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GaAs器件及MMIC的可靠性研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
来萍 《固体电子学研究与进展》1995,15(4):381-390
介绍了国外GaAs微波器件及MMIC的可靠性研究进展情况,给出GaAsMESFET、HEMT和MMIC的主要失效模式和失效机理以及在典型沟道温度下的平均寿命代表值。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1995,(1)
世界固体电子新闻用于便携式电话的放大IC据1994年第607期报道,日本三菱电机公司所制成的MGF7109放大IC是用于便携式电话的发射功率放大级,其电源电压为+3.4V,典型的饱和输出功率为31dBm(约1.2W)。该IC为两个GaAsMESFET... 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(3)
采用图像抑制有源HEMT混频器的60GHzMMIC下变频器(lEE1994MicrowaveandMM.W。Monol.Clrc.Symp.)报道,日本TamiaSaito等用AIGaAs/GaAsHEMT工艺技术设计、制作出一种V波段单片下变频器。... 相似文献
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本文给出了一种利用GaAs MESFET负阻特性实现的微波单片有源滤波电路,并考虑到MMIC工艺兼容性,提出了一种GaAs MESFET变容管结构,从而实现了滤波器的压控功能。 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAsMESFET的非线性CAD模型(Statz模型)对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献
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本文重点论述GaAs IC CAD方法,包括:精确的GaAs MEsFET、HEMT和HBT等有源器件模型;大、小信号模型参数提取;噪声模型;成品优化;高频、高速微带传输线模型;电路模拟与优化;砷化镓门阵等。还评述了GaAs IC CAD集成软件包及进一步工作。 相似文献
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李祖华 《固体电子学研究与进展》1995,(2)
Ku波段8WGaAs内匹配微波功率FET李祖华(南京电子器件研究所,210016)Ku-Band8WGaAsInternallyMatchedMicrowavePowerGaAsFET¥LiZuhua(NanjingElectronicDevices... 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):32-32
C波段16W内匹配GaAs功率MESFET傅炜(南京电子器件研究所,210016)1993年12月2日收到AC-Band16WInternallyMatchedPowerGaAsMESFET¥FuWei(NanjingElectronicDevice... 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1994,(4)
75~110GHzInGaAs/GaAsHEMT高增益MMIC放大器毫米波InGaAs/GaAsPHEMT已在通信、雷达、灵巧武器、电子战和辐射测量系统等方面获得广泛应用。近来,以PHEMT为基础的工艺技术已取得令人瞩目的进展,因而能在兼顾高性能的情... 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
控制场效应晶体管(CFET)──一种新型的MMIC控制器件据《IEEE1995M.&MM.W.Monol.Circ.Symp》报道,DavidJ.Seymour等研制成一种微波单片控制电路用的新型GaAs器件──控制场效应晶体管(CFET)。为了降低... 相似文献
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本文基于自举反馈原理提出了一种新型的全部电耗尽型GaAsMESFET构成的单电源GaAsMESFET直接耦合逻辑FET单元电路.该单元电路比已有的各种GaAs数字集成电路单元电路有明显优点,是GaAs数字集成电路领域有前景的新型逻辑单元电路. 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAs MESFET的非线性CAD模型对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献
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介绍了GaAs MMIC RF开关的设计方法,在这种方法中,把MESFET当作一个两端口网络处理,直接提取开与关两种状态下网络的S参数,应用S参数进行开关电路的CAD。这种设计方法更准确,更简单,容易实现。文中还给出了GaAs MMIC RF开关的研制结果。 相似文献