共查询到20条相似文献,搜索用时 66 毫秒
1.
2.
退火温度对TiO2薄膜结构和表面形貌的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了退火温度对中频交流反应磁控溅射技术制备的TiO2薄膜结构和表面形貌的影响。利用X射线衍射 仪和原子力显微镜,检测了TiO2薄膜的晶体结构和表面形貌。实验结果显示:沉积态TiO2薄膜为非晶态;低温(700℃以下)退火后,TiO2薄膜出现锐钛矿相,晶粒长大不明显;高温退火(900℃以上)后,薄膜转变为金红石相,晶粒由柱状转变为棱状,并迅速长大至微米量级。 相似文献
3.
4.
5.
6.
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06BaTiO3(BNT-BT6)薄膜,研究了不同退火时间对其微结构和压电性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明,制备的BNTBT6薄膜为钙钛矿型铁电薄膜,随着退火时间的延长,晶粒尺寸略有增加。原子力显微镜(AFM)结果表明,制备的薄膜表面比较平整、无裂缝。随着退火时间的延长,薄膜的粗糙度有所增加。在退火时长为60min时薄膜表面具有最佳的均一性,在退火时间为90min时薄膜均一性最差;优化退火时间,可提高薄膜结晶程度,避免焦绿石相的生成,进而提高BNT-BT6薄膜压电性能。压电力显微镜(PFM)结果表明,BNT-BT6薄膜的电畴为多畴结构。在不同退火时间下均有明显的压电响应,特别是在退火时间为60min时,BNT-BT6原始电畴有着最高的振幅强度。在30min、40min、60min和90min退火时间时,其平均压电系数d33分别为48pm/V、157pm/V、186pm/V和142pm/V。 相似文献
7.
利用溶胶-凝胶法制备出ZnO的凝胶前驱膜,用电子束退火取代传统炉子退火,对前驱膜进行后处理,退火时固定电子束加速电压为10kV,退火时间为5min,调节聚焦束流和电子束束流,使退火温度在600~900℃范围内变化。扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和压电力显微镜(PFM)的测试结果表明,运用电子束退火法可制备出晶粒尺寸小于30nm、沿(002)择优取向、具有压电效应的六方ZnO薄膜,且随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐变大,薄膜的结晶性和取向变好,压电效应越来越明显。 相似文献
8.
采用sol-gel旋涂法在抛光硅〈111〉晶面生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。DSC以及XRD测试结果显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响。SEM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50~100nm,并显示出良好的C轴择优取向。 相似文献
9.
退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏特性的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响.结果表明,采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn7Sb2O12及ZnCr2O4相,且在退火温度范围内(550~950℃)基本上没有焦绿石相形成.当退火温度达到750℃以后,Sb2O3已全部转变为稳定性好的尖晶石相,同时存在Bi2O3、ZnO的挥发.采用适当的退火温度,可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,其压敏电压低于5 V,非线性系数可达20,漏电流密度小于0.5μA/mm2. 相似文献
10.
采用溶胶-凝胶法(sol-gel)在普通载玻片上制备了ZnO∶Al薄膜,在200~600℃下退火.利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,退火温度在300℃以上,薄膜开始结晶,400℃以上,薄膜出现明显结晶,且沿(002)方向择优取向,随着退火温度升高,(002)峰的强度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增加;薄膜在可见光范围内的透过率均>85%以上,退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高,光学带隙在3.32~3.54eV,且随着温度的升高而降低;薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低,但是仍较高,在103俜cm量级. 相似文献
11.
采用纯 Zr、添 Y_2O_3的 ZrO_2和添 MgO 的 ZrO_2为靶材,以射频溅射方法生成 ZrO_2薄膜。研究了这三个系列薄膜的物相结构,以及退火和研磨对物相结构的影响。研究表明,ZrO_2薄膜为单斜相,Y-ZrO_2和 Mg-ZrO_2薄膜为单斜相和正方相,且以正方相为主。它们的退火规律也各不相同,这与稳定剂的加入与性质有关。同时研磨并未诱导正方相向单斜相的转变。 相似文献
12.
13.
14.
15.
为制备高性能TiO2光学薄膜,采用离子束辅助,电子束蒸发沉积的方法,研究不同真空度对薄膜性能的影响。真空度随真空室内通氧量增大从1.3×10-3Pa变化到2.5×10-3Pa,得到不同光学和结构特性的TiO2薄膜。采用分光光度计测试其光谱,SEM测试其表面形貌。测试结果发现,TiO2薄膜的透过率峰值随真空度降低而增大,折射率和消光系数随真空度降低而减小,薄膜表面形貌随真空度降低从致密变粗糙。在真空度2.0×10-3Pa的工艺条件下,成膜质量最佳,此时最大透过率92%,折射率在2.45~2.20之间,消光系数在10-4以下。根据Cauchy公式拟合其色散规律,拟合曲线和采用包络法计算得到的曲线较好重合,折射率随波长的变化公式为n(λ)=2.12+5.69×104/λ2+8.07×107/λ4。 相似文献
16.
:本文用XRD、SEM等分析手段 ,对用Sol -Gel法制备的Gel膜在不同热处理条件下处理后的KTN薄膜进行分析。发现热处理的气氛、升降温速率、烧结温度对薄膜的结构和形貌影响很大 ,并对其的影响进行了分析讨论。在合适的热处理条件下 ,在SrTiO3 ( 1 0 0 ,1 1 1 )衬底上制备出了高取向、晶粒大小均匀、排列紧密、纯钙钛矿结构的KTN薄膜 相似文献
17.
18.
19.
20.