日本光电ECG6511心电图机故障检修

1　故障现象按“ＡＤＶ”、“ＲＥＤ”导联转换键不起作用 ,ＬＥＤ显示状态停于“ＴＥＳＴ”位置。2　故障分析及检修图 1　ＥＣＧ6 5 11心电图机计数器电路原理图　　从故障现象判断故障发生在可逆计数器电路(见图 1)。根据计数器电路原理分析 ,四位二进制可预置可逆计数器 (ＩＣ2 12 )的尺端 ,只有在开机后的瞬间和“ＡＤＶ”键钦动第十三次后ＩＣ2 14的Ｑ5=1时为高电平 ,计数器被复位 ,导联状态和ＬＥＤ显示状态处于“ＴＥＳＴ”位。其余时间均处于低电平状态 ,才能使计数器作加 /减计数。打开电源开关后 ,按下“ＡＤＶ”键 ,用数字逻辑测试笔测计数器ＩＣ2 10 的ＣＬ端口和Ｖ/Ｄ端均为高电平 ,且Ｒ端始终为高电平。Ｒ端处于高电平 ,显然破坏了计数器的工作状态。接着 ,检查初始复位电路 ,测Ｃ2 10 的正极和ＩＣ2 0 3 —Ａ的 1端为低电平 ,仅 3Ｖ ,其 2端和或门ＩＣ2 0 4 —Ｄ的 13脚为高电平 ,则ＩＣ2 0 4 —Ｄ的输出端 11脚即ＩＣ2 12 的Ｒ端同为高电平。正常情况下 ,开机的瞬间电源经Ｒ2 0 5对Ｃ2 10 充电 ,由于电容两端电压不能突变 ,ＩＣ2 0 3 —Ａ的 1脚...     

元器件快讯

阻尼调制二极管快捷半导体公司推出一种把阻尼二极管及调制二极管联合封装在一起的元件ＦＦＰＦ６０Ｂ１５０ＤＳ ,它可改善彩色电视机及显示器的水平控制性能。该元件采用ＴＯ -２２０全绝缘封装 ,阻尼二极管的额定电压为１５００Ｖ ,调制二极管的额定电压是６００Ｖ ,它们的开关速度很高且导通损耗很小 ,同时可靠性也很高。ＦＦＰＦ６０Ｂ１５０ＤＳ中水平输出级的阻尼二极管和调制二极管是串联起来的。在电流为２０Ａ时 ,调制二极管的正向压降可达到（最大）２．２Ｖ ,而阻尼二极管的正向压降在电流为６Ａ时为１．６Ｖ。调制二极管的反向…     

没有压降的简单反极性保护电路

通常反向电压保护方法是使用二极管,防止损坏电路。一个方案是用串联二极管,只允许电流向正确的极性流动（图1）。另外还可以用二极管桥对输入做整流,这样电路就永远有正确的极性（图2）。这些方案的缺点是,二极管上的压降会消耗能量。输入电流为1A时,     

集成电路数模转换器(下)

四、固体基准源在单片D/A转换器设计中,稳定基准的设计最为关键。稳定基准源的主要指标是热稳定性。 (一)齐纳二极管基准源齐纳二极管基准源是电子系统应用较早且较广的一种固体基准源。产生基准电压的方法不外乎图11所示的四种。即(a)利用齐纳二极管在适当偏置电流下的零温度系数击穿点产生基准电压。(b)利用齐纳管端电压的正温度系数和正偏,二极管端电压的负温度系数串联补偿的原理产生基准电压。(c)利用建立电阻比来获得基准电压。(d)利用平衡电桥产生基准电压。电路计算表明(c)的输出基准为:     

手机充电器专用芯片GC2001

概述 ＧＣ２００１是单片式智慧型镍镉、镍氢电池充电器控制芯片,只要求简单的外围电路即可构成一高性价比的充电器。它具有高频脉冲充电,可由用户设置为快充,中充和慢充三种充电方式,并可以放电消除电池记忆效应。ＧＣ２００１为18脚封装,其引脚及其功能见图1。ＬＥＤａ－－ＬＥＤｇＬＥＤ显示段驱动 ＤＩＳ：放电控制输出ＫＥＹＣ：充电模式选择 ＣＬ：测量控制输出ＫＥＹＤ：放电按键ＳＮＳ：电池电压采样输入ＭＯＤ／ＳＯＵ：充电模式控制／ＣＨＲ：充电控制输出 声音输出ＶＲ：基准电压输入ＶＳＳ：地 ＲＥＳＥＴ：复位端ＶＤＤ：…     

三支分立晶体管构建一个运放

用三支分立晶体管就可以搭一个开环增益大于100万的运放（图1）。输出偏置在电源电压的一半左右，方法是将齐纳二极管D1、输人晶体管Q1的基射电压，以及1MΩ反馈电阻R2上的1V压降结合起来。 电阻R3和电容C1构成一个补偿网络，防止电路振荡。图中的值仍提供很好的方波响应。R2与R1的比率决定了反相增益，本例中为-10。     

性能优于肖特基二极管的极性保护器

图1所示的极性保护电路是一种高性能电路,可替代普通的串联二极管(常常是肖特基二极管).这一电路引起的电压降比性能最好的肖特基二极管还要小很多.该电路之所以使用MOSFET,是因为MOSFET的导通电阻很小.本设计所用的两只MOSFET,其导通电阻加起来才0.013Ω,在使用10A负载的情况下,其电压降在25℃下为0.13V.     

全国“少年电子技师”科普活动推荐使用套件辅导电池测量仪

本套件是全国“少年电子技师”科普活动组织委员会推荐使用的套件3,电路散件如图1所示。 1．认识电路常用元器件;2学会安装带有极性的元器件;3理解电池测量仪电路的工作原理;4在专用印制板上练习焊接技术。 教学目标适用于少年电子技师C段（小学）1级技师的实习内容。也适用于B段（初中）2级和A段3级技师的实习和学习内容。建议完成课时为1～2课时,也可因学段而定。 图2所示是电池测量仪的电路原理图,该电路为非稳态三极管振荡电路。当被测电源电压高于12V时,假设2只三极管截止,电解电容C被正向充电,如图3所示。若两只三极管导通时,电容C开始放电、如图4所示,此时二极管所得电压为电源电压与电容器电压串联相加,二极管瞬间发光,并重复这个过程使二极管闪烁发光。当电源电压低于12V时,充电不足,闪烁变慢、或发光二极管不亮。     

齐纳二极管测试表

众所周之,利用普通万用表是很难直接检测齐纳二极管(常用稳压二极管)的稳压值的。本文介绍一种齐纳二极管测试表,它采用了限流的高压电源,将输出电压加在齐纳二极管上进行直接测量,再从LCD(液晶显示)显示器上读出被测管的击穿电压(稳压值),其测量精度为±0.1V。 电路工作原理 齐纳二极管测试电路如图所示。该电路是一种单管振荡器,其振荡频率为3kHz,其中的变压器T1用作升压变换。T1的初级绕组(2×4.5V)是晶体管Tr1的集电极负载;次级绕组(0～240V)升压后供给BR1桥式整流。当     

防止MOSFET驱动器与电池反接

防止MOSFET电源开关驱动器反向连接非常重要。利用整流二极管可以避免电池反向连接。然而,当对电池寿命要求较高时,通常不采用二极管。对一个6V电池,二极管的正向电压(典型值为0.6~0.7V)产生约10%的损耗,且该损耗随电池电压的降低而增加。在图1所提供的方案中,用一个P沟道MOSFET(Q1)代替二极管。Q1的导通电阻低于10mW,其正向电压降为几个mV,而二极管压降为几百mV。功耗等于负载电流乘以正向压降,因此,用MOSFET代替二极管可以提高效率。电池正极接Q1漏极,在Q1体内二极管产生正向压降,钳位源极二极管电压低于漏极电压。当源极电压…     

超高速SRAM高集成化

超高速ＳＲＡＭ高集成化据《于Ｖ匕Ｖ。＞学会志））１９９３年第２期报道，日本富士通公司已研究出一种把高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）和谐振隧道二极管集成在一起的方法。采用这种方法，可把以前用６个ＨＥＭＴ构成的ＳＲＡＭ单元（记忆元件的基本构成单位），用１个...     

带音乐振铃功能的对讲电路

如果位于不同房间内的两人想进行通话，可以采用本文介绍的简便对讲电路。对讲电路的单元电路如图1所示，图中乐曲产生器芯片UM66(ICl)产生美妙的音乐旋律，呼叫对方要求通话。对方则通过转换开关S1拨到交谈位置就可以进行对讲通话。ICl的供电电压由齐纳二极管限制在3．3V，运     

泰科电子推出新的2．3APOLYZE器件

日前,泰科电子宣布该公司的聚合物保护的精密增强型齐纳二极管微型模块PolyZenTM系列增加了两种新产品。这些新产品具有更高的保持电流（23A）,可对汽车全球定位系统（GPS）、智能电话、游戏机、便携式媒体播放器（PMP）和其他视频外设进行保护电路。PolyZen微型模块中包含一个稳定的齐纳二极管和一个高分子聚合物正温度系数（PPTC）保护元件。齐纳二极管能精确将电压箝位,     

双功能存储单元

图1是用二极管耦合的单元在单片上达到高等数时间和高速的单元电路。用一个低势垒的肖特基二极管将唯读存储器潜象加在普通的存储单元上。此二极管加在晶体管的左边代表“1”,或加在右边的晶体管上代表“○”,在图2左边中,由p~+隔离槽到一个集电极上加一个肖特基二极管,将唯读存储器潜象加在存储单元上。当加电压时,p~+隔离区是负偏置态(见图1)。附加的肖特基势垒不影响随机存取存储器的工作能力。在需要唯读存储器显象时,     

无需二极管的精密全波信号整流器

使用半导体二极管的整流器电路通常要处理大大超过二极管正向压降的电压．一般这不会影响整流的精度。但是．当二极管压降超过施加的电压时．整流信号的精度就会受到影响。精密整流电路将二极管与运算放大器结合起来．可消除了二极管压降的影响．实现了高精度的小信号整流。由于它具有现代运放的优点，因而可以处理满摆幅的输入、输出。图1的电路中完全无需二极管．即可在单电源供电情况下运行．提供全波整流。     

用自供电的运放建立一个低泄漏整流器

用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路（图1）。整流后的输出电压为有源电路供电,因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。本电路可在压降低至0．8V时提供有源整流。     

使用数字门的电压变换器

本机产生第二电压的方法一直可追潮到基本二极管变换器（图１ａ）。这种二极管可用作开关，使输入电容器与输出电容器交替地先串联后并联。这一动作将输入电容器充电到供电电压，然后将电荷转移到输出电容器。在理想情况下，该电路会转移所有的电荷，并产生一个精密复制的输入电压。然而，二极管上的损耗会使可用输出电压大大低于输入电压。这就会成为一个问题，特别是试图从５Ｖ逻辑电源导出一个负电源时更是如此。第一个二极管把输入时钟信号的正峰值箱位到高于地电位的十分之六Ｖ（二极管压降）。输出二极管再下降十分之六，从而在１ｍＡ…     

输出100mA时产生5V输出电压的SEPIC

有些应用场合要求集成电路的输入电压高于其电源引脚的击穿电压。在升压变换器和SEPIC(单端初级电感变换器)中,可以把集成电路的V_(IN)引脚与输入电感器分开,并使用简单的齐纳稳压器来产生集成电路的电源电压。图1示出了一种使用4～28V输入电压、在输出电流为100mA时产生5V输出电压的SEPIC。在这一应用中,因为电源电压超过了IC_1的最大输入电压,所以IC_1的电源电压是由Q_1和Q_2产生的。该电路使用Q_1代替齐纳二极管以节约成本。Q_1的射极-基极击穿电压提供了稳定的6V基准电压。Q_2是一个跟随器,它为集成电路提供电源电压。此电路展示了一种拓宽集成电路输入电压范     

一种新型低伏稳压管的设计原理与实践

齐纳二极管的稳定电压一般不低于4伏。本设计完全突破了齐纳击穿的模式,以多个晶体管射极输出串联组合的线路结构,使用常规的平面工艺技术,便可获得稳定电压低于4伏的各类低伏稳压管。它具有一般齐纳管所共有的典型正反向伏安特性及理想的微分电阻;它还可作为一种优良的温度补偿器件。     

新型微处理器监控电路

微处理器监控电路早已得到广泛应用 ,它的发展从分立电路、单一复位功能的三端集成器件到复杂的多功能集成器件 ,在电子技术的各个阶段 ,它都保证了系统的正常运行。本文简要介绍监控电路的基本特性以及一些新型监控复位器件。１电源电压监控电路监控电路最基本的功能就是上电复位(ＰＯＷＥＲ -ＯＮ -ＲＥＳＥＴ)。如果不具备这一功能 ,微处理器系统在上电和电源电压波动时就会出现问题。最简单的上电复位电路是由一个电阻、一个电容和一个二极管组成的 ,其电路连接如图１所示。在上电过程中 ,当电源电压开始上升时 ,ＲＣ电路保持低电平。如…