小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿,进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构,改为对管壳封装的集成ＶＣＯ进行局部恒温,讨论了对温度漂移有影响的关键因素,通过合理设计,达到了要求的技术指标,实现了小型化。     

小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿 ,进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构 ,改为对管壳封装的集成 VCO进行局部恒温 ,讨论了对温度漂移有影响的关键因素。通过合理设计 ,达到了要求的技术指标 ,实现了小型化。     

车载雷达用恒温石英晶体振荡器设计

本文根据车载雷达的需要,利用AT切石英晶体谐振器从主振电路、辐度放大电路、波形变换电路、自动增益电路和压控电路等诸多因素综合考虑,设计了车载雷达用的小型单层恒温高稳晶振,具有良好的老化特性和高可靠性.     

900MHz压控振荡器

９００ＭＨｚ压控振荡器卿忠一、概述９００ＭＨｚ个人无线电台采用多信道共用体制，自动搜索选取空闲信道，实施无控制中心移动通信。其性能优良，成本低廉。我国用户和研制生产单位对这一新系统极为关注。为实现９００ＭＨｚ频段移动通信，关键之一就是研制一个输出频谱...     

高性能的140MHz压控晶体振荡器

对140MHz压控晶体振荡器电路进行了理论分析,并就调试中出现的一些现象进行了详释,给出了试验数据及测试曲线.     

压控晶体振荡器的设计

简要介绍了压控晶体振荡器的工作原理,说明了晶体谐振器与变容二极管在压控晶振中起的关键作用,以及如何根据实际情况选择合适的晶体谐振器和变容二极管以实现相应的压控频偏和压控线性。介绍了几种可以实现负斜率压控特性和改善压控对称性的压控电路。     

27MHz压控晶体振荡器的研制

本文介绍了压控晶体振荡器的原理及研制过程，详细阐述了二次封装的生产工艺。     

25 MHz带宽、1GHz声表面波压控振荡器

叙述了用铌酸锂压电晶片制作的声表面横波 (STW)滤波器为频控元件为源 ,研制出了电压控制带宽大于 2 5 MHz,工作频率为 1GHz,谐波抑制达 37d B,相位噪声低于 - 80 d Bc/ Hz@1k Hz,尺寸不到 5 0 mm× 2 5 mm× 10 mm的高性能宽带声表面波压控振荡器。     

一种小型压控恒温晶体振荡器的设计

简要介绍了一种小型的恒温晶体振荡器,通过对振荡参数的反复试验、修改,提高了振荡器的频率稳定度。提出一种新的设计理念,利用晶体谐振器与电感随温度变化对晶体振荡器频率所产生的不同影响,合理安排晶体振荡器内部的热场,调整晶体谐振器、热敏电阻及振荡参数的热平衡关系,在去掉恒温槽的情况下提高了温度频率特性,且大大缩小了晶体振荡器的体积。     

多相位低相位噪声5GHz压控振荡器的设计

采用TSMC 0.18μmCMOS工艺实现了全差分相位差为 450 的 LC低相位噪声环形压控振荡器电路。芯片面积 1.05 mm×1.00 mm。当仅对差分输出振荡信号的一端进行测试时, 自由振荡频率为5.81 GHz, 在5 MHz频偏处的相位噪声为-101.62 dBc/Hz。     

小型SC切恒温晶体振荡器的研制

论述了高稳定度、小体积恒温晶体振荡器 (OCXO)的热学结构设计和测温控温方法。采用 SC切三次泛音石英晶体谐振器作为振荡元件 ,利用 DS1 82 0作为温度探测器 ,以 PIC1 6 F84作为微控制器 ,通过 PID算法和脉宽调制技术 (PWM)对振荡电路进行温度调节与控制 ,以达到恒温目的。研制出体积为 40 mm× 40 mm× 1 4mm、频温特性达 1 0 -8的高稳恒温晶体振荡器     

基于皮尔斯振荡器的8MHz晶振电路设计

分析了石英晶体的等效模型和性能参数,设计了一款基于皮尔斯振荡器的8 MHz晶振电路,主要包括皮尔斯电路、使能控制及隔离电路、偏置电路和整形及电平移位电路.针对数字电路时钟为方波且数字电压域与模拟电压域不同的问题,设计了一个整形及电平移位电路,将晶体振荡器输出的正弦波整形成方波,且电路实现了双电压域工作.基于华宏0.11...     

声表面波压控振荡器的可靠性

对一种声表面波压控振荡器的工作失效率进行了预计。建立了由５个单元组成的可靠性串联模型。应用可靠性预计手岫计算了各单元的工作换效率。结果表明,在＋７０℃和Ｍｔ环境条件下,预计这种振荡器的故障工作时间为１３７８１ｈ。如果将元器件的质量提高１个等级,在相同条件下的平均无故障工作时间将大于２００００ｈ。     

A 20MHz Low Phase-Noise 0.35μm CMOS Crystal Oscillator

The design procedure of a CMOS process integrating Colpitts cr(ystal oscillator is described in detail by using the tools of Matlab and advanced design system (ADS). The small-signal analysis is performed both in the viewpoint of negative resistance and positive feedback. The analysis of condition for reliable start-up of oscillation and design guides for low phase noise is introduced. The measured phase noise is (172dBc/Hz@10 kHz and the power dissipation is 0.36 mW at power supply 3V.     

一种新型120 MHz微机补偿泛音晶体振荡器

提出了一种基于混频技术的新型120 MHz微处理器温度补偿泛音晶体振荡器(MTCOXO)。它是通过一个100 MHz 5次泛音晶体振荡器与一个20 MHz压控晶体振荡器(VCXO)混频,其产物经滤波,最终得到稳定的120 MHz信号。系统采用微处理器控制VCXO,使其直接补偿整个系统频率随温度的偏移,省去了传统高频泛音温度补偿晶体振荡器中的串联电感和倍频环节。在-30~ 75℃温度范围内,该MTCOXO的频率-温度稳定度可达±2.4×10-7。     

一个2.4 GHz CMOS LC压控振荡器的设计

采用单层多晶6层金属(1P6M)的0.18μm标准CMOS工艺,设计了一个2.4 GHz电感电容压控振荡器(LC tank VCO)。该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型。测试结果表明,在VCO的输入参考频率为1 MHz,工作电压1.8 V时,工作电流为5.5 mA,频率调谐范围2.1~2.8 GHz。     

高性能超低功耗的4.224GHz正交LC VCO

采用Jazz0.18μm RF CMOS工艺设计并实现应用于MB-OFDM超宽带频率综合器的4.224GHz电感电容正交压控振荡器。通过解析的方法给出了电感电容正交压控振荡器的模型,并推导出简洁的公式解释了相位噪声性能与耦合因子的关系。测试结果显示,核心电路在1.5V电源电压下,消耗6mA电流,频率调谐范围为3.566~4.712GHz;在主频频偏1MHz处的相位噪声为-119.99dBc/Hz,对应的相位噪声的FoM(Figure-of-Merit)为183dB;I、Q两路信号等效的相位误差为2.13°。