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调节自配抛光液的H2 O2含量、pH值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐蚀电流和抛光速率的影响规律,并解释其电化学机理.实验结果表明:雾化施液单晶硅互抛抛光速率随着pH值、H2 O2浓度和抛光盘转速的增大呈现先增大后减小的趋势,并在pH值为10.5、H2 O2浓度为2%、抛光盘转速为70 r/min处达到最大值,随着抛光压力的不断增大而增大;通过雾化施液单晶硅互抛抛光实验得到合理的工艺参数:pH值为10.5、H2 O2浓度为2%、抛光盘转速为60 r/min、抛光压力为7 psi,在该参数下,硅片的抛光速率达到635.2 nm/min,表面粗糙度达到4.01 nm. 相似文献
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裂殖壶菌是一种能积累DHA海洋真菌,细胞壁结构紧密,坚韧,对其破壁是油脂提取工业化生产的重要工序。本实验探讨了不同破壁温度、碱浓度、破壁时间等因素对其菌粉碱法破壁提取油脂、DHA得率等指标的影响,确定碱热法破壁提取DHA的最佳条件为:温度80℃,复合碱用量为1.0%,破壁时间2.4 h,在该最佳条件下进行重复实验,可得到DHA粗油得率为90.65%。经优化后的破壁工艺经济高效,具有相应的经济应用价值。 相似文献
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通过正交实验的方法,以地聚合物稠度、凝结时间、胶砂强度为研究依据,以偏高岭土、矿渣、磷渣、碱激发剂用量为研究对象,每个因素取3个水平,分析4个因素在各自水平上对地聚合物性能的影响。试验结果表明,偏高岭土用量是地聚合物稠度的最主要影响因素;偏高岭土和碱激发剂用量是初凝时间的主要影响因素,磷渣和偏高岭土用量是终凝时间的主要影响因素;偏高岭土用量是3 d 抗压强度的主要影响因素,矿渣用量是28 d 抗压强度的主要影响因素。按30%偏高岭土-40%矿渣-30%磷渣-10%碱激发剂制备的地聚合物具有良好的抗碳化性能,但收缩率较普通硅酸盐水泥高。 相似文献
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采用1,2-丙二醇、正丁醇和环氧氯丙烷为原料,在相转移催化剂的作用下反应,通过正交实验合成了高环氧值、低粘度的缩水甘油醚.研究了其合成工艺,并考察了原料配比、催化剂量、反应温度和时间、碱用量等因素对实验的影响,最终确定了最佳工艺条件. 相似文献
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钛基纳米晶IrO_2-Ta_2O_5氧化物涂层阳极的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍运用扫描电镜、X射线衍射、循环伏安测试及加速寿命实验等方法研究了钛基纳米晶IrO2-Ta2O5氧化物涂层的制备和电化学性能。在使用热分解法获得纳米晶氧化物的过程中,钛基体机械前处理、涂层成分、烧结温度、烧结时间等制备因素均影响最终所得涂层氧化物纳米晶粒尺寸,从而使电极的电化学性能发生变化。 相似文献
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半导体材料的超精密加工是一种获得高表面质量和表面完整性的加工技术,研抛磨粒是实现半导体材料超精密加工的关键耗材之一。从研抛磨粒的组成方式和结构特点,概述了研抛磨粒的研究现状和发展趋势。首先,构建了研抛界面内半导体材料工件-研抛磨粒-研抛垫的接触模型,讨论了研抛磨粒的材质、形状、浓度、粒径等因素对半导体材料研抛质量和研抛效率的影响;其次,从材质和粒径等方面介绍了混合磨粒的研抛性能,以及相应的研抛机理;然后,从材料结构和化学作用等角度总结了复合磨粒在超精密加工技术中的应用;最后,展望了研抛磨粒未来的研究方向。 相似文献
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本文对中碱、无碱玻璃钢的电学性能进行了试验研究;中碱玻璃纤维经偶联剂处理后能明显改善玻璃钢的电学性能,能满足电气绝缘材料的要求. 相似文献
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孟琳 《合成材料老化与应用》2020,49(4):111-113
水泥的水化过程复杂,生成的产物也较复杂,因此其微观结构难以控制,水泥基复合材料的力学性能和电学性能较差。为了改善水泥基复合材料的力学性能和电学性能,采用搅拌的方式将再生石墨粉加入到水泥砂浆中,最终制得再生石墨-水泥基复合材料。通过对再生石墨-水泥基复合材料的抗折强度、抗压强度以及电阻率的测试,发现掺入适当的再生石墨,可以增强水泥基复合材料的力学性能和电学性能。 相似文献
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利用氢氧化钠-硫脲-尿素水溶液处理稻草草片以求改善其化机浆制浆性能,通过单因素试验探究用碱量、浸渍时间和冷冻时间等因素对稻草化机浆制浆性能的影响情况,并利用FT-IR、XRD和SEM等方式表征原料或浆料微观性能的变化情况。结果表明:在用碱量6%、浸渍时间15 min和处理时间60 min、处理温度-5℃的条件下,制得稻草漂白化机浆的性能最佳,和自制稻草BCTMP相比,经氢氧化钠-硫脲-尿素水溶液预处理后制得化机浆的磨浆能耗降低18.6%、细浆得率提高3.8%、白度提高4.4%、抗张指数提高12.8%、耐破指数提高15.7%、松厚度降低2.9%,此外对两种漂白化机浆而言,其官能团结构、结晶区结构、预处理后原料纤维的整体形态均没有明显变化,但经氢氧化钠-硫脲-尿素水溶液预处理后稻草单根纤维表面的破损程度略高。 相似文献