双重图形推动浸没式光刻继续前进

随着高折射率浸没式光刻看起来并不比其他光刻方案更有希望,业界现在开始热烈地讨论双重图形,想以此作为拓展水浸式光学光刻强有力的方法     

高折射率浸没式光刻不一定是最后赢家

ASML和Nikon最新一代的浸没式光刻设备其数值孔径(NA)已经接近了使用水作为浸没液体所能达到的光学理论极限了。在SEMICON West大会上,Nikon发布了它的最新一代浸没式光刻设备NSR-S610C,其数值孔径达到了1．3;而     

浸没式光刻的优势和可行性

浸没式光刻通过高折射率的液体充入透镜底部和片子之间的空间使光学系统的数值孔径具有显著的优势。在193nm曝光系统中,水(折射率为1.44)被选作最佳的浸入液体。通过成像模拟,现已证明ArF穴193nm雪浸没式光刻(NA=1.05～1.23)与F2穴157nm雪干法穴NA=0.85～0.93雪光刻具有几乎相同的成像性能。结合流体力学和热模拟结果,讨论了ArF浸没式曝光设备的优势和可行性。     

浸没式光刻向22nm挺进

简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。     

超高数值孔径浸没式光刻面临的挑战：偏振效应

浸没式光刻要实现32纳米技术乃至进一步向下延伸，在高折射率液体，光学镜头以及光刻胶等关键技术领域需要要不断取得突破性的进展。为了得到更高的分辨率，超高数值孔径浸没式光刻技术势在必行，由此而产生的光学偏振问题会日益突出，现在光刻领域的专家已经开始着手解决这个问题。     

浸没式阵列激光扫描直写光刻

介绍一种以显微镜结构为基础的浸没式阵列激光扫描直写光刻系统的光路结构、有效焦深、自动调焦及曝光能量控制的原理和方法。实验系统的有效数值孔径(ENA)为1.83,使用的激光波长为355nm时,在实验室条件下得到的最细线条宽度为65nm。     

浸没式光刻技术

综合叙述了浸没式光刻技术的基本工作原理和相对于157nm干式光刻技术的优势,简要介绍了当前的研发动态并对其具体实现的问题进行探讨。     

193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。     

光刻专家评选浸没式和EUV光刻技术

根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告，最新发布的国际半导体技术蓝图（ITRS）中，半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明，193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节点产品的首选，而EUV（极紫外）光刻技术将在32纳米节点上大展拳脚。     

193nm浸没式光刻技术发展现状及今后难点

2002年之后,浸没式技术迅速成为光刻技术中的新宠.因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大,获得了人们的极大赞赏.     

浸没式光刻技术的研究进展

浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径,可以将193nm光刻延伸到45nm节点以下。阐述了浸没式光刻技术的原理,讨论了液体浸没带来的问题,最后介绍了浸没式光刻机的研发进展。     

向32 nm迈进的光刻技术

概述了用于45nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果,探讨了各种光刻技术用于32nm节点的可能性。     

清除浸没式光刻缺陷

来自台积电(TSMC)的工程师们已经找到通过比较光学显微镜图像和扫描电子显微镜(SEM)图像来跟踪缺陷来源的方法．从而成功地将浸没式曝光的300mm硅片上的平均缺陷数目从19．7减少到4．8个微粒／硅片。包括TSMC的Lin-     

浸没式ArF光刻最新进展

简单概述了浸没式ArF的发展历史、特点和面临的科学技术问题,在跟踪报道国内外最新研究进展的同时,介绍前沿光刻技术的研发特点和研究手段,强调协同设计研究的重要地位,并揭示浸没式ArF光刻不是干式ArF光刻的简单移置和延续。     

LuAG高折射率材料获得突破性进展

尽管在45nm技术节点上，绝大部分的芯片制造商都将采用侵没式光刻技术，但是对于32nm而言，哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。其中，一种可能的解决方案就是采用高折射率材料进一步延伸浸没式光刻技术的使用寿命。然而，之前针对这项技术的研究并不乐观。     

193 nm浸没式光刻材料的研究进展

介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战.在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述.并对顶部涂料存在的问题进行了阐述.对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望.     

以浸没式技术引领光刻设备市场

在过去的几年中,ASML公司以创新的浸没式技术引领着光刻设备市场,又一次刷新了半导体制造的路线图。通过对浸没式光刻技术的再现和提升,ASML公司为芯片制造商开创了一个满足更小设计尺寸要求的生产芯片的新局面     

193 nm浸液式光刻技术现状

概述了193nm浸液式光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司在SPIE微光刻研讨会上宣布的最新研究成果,探讨了193nm浸液式光刻技术的发展趋势。     

浸没式光刻照明系统的照明模式变换器

研究了NA1.35浸没式光刻照明系统中照明模式变换模块的设计和测试。采用衍射光学元件实现包括传统照明、二极照明、四极照明的照明模式变换系统的设计和分析。给出了不同照明模式的衍射光学元件的设计结果,并对设计结果进行了模拟分析和实验分析,证明了设计的可行性。研究结果表明:当输入光场被分割的阵列数为2020单元时,二极和四极照明模式下衍射元件台阶数为32,传统照明模式下台阶数为128的情况下,衍射光学元件作为照明模式变换器的均匀性及衍射效率都能够满足设计要求。从原理、实验上验证衍射光学元件激光模式变换器设计的正确性及可行性。研究结果能够应用于浸没式光刻照明系统中照明模式变换结构中,具有一定的理论价值和工程意义。