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相似文献
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1.
以55%PbO(摩尔分数)作熔剂,BaTiO3为成核剂,采用高温熔剂法加底部冷却技术成功生长了PZNT91/9单晶,其最大晶体尺寸达15 mm×13 mm。X-射线衍射(XRD)分析表明晶体为纯钙钛矿相,其显露面为立方晶形(100)面族。热释电研究表明单晶在69℃发生三方-四方相变,在174℃发生四方-立方相变。单晶的压电性能测试结果为:平面和厚度机电耦合系数分别为0.69、0.49;压电常数d33为1 330 pC/N;在13.6 kV/cm电场下应变达0.312%。  相似文献   

2.
本文详细介绍了用 LEC 法生长 InP 单晶时,利用“热场杂质效应”生长出载流子浓度在1~30×10~(17)cm~(-3)范围内可控,位错密度为0~10~4cm~(-2)、直径≤40mm 的 InP 单晶。得到一种显示固液界面的新方法。论证了构成位错蚀坑晶面的空间取向,计算出有孪晶出现时,寄生晶体的生长方向偏离〈111〉方向38°56′,寄生生长面为{115}面。  相似文献   

3.
以PbO作助熔剂采用高温溶液法生长出Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,利用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体相结构和生长形貌。研究结果表明,采用高温溶液法生长出纯钙钛矿相结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,晶体多为淡黄色,较小的呈赝立方形态,较大晶体逐渐趋于不规则形态,最大尺寸达4mm×4mm×3mm。晶体中存在位错蚀坑和PbO包裹等生长缺陷,生长过程中的温度波动和成分起伏等因素导致这些缺陷的出现。晶体{100}面生长速率最慢能成为热力学上稳定存在的自然显露晶面,晶体的生长机制为二维成核层状生长。  相似文献   

4.
以PbO作助熔剂采用高温溶液法生长出Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,利用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体相结构和生长形貌。研究结果表明,采用高温溶液法生长出纯钙钛矿相结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,晶体多为淡黄色,较小的呈赝立方形态,较大晶体逐渐趋于不规则形态,最大尺寸达4mm×4mm×3mm。晶体中存在位错蚀坑和PbO包裹等生长缺陷,生长过程中的温度波动和成分起伏等因素导致这些缺陷的出现。晶体{100}面生长速率最慢能成为热力学上稳定存在的自然显露晶面,晶体的生长机制为二维成核层状生长。  相似文献   

5.
本文报道用SEM观察研究R-Ba-Cu-O(R为Y、Gd、Tm)超导单晶的形貌、生长习性、生长台阶,并讨论了单晶生长过程。这些结果对超导单晶生长研究具有重要意义。高温氧化物超导单晶RBa_2Cu_3O_x是用自助溶剂法生长的,Tc(zero)为91K。图1为充分发育的超导单晶的形貌照片。(a)为YBa_2Cu_3Ox(b)为GdBa_2Cu_3O_x,(c)为TmBa_2Cu_3O_x。可见,发育良好的Y系超导单晶外形的矩形片状,具有相交为90°的方角。晶体外形反映了晶体的对称性——正交结构。显露的晶面为(100),(010),(001)等。其中(001)面最大,说明晶体沿C轴方向生长速度最慢。图2为发育初期的晶体,  相似文献   

6.
本文报告了碲镉汞晶体的生长方法,并对我们做的六种生长工艺作了比较。着重介绍用Te作熔剂生长高质量组分均匀Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的实验工艺,以及对所得结果进行分析讨论。所得晶锭中段组分比较均匀,且与预定值相近。单晶经切片退火后,在77K时电子浓度可达到3×10~(4)(厘米~(-3)),迁移率可达10~5厘米~2伏~(-1)秒~(-1),用这样的晶体制成的光导、光伏器件D_(bb~*均可达到6×10~9厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)。光伏器件不需要加偏压。响应率较大,可达10~3伏·瓦~(-1)。  相似文献   

7.
本文报导了将加速旋转坩埚技术布里奇曼法应用于碲镉汞单晶的生长工艺中,获得了性能优良的原生n型晶体。对于x值力0.19~0.22的φ12晶片,组份均匀性为±0.0025,77K下载流子浓度小于4×10~(14)cm~(-3),迁移率高达2.8×10~5cm~2/V·s  相似文献   

8.
采用助熔剂法生长了GaPO4晶体。热重-差热(TG-DSC)分析得到晶体的熔点为1 070℃,采用紫外-可见分光光度计测量了晶体的室温紫外-近红外透过谱,采用红外光谱分析仪测量了晶体的红外透过谱。结果表明,GaPO4晶体透光波段很宽,采用助熔剂法生长晶体有效地抑制了晶体中OH-基团的产生。  相似文献   

9.
采用熔盐法从PbF_2—PbO—B_2O_3三元系高温溶液中生长出掺Cr~(3 )的BeAl_2O_4单晶,通过严格控制降温速率(约2℃/小时)和熔剂成份的摩尔比值(45P_bF_2:45P_bO:10B_2O_3)获得了尺寸达10×4.5×4.5mm~3的块状透明晶体。 在5K.77K和300K不同温度下测量了Cr~(3 ):BeAl_2O_4单晶的非偏振吸水谱、荧光谱和激发谱(T=300K),首次由实验确定出在C_(1h)低对称场微扰下Cr~(3 )离子的~2T_1和~2T_2能级分裂出的三个亚能级的位置。  相似文献   

10.
本文有针对性地考察了碲镉汞3~5μm12元光导探测器平均电阻R与材料电阻率ρ的关系。碲镉汞材料主要用快速淬火固态再结晶法生长,为与其比较,也少量使用了T_e熔剂和布里奇曼法料。退火的晶片厚度约1mm,77K霍尔数据表明,N型材料占被统计数(122片)的88%,材料参数多数为n=8×10~(14)~8×10~(15)cm~(-3)、μ=1×10~3~5×10~4cm~2/  相似文献   

11.
激光晶体的研究领域当前又重新显现出空前活跃景象。就其发展方向可归结为LD泵浦激光晶体的探索,以及新波长激光材料和可调谐激光晶体的研究。扼要论述了近年来激光晶体的研究现状与发展方向。  相似文献   

12.
光响应液晶嵌段共聚物综合了光响应性液晶和嵌段聚合物两类材料的优异特性,是一种多功能性的新型材料。其中以偶氮苯为代表的光响应基团作为液晶基元的嵌段共聚物是其目前研究的主体。本文对光响应液晶材料和嵌段聚合物分别做了简要介绍,阐述了它们各自的优势和特点。对于光响应液晶嵌段共聚物的光响应机理、相分离过程和有序化调控手段进行了重点探讨。在此基础上,介绍了其在光子学、有机纳米模板和聚合物胶束等方面的研究进展。  相似文献   

13.
报道了在N2+He(30%~50%Vol)气氛中用提拉法成功地生长了Nd∶GdVO4晶体。激光实验中,LD泵浦功率为350mW,采用端泵方式获得波长为1060nm的激光输出,TEM00基模方式运行,阈值泵浦功率为95mW,输出功率为13mW,斜效率为5%。  相似文献   

14.
李海林  武欢  王瑞 《压电与声光》2020,42(2):203-206
由于传统的晶体生长设备不具备加料功能,在晶体生长过程中无法进行原料补充,所以最终的晶体尺寸通常受制于坩埚和设备大小。而更大尺寸的坩埚和设备成本高,这制约了大尺寸晶体的研究和发展。该文设计了一种自动加料系统,可根据已生长的晶体质量向坩埚内补充同等质量的原料,确保坩埚内固-液界面保持不变,从而实现小坩埚生长大尺寸晶体的目标,提高了设备利用率,节约了能源,降低了生产成本,促进了大尺寸晶体的发展。  相似文献   

15.
Na_5Tb(WO_4)_4晶体的光谱特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
姚连增 《中国激光》1991,18(10):796-800
A_5Re(WO_4)_4(A为碱金属,Re为稀土元素)是一类高稀土浓度、低猝灭、高效基质发光材料,由于发光中心浓度高,有可能成为优良的激光材料。 本工作是在已有工作的基础上,继续研究不同稀土元素的Na_5Re(WO_4)_4晶体的光谱特性,旨在寻找更优良的发光晶体,为进一步研究它们的激光性能做准备。  相似文献   

16.
范志新 《现代显示》2009,20(1):6-12
回顾液晶科学和液晶显示技术的发展历程,盘点液晶科学和液晶显示产业的辉煌成就,列数为液晶科学和液晶显示产业做出贡献的国内外液晶领域科学家,赞叹液晶把世界显示得缤纷多彩,介绍《现代显示》杂志和河北工业大学应用物理系为中国液晶显示事业所尽的微薄贡献。  相似文献   

17.
光子晶体光纤的非线性特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
较全面地介绍了有关光子晶体光纤非线性特性最新的理论和实验进展,其中包括关于两种基本类型的光子晶体光纤非线性特性的各种实验现象及理论分析,并探讨了基于非线性特性的全光纤器件的广阔应用前景。  相似文献   

18.
详细阐述了最近几年基于材料填充的可调光子晶体光纤器件的研究进展,以及发展可调光子晶体器件的重要意义。并根据调制方法的不同,进行了归类介绍:热调器件,电调器件,光调器件。对基于材料填充的可调光子晶体光纤器件的前景进行了展望。  相似文献   

19.
姚鸿康  张永红 《激光与红外》1992,22(6):18-20,42
本文报导生长Nd:MgO:LiNbO_3晶体的工艺条件及在法国的应用,测试了晶体的吸收光谱及荧光光谱,实现了晶体具有低阈值、高斜率效率的连续激光输出及锁模调制等激光特性。此晶体已为法国用于制得波导激光器、波导放大器和FM锁模波导激光器。  相似文献   

20.
我们用缓慢升温法首次成功地研制出非铁电性的二元系压电晶体Al_(0.88)Ga_(0.12)PO_4。利用原子光谱吸收、卢瑟福背散射及X射线粉末衍射对其组分及其结构进行了测定。  相似文献   

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