共查询到12条相似文献,搜索用时 5 毫秒
1.
研究了氧化锌避雷器阀片2ms方波筛选提高整批阀片通流能力的可靠性水平的可行性,以及筛选电流值和次数对筛选有效性的影响,得出选用筛选电流值及其次数的原则和方向。 相似文献
2.
电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响 总被引:1,自引:4,他引:1
发现并研究了电极半径r与瓷体半径R之比r/R对ZnO压敏电阻片耐受2ms方波电流冲击能力的作用规律.利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络,实验模拟了r/R对电极边缘电流密度分布的作用规律,研究结果表明增大r/R能使电流密度均匀化,因而能增强ZnO压敏电阻片的通流能力。 相似文献
3.
根据避雷器用ZnO压敏电阻在2ms方波作用下出现的炸裂失效现象,研究了压敏电阻炸裂区域的显微形貌特征以及伴随着炸裂而出现的电弧烧蚀针孔。并对出现多个烧蚀针孔的区域,。做了岩矿相组织分析,进一步证实了;对于高电压梯度,细晶粒组织的ZnO压敏电阻,2ms方波炸裂失效模式仍然是电弧烧蚀针孔击穿机理的一种。同时还指出了Eda模式和试验现象之间的矛盾。 相似文献
4.
5.
在2 ms方波冲击和4/10μs大电流冲击下测试了具有不同电极留边距离的ZnO电阻片。结果表明,电极边缘和ZnO电阻片边缘留有一定余量可使冲击下的通流性能表现更稳定、减少分散性,但过多的留边距离则会使承受冲击电流的有限面积减少,留有0.5 mm左右的电极留边距离比较合适。在电流冲击测试过程中,一些ZnO电阻片样品出现故障,包括穿孔、破裂和侧闪。观察发现冲击试验后ZnO电阻片局部微观结构的形态和组成出现变化,被认为是ZnO电阻片劣化或故障的根本原因。 相似文献
6.
化学合成法改进对ZnO压敏电阻片复合粉体的影响 总被引:5,自引:5,他引:5
通过对化学合成法进行改进以适应ZnO压敏电阻片复合添加剂制备的需要,针对化学合成法的不足,提出了解决技术籽晶分布包膜技术,通过控制籽晶、沉淀剂、分散剂、pH值、化学反应进程和温度等因素,获得离子级均匀混合的ZnO压敏电阻片复合添加剂复合粉体前驱体,为进一步获得高性能ZnO压敏电阻片打下了坚实的基础。 相似文献
7.
添加剂粉料的颗粒度对ZnO压敏电阻通流能力的影响 总被引:5,自引:4,他引:5
ZnO压敏电阻的原材料中,除了主原料ZnO粉的颗粒形状和大小对压敏电阻性能产生影响外,添加剂粉料的颗粒度也会对压敏电阻性能产生影响,尤其会影响压敏电阻的通流能力。本文采用液相化学方法制备了颗粒细的添加剂粉,结果表明,采用液相化学方法对添加剂进行处理是提高压敏电阻通流能力的一条有效途径。 相似文献
8.
氧化锌阀片中微量铝氧化物掺杂是必不可少的,但不同的掺铝方式会得到不同的结果,本文进行了预掺铝的研究,对比了以硝酸铝形式掺入的状况,得出了硝酸铝的掺入有利于氧化锌阀片的烧结,促进晶粒间化合物──尖晶石(Zn7Sb2O12)的生成,从而改善氧化锌阀片非线性特性的新观点。 相似文献
9.
研究了不同掺杂含量的Gd2O3对氧化锌(ZnO)压敏电阻片的电气性能、微观特性、物相特性和介电特性的影响.研究表明,掺杂Gd2O3对ZnO敏电阻片的电气性能具有重要影响,掺杂过量的Gd2O3对ZnO敏电阻片的晶粒生长具有抑制作用,锌填隙浓度提升,具体表现在电位梯度、泄漏电流提升而非线性系数大大减小.而掺杂少量的Gd2O3提升氧空位浓度,减小锌填隙浓度,进而抑制泄漏电流.此时掺杂量在0.5%(摩尔分数)Gd2O3电气参数分别为526 V/mm、15 μA/cm2、非线性系数28.该研究可帮助氧化锌压敏电阻优化配方,增强电气性能,改善电力系统的安全稳定性. 相似文献
10.
11.
掺杂Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏电阻片性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
掺杂Y2O3可显著提高ZnO-Bi2O3系压敏电阻的电位梯度、能量吸收能力等电气性能,但会引起泄漏电流的增加。研究了不同烧成温度下,掺杂0~1.7%(摩尔分数)Y2O3对ZnO-Bi2O3压敏电阻片电气性能的影响。结果表明,在1140℃下,掺杂0.68%(摩尔分数)Y2O3,可获得具有300V/mm的电位梯度和370J/cm3能量吸收能力的高性能电阻片。此外,以FSM为主成分的“F”无机高阻层适宜于高梯度压敏电阻片的侧面绝缘,加速老化系数KCT小于1。 相似文献