新型VCOCXO设计

叙述了一种新型的压控恒温晶体振荡器(VCOCXO)的设计方案。在恒温晶体振荡器(OCXO)研究的基础上,通过对芯片的挑选,电路的设计和改进后,研制成温度稳定度小于±5×10-8,频率稳定度达1-0 8数量级,电源电压为 12 V,外形尺寸为35.8 mm×25.7 mm×15 mm的小型高稳晶体振荡器。高度的集成度使电路简化,降低了功耗,提高了器件的可靠性。     

改用硅管以提高压控输出频率的稳定度

我台的激励器,在常温和冬季能达到要求,夏季因气温上升,刚校频后差拍周期大于180秒;不到一小时频率漂移稳定度变差,严重时会出现校不到频的情况。用电风扇散热,频率稳定度有一定改善。II501高稳压控晶体振荡器,采用的是内、外双层恒温结构形式。此压控要求额定工作温度在0～45℃,常温时,激励器内压控周围温度比机     

基于热仿真的高稳恒温晶振的设计

高精度的恒温结构是设计高稳恒温晶体振荡器的关键，为了获取高稳定的恒温晶振，根据以往的经验，我们设计了3种恒温槽结构，并运用ANSYS Icepak软件对这3种结构进行热仿真，通过仿真结果比较得出最优方案，最终设计出体积为36ｍｍ×27ｍｍ×13ｍｍ的恒温晶体振荡器，其频率温度稳定度≤1x10-9，实践证明，Icepak软件进行恒温晶体振荡器的设计，以优化恒温槽的结构?提高工作效率。     

压控振荡器噪声及其测量

一、概述频率稳定度是振荡器(包括压控振荡器)的一个非常重要的指标。在用途日益广泛的窄带锁相环中,对压控振荡器的频率稳定度提出更为苛刻的要求。因此,人们对压控振荡器频率稳定度的研究及测量越来越关心和重视。一提起频率稳定度,就会马上想到既有联系又有区别的长期频率稳定度和短期频率稳定度这两个概念。本文只对决定压控振荡器(VCO)短期频率稳定度的内部噪声功率谱密度进行分析和测量,并换算成秒频率稳定度。测量VCO噪声功率谱密度的方法很多,在文献中有详细论述。我们这里不是把     

5MHz精密压控晶振的研制

本文在介绍压控晶振主要技术指标的基础上阐述了５ＭＨｚ精密压控晶振的组成及晶振电路、恒温控制电路的工作原理，介绍了提高其性能的措施，最后给出了实测结果。     

集成CMOS环形振荡器频漂补偿的实现

为了提高CMOS环形振荡器的稳定度,以温度传感器作为检测电路,利用单稳态电路整形、滤波,把频率变化转变为电压变化对压控振荡器(VCO)进行负反馈调节,在温度变化和电源微小波动时,抑制了频率漂移.测试结果表明:CMOS环形振荡器输出频率为3.55 GHz,在温度区间-20～80℃内最差稳定度为2.45％,优于2.5％,达...     

关于接收机的相位噪声

接收机的相位噪声实际上专指频率合成器的相位噪声,而频率合成器的相位噪声是衡量其短期稳定度的一个技术指标,目前国内外的频率合成器基本采用锁相环(PLL)或多个锁相环的方式.频率合成器的频率稳定度包括长期稳定度和短期稳定度.长期稳定度一般由基准频率源(通常为恒温晶振或温度补偿晶振,或由外部基准频率源)决定,短期频率稳定度由锁相环决定(环路参数、部件如压控振荡器).相位噪声早期也称为相位抖动,在时域多用阿仑方差表示,在频域多用相位噪声(偏离载波某个频偏处的单位带宽内相位噪声功率相对主载波的功率低多少,通常用dBc/Hz表示,dBc中的c表示相对值)表示.     

一种可获得高稳定度的温控电路

一种可获得高稳定度的温控电路沈才忠（浙江省计量测试技木研究所，杭州．３１００１３）恒温干燥箱、生化培养箱、恒温液体班等试验设备是化学分析、检测工作中必不可少的。对于各种试验设备，就其性能而言，箱（槽）体内的温度稳定度是一个重要的技术指标。影响温度稳定...     

C波段高稳定陶瓷谐振振荡器的设计

介绍了利用陶瓷谐振器（CR）来提高振荡器频率稳定度的方法,并利用专用微波电路设计软件（AWR）对该方法进行了分析,同时还对压控支路进行了温度补偿设计。根据分析结果制作的C波段高稳定陶瓷振荡器取得了令人满意的指标：在全温范围测试结果为温漂≤50 ppm/℃,带内线性≤1.1,频率稳定度≤±15 MHz,相噪≤-108 d...     

用于SDH的38.88MHz压控石英晶体振荡器的研制

介绍了３８．８８ＭＨｚ压控石英晶体振荡器的原理、设计和性能。该振荡器由适当频率温度曲线的谐振率，变容二极管移相器，高性能的放大电路，波形转换电路等组成，振荡器具有高的稳定度，良好的调谐范围和占空比。     

高稳双层恒温晶振的设计

为了提高晶体振荡器的温频特性,设计了双层恒温高稳定度晶体振荡器。振荡器温控系统采用双层控温结构,通过多点加热和多点感温的方式,改进了恒温槽的设计,极大地改善了产品的频率温度稳定度。同时电路采用SC切晶体谐振器和Colpitts电容三点式振荡电路,提高了产品的短期频率稳定度。通过实际测试,该振荡器温度-频率特性和短期频率稳定度分别达到<±2E ^-10(-30~+70 ℃)和<1E ^-12/s的指标,均比同类产品提高1个量级以上,同时其老化率指标可达<5E ^-11/日。     

一种小型压控恒温晶体振荡器的设计

简要介绍了一种小型的恒温晶体振荡器,通过对振荡参数的反复试验、修改,提高了振荡器的频率稳定度。提出一种新的设计理念,利用晶体谐振器与电感随温度变化对晶体振荡器频率所产生的不同影响,合理安排晶体振荡器内部的热场,调整晶体谐振器、热敏电阻及振荡参数的热平衡关系,在去掉恒温槽的情况下提高了温度频率特性,且大大缩小了晶体振荡器的体积。     

The performance of X-band Gunn oscillators over the temperature range 30°C to 120°C

The output power of a cavity-controlled Gunn oscillator has been measured at a frequency of 10 GHz, as a function of bias voltage over the temperature range 30°C to 120°C. The measurements were made using 500-ns pulses to avoid significant changes in-device temperature during a pulse, and at a duty cycle of 20:1 to maintain a low mean input power. The device was operated in a coaxial cavity made of invar, and temperature control effected by operating the cavity in an oven. It has been found that ranges of bias voltages exist over which power output and efficiency is extremely sensitive to temperature changes, and that, depending on the particular conditions, power output can either increase or decrease. The effect of increasing temperature has also been found to reduce the bias voltage required to obtain maximum power output and efficiency.     

一种高精度高稳定性锯齿波振荡器的设计

设计了一种应用于DC/DC开关电源管理芯片的锯齿波振荡器,该电路利用内部基准电流源产生的电流对电容进行充放电,使得产生的锯齿波信号随电源电压和温度的变化较小,采用迟滞技术提高了锯齿波信号幅值.采用基于CSMC的0.5μmCMOS 工艺进行仿真.结果表明,该电路产生的振荡频率为5MHz,信号幅值为0-3V,电源电压在2....     

Bias Current Compensation Method with 41.4% Standard Deviation Reduction to MOSFET Transconductance in CMOS Circuits

介绍一种简单而有效的提高集成电路稳定性的电路补偿方法.当电路制造过程中的工艺参数、工作电压或工作温度发生变化时,根据仿真结果,该方法可以使MOS晶体管跨导的标准差比未经补偿的电路降低41.4%.这种电路可以用于CMOS LC振荡器中.     

用于降低CMOS集成电路中晶体管跨导标准差的偏置电流补偿电路

介绍一种简单而有效的提高集成电路稳定性的电路补偿方法.当电路制造过程中的工艺参数、工作电压或工作温度发生变化时,根据仿真结果,该方法可以使MOS晶体管跨导的标准差比未经补偿的电路降低41.4%.这种电路可以用于CMOS LC振荡器中.     

神经网络曲线拟合在温补晶振上的应用

石英晶振作为重要的频率源器件,其频率稳定度至关重要。但温度对石英晶振的影响很大。传统的微处理器温度补偿晶振中在拟合曲线时算法简单,导致软件引起的误差较大。利用了神经网络算法在曲线拟合上的应用,拟合出补偿电压与温度之间的函数关系,微处理器根据温度传感器采集的温度控制AD芯片产生补偿电压,从而使压控振荡电路输出稳定的频率的目的。实验结果表明:温度在-10⁸0℃时,频率稳定度达到±0.35 ppm,比未补偿时提高了近20倍,比其他曲线拟合方法得出的效果要好。     

Design of integrated analog CMOS circuits-a multichannel telemetry transmitter [single-stage differential amplifier]

A single-stage differential amplifier, implemented in a standard metal-gate process, serves as a basis for consideration of specific characteristics of analog CMOS circuits. The dependence of important circuit parameters like open-loop gain and gain-bandwidth product on transistor geometries, and biasing current are derived. Furthermore, it is shown how to improve the amplifier characteristics by optimizing the layout. The differential amplifier stage is compared with an equivalent one based on a standard bipolar process. This comparison shows that the CMOS stage exceeds in the low-current region (nanoamperes) not only the possible voltage gain but also the gain-bandwidth product of a bipolar stage. The results are applied to the design of a multichannel telemetry transmitter for patient monitoring. The transmitter chip incorporates a digital part for the multiplex control and a precise analog part for the modulation unit. The modulator is a voltage controlled oscillator and consists of two parts: a voltage-to-current converter and a current controlled oscillator. The linear range of the voltage-to-current converter is limited to at most three decades due to the offset of MOS transistors. The current controlled oscillator, however, has a linear range of more than seven decades. This was made possible by applying a new design principle, which is specific for CMOS technology. Besides the large linear range the multivibrator has excellent temperature stability. The chip area is 4 mm/SUP 2/.     

An integrated CMOS micromechanical resonator high-Q oscillator

A completely monolithic high-Q oscillator, fabricated via a combined CMOS plus surface micromachining technology, is described, for which the oscillation frequency is controlled by a polysilicon micromechanical resonator with the intent of achieving high stability. The operation and performance of micromechanical resonators are modeled, with emphasis on circuit and noise modeling of multiport resonators. A series resonant oscillator design is discussed that utilizes a unique, gain-controllable transresistance sustaining amplifier. We show that in the absence of an automatic level control loop, the closed-loop, steady-state oscillation amplitude of this oscillator depends strongly upon the dc-bias voltage applied to the capacitively driven and sensed μresonator. Although the high-Q of the micromechanical resonator does contribute to improved oscillator stability, its limited power-handling ability outweighs the Q benefits and prevents this oscillator from achieving the high short-term stability normally expected of high-Q oscillators