Z箔音频电阻

这是一款新型超高精度Z箔音频电阻。该电阻采取特殊设计,可增加信号清晰度;当温度范围在55～＋125℃（参考温度为＋25℃）时,该器件具有±0．2×10^6／℃的超低典型TCR、在额定功率时5×10^-6／℃的出色PCR、0．01％的绝对容差且电流噪声小于-40dB。非常适合要求无失真特性的应用。其特殊的“裸Z箔电阻”设计无须模塑或密封,可在信号处理中进一步减少信号失真并增加清晰度。     

硅正电阻温度系数热敏电阻器

为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器。测量表明,其电阻值随温度升高而增大。温度系数为(0.6％～0.8％)℃~(-1),在-50～+100℃温度范围内具有准线性。硅正电阻温度系数热敏电阻器特别适合于各种半导体器件和传感器的温度补偿。     

高精度轴向Z箔电阻

VSA101是一款新型VSA101轴向Bulk Metal Z箔电阻,旨在满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在0～60℃以及55～125℃（＋25℃参考温度）的温度范围内分别具有±0．05×10^-6／℃及±O．2×10^-6／℃的绝对低的TCR、     

多品硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理 ,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法 ,实现了宽范围较高的补偿精度。具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上 ,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性 ,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用。经补偿 ,传感器的灵敏温度系数小于 - 1.5× 10 - 4/℃ ,该方法的补偿温度范围为 2 0℃～ +15 0℃ ,通用性强。     

宽温高稳定度的温度补偿技术

通过对常用两种温度补偿方式的比较,介绍了一种改进型双Г电阻补偿网络作为宽温补偿技术。改进型双Г电阻补偿网络集成了桥式电阻网络和双Г电阻网络的优点,在高低温极值处具有更强的补偿能力。试验表明,采用该种补偿网络的温补晶振在-55℃~ 85℃的宽温范围内,频率温度稳定度优于±1×10-6。     

300144Z和300145Z箔分压器电阻

这些电阻具有100Ω～20kΩ的电阻范围,在55～125℃(参考值为+25℃)范围内具有±0.2×10-6/℃的低典型TCR,0.1×10-6/℃的TCR跟踪,     

Visl珂推出具有极低的绝对TCR值、超低容差的新型超高精度BulkMetal（R）Z箔电阻E102Z

Vishay Intertechnology,Inc．宣布推出新型超高精度BulkMetal？Z箔电阻——E102Z。该款电阻可在-55℃到＋125℃的温度范围内提供达军品级标准的绝对TCR值（±0．2ppm／℃）,容差为±0．005％（50ppm）,在＋70oC下工作2000小时的负载寿命稳定性达到±0．005％（50ppm）。E102Z符合EEE—INST-002规格和MIL—PRF55182军用标准,设计用于非常规环境条件,漂移极小,适用于军事、航空和医疗应用。     

烧结温度对SrTiO_3厚膜氧敏元件的影响研究

以固相合成法,在1200℃,1250℃,1275℃这3个烧结温度下,制备了SrTiO3厚膜氧敏元件。通过在600～850℃温度范围内分别测试样品,在大气气氛及N2气氛下的电阻,比较分析了不同烧结温度下样品的灵敏度及阻温特性,表明最佳烧结温度应在1250℃,且较高烧结温度有利于样品电阻的降低和阻温特性的改善。XRD分析和SEM分析表明,不同烧结温度均制备了物相纯净且表面结构疏松的样品。     

Vishay发布新系列高性能薄膜电阻网络

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新系列可在-55℃～+215℃宽温条件下工作的双通道薄膜电阻网络---HTRN系列。该系列电阻网络的工作温度范围比传统薄膜片式电阻扩大了近100℃,绝对TCR低至±25ppm/℃,TCR跟踪为5ppm/℃,以及±0.05%的严格比例容差。     

精密的金属膜电阻

国外生产了一系列精密的金属膜电阻,其质量可和精密的线绕电阻相媲美,温度系数为±0.002℃,在第一个千工作小时中,环境温度为20℃,满标称负荷时的稳定性在±0.2%以内.当负荷为50%标称值时可提高到±0.1%.阻值的准确性分为±5～±O.1%几种级别.允许使用的环境温度为-55～ 125℃.     

超高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度Z箔电阻。此新型器件可提供±0．05×10^-6／C（当温度介于0～＋60℃之间）及±0．2×10^6／℃（当温度范围在55～＋125℃）（参考温度为＋25℃）的工业级别绝对TCR、在＋25℃时最多8W的额定功率±4×10^-6／w（典型值）的优越功率系数（自身散热产生的R）及±0．01％的容差。     

高精度Z箔电阻

VPR221Z是一款新型超高精度z箔电阻,此新型器件可提供±0．05×10-6／℃（当温度介于0～60℃之间）及±0．2×10-6／℃（当温度范围在55～125℃）（参考温度为25℃）的工业级别绝对TCR、在25℃时最多8W的额定功率（符合MILPRF-39009规范,在自由空气中为1．5W）、具有±4×10-6／W（典型值）的优越功率系数（“自身散热产生的△R”）及±0．01％的容差。     

多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃～ 150℃,通用性强.     

铬硅薄膜电阻的退火工艺条件研究

分析了CrSi薄膜电阻阻值的变化机理,并以此作为理论指导,开展退火工艺条件对铬硅薄膜电阻稳定性影响的实验,得到优化的退火工艺条件,可以使铬硅薄膜电阻的温度系数减小到±0.0001℃左右,大大提高了铬硅薄膜电阻的稳定性。     

基于MEMS技术的柔性Ni基热敏传感器阵列研制

利用Ni材料的高电阻温度系数特性,结合MEMS微加工技术,研究开发了全柔性的Ni基热敏传感器及其阵列.对传感器阵列的材料选择、Ni薄膜电阻的特点以及制备工艺进行了研究.通过油浴升温和电流阶跃响应方法实现了对传感器重要静态、动态参数的测量.实验结果表明,该热敏电阻传感器在5～80 ℃范围内具有电阻温度系数高、热响应速度快的特点.该柔性传感器阵列可方便贴附于曲型表面,为温度、速度、剪应力等快速分布式低侵入测量提供了新型支持手段.     

新款PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的PHP系列精密高功率薄膜贴片电阻。这些器件具有低至±25 ppm/℃的绝对TCR,低至±0.1%的容差,在-55～+125℃的宽温范围内具有1.0～2.5 W的高功率等级。     

一种基于BCD工艺的精密恒流源的设计

典型BCD工艺不支持高精度、低温度系数的电阻,在将电压源转换为恒流源时温度特性较差.利用差分温度检测电路,提出一种新颖的温度补偿方法,可在高温段和低温段产生补偿电流,与基本恒流源电流叠加,可有效降低温度系数.基于HHNEC 0.35 μm BCD工艺,对电路进行仿真,结果表明,补偿后的32μA恒流源在-40℃～85℃温度范围内、各工艺角下的电流温度系数均小于8×10-6/℃.     

MG-Y激光器波长温度特性研究

为了探究调制光栅Y分支(MG-Y)激光器在光纤传感应用中的温度适应性,设计并搭建了波长稳定性为0.6 pm的测试系统,分别对MG-Y激光器内外不同温度下的波长特性进行分析,采用25℃温度下20 pm间隔的查找表进行实验.结果表明当内部温度为25 ℃、外界温度在—20～50℃范围内以10℃步进时,92.30％的波长漂移量在±7 pm内,内外温差±5℃范围内波长最大漂移量为3pm;当外界温度为25℃、内部温度在25～30℃范围内以1℃步进时,波长调谐段切换处会出现跳模现象,调谐段内近似线性调谐,调谐系数区间为85～115 pm/℃,证明MG-Y激光器的最佳温度应控制在内外温差±5℃范围内,为解决温度变化造成的波长漂移问题提供了参考.     

在-55~125℃范围内误差小于±0.3℃硅基温度传感器

提出了基于寄生参数自校正的高精度温度传感器,并给出了基于CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺的仿真结果.利用CMOS工艺衬底pnp三极管的发射区-基区pn结作为温度传感单元,提出了易于开关-电容电路实现的寄生电阻校正方法,消除了基区电阻非线性对温度测量的影响,提高了测量精度.电路仿真结果显示,系统测温误差在-55℃～125℃范围内仅为±0.3℃.     

基于单片机的晶振温度补偿系统设计

该文设计了一种基于单片机的温度补偿晶体振荡器系统,它具有可视化、高精度和温度补偿模式可调的特点。在-6.9~+72℃宽温度范围内,单片机分别从测温电路、高精度频率计读取晶振的实时温度和频率,并与内存的电压-温度曲线比较,产生相应的控制电压来精确补偿晶体振荡器的频率偏移;在此温度范围外,通过键盘输入信号控制半导体制冷制热器,调节系统内部温度至此温度范围内完成补偿。测试结果表明,通过该温补系统,在-6.9~+72℃宽温度范围内,其频率-温度稳定度由补偿前的±6.25×10-6变为±1.875×10-6,性能提升了70%。