Bi:YIG纳米薄膜的磁光特性

用射频磁控溅射和快速退火方法制备了纳米量级的Bi:YIG薄膜,研究了薄膜的磁光特性.当晶粒尺寸从150 nm降到80 nm时,透射率和Faraday角的值分别从75%和3.6°变成了80%和4.0°.结果表明:高的透射率和大Faraday角可以在晶粒尺寸为纳米量级的薄膜中共存.     

光纤电流传感器与掺Bi磁光石榴石薄膜

掺Bi磁光石榴石簿膜具有强的法拉第效应而应用于光纤电流传感器。本文介绍了掺Bi石榴石薄膜光纤电流传感器的基本特性、液相升延生长制备方法,以及获得高温度稳定Ve的方法。     

保护膜厚度对磁光记录薄膜磁特性的影响

本文利用射频磁控溅射方法制备出ＡＩＮ／ＴｂＦｅＣＯ／基片磁光薄膜，在磁光记录薄膜上覆盖一层ＡＩＮ介质薄膜不仅可以防止磁光记录薄膜的氧化而且可以增强磁光克尔效应。在实验中发现ＡＩＮ薄膜厚度的变化也会影响磁光记录薄膜的磁特性。     

磁光记录薄膜温度特性测量方法研究

光调制直接重写磁光盘为多层耦合膜,要求各功能厚度很小,同时饱和磁化强度ＭＳ很低,用一般的ＶＳＭ测量系统的测定各功能层的ＭＳ及其与的比较困难。我们采用一多种技术,包括隔震技术、仪器参数综合优化和误差分析等方法,提高了ＶＳＭ测量灵敏度,成功同了磁光记录薄膜各功能层的温度特性及其居里温度,取得了很好的效果。     

膜厚对GdTbFeCo非晶薄膜磁光性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了GdTbFeCo非晶薄膜,通过调节溅射时间制备出了不同厚度的薄膜,并研究了膜厚对薄膜磁光性能的影响。磁光特性测试仪的测试结果表明:溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,可以使GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力和克尔角达到较大值,分别高达4575.476Oe和0.393o。能满足磁光记录材料矫顽力大,磁光克尔角大的要求。     

FeBO3单晶生长及其磁光性能研究

采用助熔剂法和晶体分离技术，从Ｆｅ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＰｂＯ／ＰｂＦ２熔体中成功地生长出状弱磁性ＦｅＢＯ３单晶体。以磁光调制倍频法和分光光度计分别测出ＦｅＢＯ３单晶在可见光波段的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱和光吸收谱，得到表征材料磁光性能的优值随波长变化关系。最后，对ＦｅＢＯ３晶体与磁光性能作了简短讨论。     

化学镀Co-P和Co-Mo-P薄膜的结构与耐腐蚀性能

采用化学镀技术制备Co-Mo-P薄膜,并制备Co-P薄膜作为对照。采用扫描电镜、X射线衍射仪和电化学工作站对薄膜的表面形貌、相结构和耐腐蚀性能进行表征与测试,结果表明：Co-P和Co-Mo-P薄膜表面形貌相似,且都呈现(210)晶面择优取向。与Co-P薄膜相比,Co-Mo-P薄膜的腐蚀电位正移约23 mV,腐蚀电流密度降低60.5%,电荷转移电阻提高236.8Ω·cm²。Co-Mo-P薄膜表现出较好的耐腐蚀性能。     

光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究

本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。     

可焚烧可降解聚乙烯薄膜的光-生物降解性能研究

借助人工加速老化实验箱、自然土壤填埋坑等实验方法，采用力学性能测试、扫描电镜等测试方法，对可焚烧可降解聚乙烯(PE)塑料包装材料的可环境消纳性能进行探讨。实验结果表明，以PE为主材料，添加无机粉体．生物活性剂，FeSt3-MnSt2复合光敏剂，研制出高填充可降解的PE塑料薄膜，该膜具有良好的光-生物降解性能，并可适用于焚烧处理。     

钒氧酞菁的合成及其薄膜结构与光电性能的研究

自从６０年前［１］金属酞菁被发现以来,就引起人们的广泛兴趣,其原因主要在于它们在染料颜料、光化学、催化、和成像中的应用．和许多其它酞菁衍生物一样,钒氧酞菁具有光导和半导体特性,这使得它在光电子学、电子成像、化学传感器、甚至于微电子器件中有潜在的十分光...     

磁光记录用石榴石膜中追记位的形式

作为基于光源波长短波长化的高密度磁光记录材料,发展前景看好的是添加Bi（铋）的石榴石膜。通过加大激光照射功率（高于磁光记录时的功率）,可进行追记型光记录。石榴石材料晶化前的非晶质膜,用与磁光记录同等程度的激光功率即可进行追记型记录。线速度2．5m／8、位长3μm时,可获得46dB的C／N。记录机理是光吸收产生的热引起的组成或构造上的非可逆相变。利用这些现象,可制作适用于磁光记录和追记型记录这两种记录方式的记录介质,并能充分保护记录在磁光记录介质上的信息。     

SmCo/Cr磁性薄膜的工艺与性能

通过对磁控溅射条件的优化,制备出了较理想的 SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明, Sm含量在 31.6％ atm,Cr缓冲层为 66 nm, Sm(CoAlSi)5磁性层为 30 nm等条件下,制得的 Sm(CoAlSi)5/Cr薄膜的矫顽力 (Hc)为 187.8 kA/m(2.36 kOe),矩形比 (S=Mr/Ms)≈ 0.94;在 500℃保温 25 min退火后,矫顽力 (Hc)达 1042.5 kA/m(13.1 kOe),矩形比 (S)≈ 0.92。     

氧化铽磁光材料及应用

高Verdet常数、大尺寸的磁光材料是发展高性能光隔离器的核心光学元件,能够促进光隔离系统向集成化、小型化方向发展。氧化铽(Tb₂O₃)在500～1 500 nm波长范围内无吸收峰,其Verdet常数是铽镓石榴石单晶(Tb₃Ga₅O₁₂,TGG)的3.5倍以上。由于氧化铽在1 550℃至熔点温度区间存在多级相变,使得通过熔体法生长氧化铽单晶十分困难。本文综述了氧化铽单晶和陶瓷制备的发展历史、工艺过程和制备难点,对纳米晶无压氢气烧结制备氧化铽陶瓷进行了概述,涉及钇稳定氧化铽、镥稳定氧化铽及氧化锆和氧化镧掺杂氧化铽陶瓷等,并展望了NC–PLSH技术在制备氧化铽材料方面的优势。     

针对玻璃基片石英试杆影响的磁光薄膜磁性参数的估算方法

对于直接重写磁光记录薄膜的磁性测量,实际测得的磁滞回线是磁光薄膜与玻璃基片和石英试杆共同作用的结果,不能由此图直接确定基本的磁性参数。根据磁光薄膜的曲线和玻璃基片与石英试杆的曲线之间的特点,提出一种简单有效的方法快速直接确定基本的磁性参数。     

TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性来源研究

采用不加偏压的磁控溅射法制备了带有和不带有金属Cr底层的TbCo非晶垂直磁化膜 ,并对TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向异性来源进行了研究。理论分析结果表明 ,TbCo非晶垂直磁化膜的垂直磁各向异性主要来自于Tb离子的非球对称分布电荷与膜内晶场之间的库仑相互作用以及膜内的应力。扫描电镜的观测结果表明 ,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。柱状结构的存在导致了其磁各向异性的增强。     

高分子薄膜添加剂对薄膜表面形态和光学性能的影响

通过光学轮廓仪研究相同工艺制备的添加含氟助剂(PPA)及芥酸酰胺的聚乙烯薄膜的表面结构与性能的关系.结果发现,PPA有助于降低薄膜表面起伏,从而降低薄膜的摩擦系数和取向,改善光学性能.芥酸酰胺增大薄膜表面起伏,但由于降低了薄膜表面折光指数,因此并不会降低光学性能.尺寸小的芥酸酰胺颗粒使薄膜具有更好的光学性能.也有助于均...     

光调制直接重写磁光多层膜测试方法研究

为了测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能 ,试制了磁光多层膜光调制直接重写特性测试系统。磁光信号检测采用改进差动式检测 ,检测方式仅与磁光克尔角大小有关 ,可以用来作样品的克尔角指示。同时 ,该检测方式由于不受激光功率和盘片反射率变化的影响 ,对光电探测器的温漂特性也有良好抑制作用 ,更适合静态实验的需求 ,可以较好地测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能。