低光生载流子的散射,增强载流子的传输,预沉积Cu_2O∶N薄膜经400℃退火处理后展示出较好的电性能,薄膜的霍尔迁移率(μ)为27.8cm~2·V~(-1)·s~(-1)、电阻率(ρ)为2.47×10~3Ω·cm。研究表明低温溅射沉积和快速热退火处理能有效改善Cu_2O∶N薄膜的光电性能。     

退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响

应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550～950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5 V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA/mm2.     

通过氧化Cu膜制备Cu_2O薄膜

通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。     

V2O5薄膜结构和性能研究

在常温下,用脉冲磁控溅射方法石英玻璃和硅片上制备了薄膜,经过450℃退火,得到V2O5薄膜.用XRD、XPS和AFM对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱.结果表明,V2O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好.室温到320℃范围内电阻变化2个量级,薄膜的光学能隙为2.46eV,与V2O5体材料性能一致.     

兰州重离子加速器前束线真空系统改造

介绍了兰州重离子加速器 (HIRFL)前束线真空系统的基本结构 ,给出了HIRFL前束线真空系统改造前的流导、气体负荷及压力分布情况。提出了具体的改造方案。使真空系统达到了设计要求 :泵口压力小于 5× 10 -6Pa ,两泵中心平面压力小于 1× 10 -5Pa。结果表明HIRFL前束线真空系统的改造方案是可行的     

螺杆式制冷压缩机新技术应用的进展

本文主要就目前市场上推出的螺杆式制冷压缩机新产品作一解剖,综述了许多新技术的应用,以供读者参考。     

布尔函数的Walsh谱的概率意义及其应用

本文揭示了布尔函数的Ｗａｌｓｈ谱的概率实质，对布尔函数的线性逼近的最佳意义作出了概率解释．并利用Ｗａｌｓｈ谱的概率意义进行了谱分析．考察了谱的运算性质。文中的方法和结论对密码设计和分析都是有用的。     

凹回转面可见轮廓线投影图中奇点的分析

本文从理论上对凹回收面可见轮廓线正投科中出现的奇点进行了分析。     

THE DEPENDENCE OF THE COEFFICIENT OF VARIATION OF A WORK-TIME DISTRIBUTION ON THE NUMBER OF ELEMENTS IN THE WORK TASK

In research studies of conveyor-based work, the work-task is often chosen on the basis of experimental convenience. This paper, however, shows that the task itself could be an important parameter in such studies. It is shown that if a work-task is split into two smaller tasks, the relative variability of at least one of the sub-groups must be greater than that of the parent group. This is likely to lead to a decrease in the overall performance of the system.     

浅析西方美学史中美之含义的演变

美的变相有时也被称作美的范畴或者说美的含义,将变相这个术语引入美学并铺设了道路的人是康德,不过从它在美学中通用的用意看,康德的用意实际上是少于亚里士多德的.关于美的含义的研究,瓦迪斯瓦夫?塔塔尔凯维奇对美学思想发展史上的一些基本概念和范畴有一个全面的了解和把握,笔者将结合他对于美的含义的研究从美的类别、术语、概念、规定四个方面对以往美的范畴研究的问题进行了归纳和总结.     

液态铝的润湿性测量

介绍了液态铝的润湿性测量原理,并采用改进的座滴法装置测定了纯铝和Ａｌ－０．５％Ｌａ合金在Ａｌ２Ｏ３表面的润湿性。结果表明,少量稀土元素的加入可以改善铝对Ａｌ２Ｏ３的润湿性,使其润湿角从９０．５°减小到８０．０°。     

ABS树脂合成中影响PB-g-SAN接枝共聚物接枝率的因素

采用种子乳液聚合方式，以K2S2O8为引发剂引发聚合，合成了一系列PB-g-SAN接枝共聚物。考察了引发剂用量、分子量调节剂(TDDM)用量和橡胶(PB)含量对PB—g—SAN接枝共聚物接枝率的影响。并将K2S2O8引发剂与氧化—还原引发体系做了比较。结果表明，随氧引发剂K2S2O8用量逐渐增加，PB-g-SAN接枝共聚物的接枝率逐渐降低。引发剂用量大少时，不能满足聚合要求，PB—g-SAN接枝共聚物的接枝率也会降低．随着分子量调节剂(TDDM)用量的增加，PB-g-SAN接枝共聚物的接枝率逐渐降低。随胶含量的增加，PB-g-SAN接枝共聚物的接枝经逐渐降低．采用氧化—还原引发体系引发聚合有利于接枝反应的进行，在PB含量相同时，采用氧化—还原引发体系合成的PB-g-SAN接枝共聚物的接枝率比采用K2S2O8合成的接枝共聚物接枝率高。     

多层压配组合圆筒有限元分析的简化

多层压配组合圆筒问题常常是轴对称的,且结构的接触边界不变,摩擦的影响可忽略。利用其简单的变形协调关系,可大大简化其有限元分析的过程、减少占机时间、提高计算精度。     

扇聚焦回旋加速器（SFC）真空室改造

介绍了兰州重离子加速器的注入器SFC真空室的基本情况,为满足新建的放射性束流线RIBLL和冷却储存环CSR对HIRFL加速重离子的需要,对SFC真空室进行了改造.新真空室采用二次真空技术,在加速器中心平面真空度达到了8×10-6Pa.