新型高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4447

Linear Technology推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。该驱动器加上功率MOSFET和一个凌力尔特公司的DC／DC控制器,就可组成一个完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型DC/DC转换器。     

单片同步整流芯片中功率MOSFET分析及电路仿真

同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术。遵循转换效率最高原则．使用器件结构仿真软件Medici对同步整流DC-DC变换器中的功率MOSFET进行结构分析，并得出选择建议。同时在Cadence中对同步整流技术相关电路进行仿真分析，得到了同步整流技术中的功率器件优化结果和外围线路结构。     

凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器加上功率MOSFET和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器,就可组成一个完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型DC/DC转换器。     

一种新型的高效率高压同步整流电路设计

设计了一种用于AC-DC电源适配器的同步整流电路,集成了同步整流控制芯片、功率MOSFET和储能电容.该新型整流电路在无外部供电、无外部驱动信号、无外围元件的条件下能快速精确地开关功率MOSFET,实现同步整流功能.相比传统肖特基整流电路,该整流电路效率较高,外围器件少,适用范围宽.该同步整流电路芯片采用0.35μm高...     

绛压式DC／DC转换器的MOSFET选择

同步整流降压式DC／DC转换器部采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路，但用户的使用条件经常与典型应用电路不同，要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。     

元器件与组件

60V及75VAC／DC同步整流功率MOSFET IRFB／S／SL3206、3306、3207Z和3307Z MOSFET系列通过改善AC／DCSMPS应用的RDS（on）来提高同步整流功能。与以前的业界标准相比，该器件通过降低RDS（on），可使功率密度提高达百分之十。     

凌力尔特推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。     

电源

美国国家半导体推出PWM控制器；凌力尔特DC-DC控制器驱动N沟道MOSFET；IR最新优化的60V及75V AC-DC同步整流功率MOSFET；具备挂起模式的高精度电池电量计；安森美推出应用微处理器电源单元；[编者按]     

同步整流式DC-DC电源变换器LM5025

<正> 同步整流技术是采用通态电阻极低的功率 MOSFET来取代整流二极管,因此大大降低整流电路的功率损耗,提高 DC-DC 变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。LM5025是 NS 公司推出的一款应用同步整流技术的正激式变换器 IC。利用它可直接构成高效率、低功耗、高可靠性、低压输入的 DC-DC 变换器,供通信、汽车和工业等设备使用。     

电源管理

德州仪器推出1．5A最高效率降压转换器；IR推出AC-DC同步整流功率MOSFET；Analogic Tech推出的DC／DC降压转换器；Microchip推出新型数字信号控制器；凌特推出大功率DC／DC降压型控制器。     

一种新型降压式同步整流开关电源设计

设计了一种同时应用同步整流和ZVT软开关技术的新型开关电源变换电路。在整流部分应用阻抗更小的MOSFET代替传统二极管实现了同步整流。采用软开关技术实现了开关管的导通或关断时,在零电压或零电流条件下完成。同时,利用PSIM软件对所设计的拓扑结构进行了模拟仿真,仿真结果表明,所设计的电路有效提高了变换器的整体效率,并减少了物理器件损耗。     

Analysis of abnormal phenomena caused by synchronous rectifiers ina paralleled converter system

Problems of synchronous rectification in a parallel-module DC-DC power converter system are described. These include excessive power dissipation due to the bidirectional current flow capability of MOSFETs and abnormal oscillation due to the cross coupling of the MOSFETs used as synchronous rectifiers. The abnormal oscillation, which causes excessive voltage stress, is analyzed; the results of which are subsequently confirmed by experiment. Methods for solving the abnormal oscillation problem are discussed     

同步整流的基本原理

同步整流技术采用通态电阻极低的电力MOSFET来取代整流二极管,能大大降低整流电路的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流器的需要.本文从分析《电力电子技术》教材中同步整流电路的原理图着手,介绍了电力MOSFET的反向电阻工作区及同步整流技术的基本原理,并对同步整流电路中的驱动电路和栅极电压波形进行了分析.     

Low output voltage AC/DC converter with a new scheme of synchronous rectification that complies with IEC 1000-3-2 regulations

The aim of this paper is to study the performance of an AC/DC converter with low output voltage and low input current harmonic content. In order to obtain low output voltages with a high efficiency, synchronous rectification is mandatory. When the output voltage is low, it is very difficult to use self-driven synchronous rectification and additional windings are used to properly drive the metal oxide semiconductor field effect transmitters (MOSFETs). Besides this, IEC 1000-3-2 regulations impose low input current harmonic contents for power levels higher than 75 W. In this paper, a recently proposed synchronous rectification scheme is combined with a modified input current shaper to design a 100 W, 3.3 V AC/DC converter that complies with IEC 1000-3-2 regulations. The efficiency obtained in the prototype was very high for this application (86%) and both the size increase and the cost increase were quite low in comparison with the original topology with no synchronous rectification and no IEC 1000-3-2 compliance.     

开关电源技术发展综述

随着电力电子技术的迅速发展,高频开关电源已被广泛应用于计算机、通信、工业自动化和航天航空等领域。从硬开关技术、软开关技术、同步整流技术、数字控制技术、复合结构技术等开关电源的五个技术发展阶段,对高频开关电源技术的发展路径进行了阐述,总结了各种技术的特点,并展望了开关电源技术的发展方向。     

倒装芯片集成电力电子模块寄生参数的建模

采用球栅阵列芯片尺寸封装技术和倒装芯片(Flip Chip,FC)技术构建了半桥集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM),半桥FC-IPEM实现三维封装结构。采用阻抗测量法提取模块寄生电感和寄生电容,建立模块的寄生参数模型,对模块进行电气性能测试。结果表明:半桥FC-IPEM构成的同步整流Buck变换器输出滤波电感中的电流波动幅度小于0.6A。     

一种高效率反激同步整流DC-DC

目前,小型机载电子设备对二次电源体积、输入电压范围、输出电压种类、功率及效率的要求越来越高。基于单端反激拓扑和辅助绕组自驱动同步整流结构,设计了一种多路输出DC-DC电路。分析了多路电源的损耗组成、影响因素和解决措施,以指导电路设计和元器件选型,最终确定系统设计方案。重点对反激变压器设计、同步整流驱动设计和同步整流轻载损耗较大的原因开展分析和研究。实验电路测试结果表明,设计的反激同步整流DC-DC电路满足指标要求。     

同步整流技术的研究

介绍了同步整流技术的基本原理,结合具体电路,对栅极电荷保持技术在有源箝位正激变换器中的应用作了分析;阐述了同步整流芯片IR1176在正激变换器中的应用。     

Lateral power MOSFET for megahertz-frequency, high-density DC/DC converters

DC/DC converters to power future CPU cores mandate low-voltage power metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with ultra low on-resistance and gate charge. Conventional vertical trench MOSFETs cannot meet the challenge. In this paper, we introduce an alternative device solution, the large-area lateral power MOSFET with a unique metal interconnect scheme and a chip-scale package. We have designed and fabricated a family of lateral power MOSFETs including a sub-10 V class power MOSFET with a record-low R/sub DS(ON)/ of 1m/spl Omega/ at a gate voltage of 6V, approximately 50% of the lowest R/sub DS(ON)/ previously reported. The new device has a total gate charge Q/sub g/ of 22nC at 4.5V and a performance figures of merit of less than 30m/spl Omega/-nC, a 3/spl times/ improvement over the state of the art trench MOSFETs. This new MOSFET was used in a 100-W dc/dc converter as the synchronous rectifiers to achieve a 3.5-MHz pulse-width modulation switching frequency, 97%-99% efficiency, and a power density of 970W/in/sup 3/. The new lateral MOSEFT technology offers a viable solution for the next-generation, multimegahertz, high-density dc/dc converters for future CPU cores and many other high-performance power management applications.     

基于UCC2897有源正激多路输出电源

随着电力电子技术的飞速发展,各类软开关技术应运而生。文章基于电流控制型芯片UCC2897应用有源箝位技术设计出了一种多路输出的同步整流开关电源。该电源具有过流保护,过压和欠压保护。文中详细介绍了UCC2897的功能和电路设计过程,并采用变压器堆叠绕法和输出比例取样来提高调整率。