传输线压控振荡器

一个现代化的数字式频率合成器,其性能的好坏,主要取决于其相位噪声的大小,而它在很大程度上取决于频率合成器中的压控振荡器(VCO)本身相位噪声的优劣。设计和制造出低相位噪声的 VCO 就成为设计制造频率合成器的一个关键问题。一、电路的主要技术要求对于锁相环中的 VCO,一般应考虑以下几个方面的要求:(1)频率变化范围必须满足锁相环所要求的输出范围,并要有一定的余量。(2)频率稳定度要求长期慢漂移不超过锁相环的同步带,对取样环更不能超过±f_r/2(f_r为参考脉冲频率)。(3)要求 VCO 的相位噪声 S_((?)VCO)越小越好。(4)希望输出频率随输入电压的变化尽可能是线性的,因为如果 VCO 电压频率特性是非线性的,阻尼系数ζ与环路固有频率ω_n 就会随     

一种线性RC压控振荡器的设计

基于LLC串联谐振芯片的应用,提出了一种线性RC压控振荡器.在传统RC振荡器的电容上叠加一个压控电流源,实现了频率受电压线性控制.仿真结果表明,该电路在典型参数下振荡器频率范围为140～280 kHz,在-40℃～125℃温度范围内可保持正常工作,且可通过外部电阻电容进行设置.该振荡器已被应用于脉冲频率调制模式下工作的LLC串联谐振芯片.     

一种展宽压控振荡器频率覆盖的新方法

以一个频率覆盖３０ＭＨｚ的高频权电容编码压控振荡器为例，介绍了用权电容编码方法展宽普通ＬＣ压控振荡器频率覆盖的原理和技术，并介绍了这种权电容编码压控振荡器在频率合成器中的应用技巧。     

小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿，进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构，改为对管壳封装的集成ＶＣＯ进行局部恒温，讨论了对温度漂移有影响的关键因素，通过合理设计，达到了要求的技术指标，实现了小型化。     

一种展宽压控振荡器频率覆盖的新方法

以一个频率覆盖30MHz的高频权电容编码压控振荡器为实例,详细介绍了用权电容编码方法展宽普通LC压控振荡器频率覆盖的原理和技术。并介绍了这种权电容编码压控振荡器在频率合成器中的应用技巧。     

小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿 ,进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构 ,改为对管壳封装的集成 VCO进行局部恒温 ,讨论了对温度漂移有影响的关键因素。通过合理设计 ,达到了要求的技术指标 ,实现了小型化。     

一种适用于LED驱动电路的压控振荡器的设计

锁相电路在多路LED驱动芯片中得到了普遍地应用,压控振荡器是锁相电路的关键组成部分。文中采用弛张振荡器的原理提出了一种电压调节范围宽、增益线性度高和具有极低功耗的压控振荡器（VCO）电路结构,并基于0.5μm的CMOS工艺对该VCO进行了设计。仿真结果表明在引入60Hz摆幅为0.5V的电源噪声的情况下,其频率抖动在2%以内,电路平均功耗在1mW左右,满足LED驱动的应用。     

闭环压控振荡器的设计

压控振荡器在许多电子设备中得到应用。平显火控系统中的f_d信号发生器实际上可以认为是一个压控振荡器。其输入信号是—控制电压即频偏调制电压,输出是频率与输入电压成线性关系的正弦波。开环压控振荡器对于输出频率与输入电压之间的线性关系难以保证。现在采用的ICL8038是一集成压控振荡器,其线性度在10倍程的频率范围内较好,而在更大范围内则有所下降。另外,该器件输出频率的温度稳定性不够高,特别是国产5G8038尽管价格较进口的ICL8038便宜近十倍,但温度稳定性更差。本文介绍一种闭环压控振荡器电路,以稳定输出频率与输入电压间的线性度。     

一种施密特触发器型压控振荡器的设计与仿真

传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18 μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。     

一种结构新颖的压控环形振荡器

提出了一种新颖的压控环形振荡器的电路实现结构,着重分析了该压控振荡器的线性度。该电路全部由ＭＯＳ管实现,因而易于集成在先进的片上系统中。该线性环 振荡器是片上天线无线通讯测试系统的一个部分,用特许半导体公司的０．６μｍＣＭＯＳ数字工艺实现。     

一种CMOS旋转行波压控振荡器

采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种基于微带传输线的旋转行波压控振荡器(RTWO)。采用λ/4差分传输线代替传统交叉耦合反相器对的PMOS负载管;通过电磁场建模并优化,获得了高Q值的谐振腔模型,提高了RTWO电路的振荡频率;解决了RTWO电路旋转波形不确定的问题,电路能逆时针起振旋转。该旋转行波压控振荡器的电路版图尺寸为980 μm×1 150 μm。在1.2 V电源电压下,电路输出波形相邻相位差为45°,功耗为24 mW。振荡频率调谐范围为14.06~14.73 GHz,压控电路振荡于14.5 GHz时,其相位噪声为-95 dBc/Hz@1 MHz。     

一种1GHz多频带压控振荡器的设计

基于3.3V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS体硅工艺,设计了一款1GHz多频带数模混合压控振荡器.采用环形振荡器加上数模转换器结构,控制流入压控振荡器的电流来调节压控振荡器的频率而实现频带切换.仿真结果表明,在1V～2V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为823.3MHz～1.061GHz,且压控振荡器的增益仅有36.6MHz/V,振荡频率为1.0612GHz时,频率偏差1MHz处的相位噪声为-96.35dBc/Hz,在获得较大频率调节范围的同时也能保持很低的增益,从而提高了压控振荡器的噪声性能.     

一种38.4~43.4 GHz CMOS压控振荡器

设计了一种基于65 nm CMOS工艺的交叉耦合全差分40 GHz压控振荡器(VCO)。为了减小仿真结果与测试结果的差距,对电感及其连接其他元件而延长的金属线在电磁场仿真软件里重新进行了仿真。设计中应用了厚栅容抗管来增大电压的调谐范围,从而实现更高的频率覆盖范围。流片后的测试结果表明,VCO的振荡频率覆盖38.4~43.4 GHz,调谐范围达到12.2%,符合基于无线局域网IEEE 802.11ad标准设计的两级下变频60 GHz无线收发机对本振频率的要求。当振荡频率为39 GHz时,应用该VCO的锁相环锁定在41.76 GHz时测得1 MHz偏移频率处的相位噪声为－90.9 dBc/Hz。芯片采用1 V电源电压供电,功耗为5.7~8.6 mW,核心芯片面积为(0.197×0.436) mm²。     

8-12GHz场效应管压控振荡器

<正>WZB862型高稳定度8-12GHz场效应管压控振荡器已研制成功并获得应用.该振荡器由砷化镓微波场效应管和砷化镓超突变结变容管组成,根据整机需要,兼有电调频带宽、调谐速度快、线性较好、工作稳定、直流至交流的转换效率高的特点,可用于各种微波系统中作为宽带振荡源.     

900MHz压控振荡器

９００ＭＨｚ压控振荡器卿忠一、概述９００ＭＨｚ个人无线电台采用多信道共用体制，自动搜索选取空闲信道，实施无控制中心移动通信。其性能优良，成本低廉。我国用户和研制生产单位对这一新系统极为关注。为实现９００ＭＨｚ频段移动通信，关键之一就是研制一个输出频谱...     

微波压控振荡器的发展与选用

介绍微波压控振荡器的发展情况和性能参数的特点及选用时应注意的问题。