浅析电子级多晶硅的清洗工序

电子级多晶硅产品的质量指标之一就是表面金属的杂质含量高低,而我国当下的电子级多晶硅清洗工序还是以酸洗为主导去除表面金属杂质含量,通过不同标准的化学刻蚀控制表面金属杂质含量,以达到产品的标准要求。文章就电子级多晶硅材料的化学清洗工序进行论述,讲述多晶硅的化学清洗工序中所涉及的化学试剂等因素的影响,提供清洗工序经验。     

电子级多晶硅的清洗液选择

对于电子级多晶硅产品而言,其质量判断的关键在于材料表面金属杂质含量情况。就目前来看,当前电子级多晶硅为去除附着在表面的金属杂质,一般都采取以酸为主的清洗工序。通过妥善选择清洗液来控制电子级多晶硅表面金属杂质含量,以提升产品质量。基于此,本文就围绕电子级多晶硅,对其清洗液选择展开重点探讨,并分析影响电子级多晶硅清洗质量的因素,以供参考。     

电子级多晶硅金属杂质来源探讨

电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响影响下游晶圆制造产品质量,所以对其金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从精馏、还原及后处理生产过程中每个环节浅析电子级多晶硅金属杂质的引入源,同时提出相应控制措施。     

电子级多晶硅生产技术探讨

高端电子级多晶硅是集成电路产业的基础,但由于其对产品纯度和稳定性的苛刻要求,国内并没有厂家能够进行商业化量产,这并不利于集成电路行业的健康稳定发展。本文在国内已掌握的改良西门子法多晶硅生产技术的基础上,结合国外先进技术,对精馏、还原的工艺和配套设备都进行了改良,并将光伏级多晶硅和电子级多晶硅生产系统进行了耦合,提高了效率,降低了整体生产成本,降低了原料对于电子级多晶硅生产的制约,形成了闭路循环生产体系。     

浅析多晶硅杂质引入因素及解决方案

如何进一步降低卤硅烷中杂质含量,使国内多晶硅的质量达到国外电子级水平一直是行业关注的话题。本文首先阐述了改良西门子法生产多晶硅流程中杂质的主要来源,其次概述了近些年国内外关于痕量硼、磷等杂质高效去除的技术方案,着重探索了络合法、吸附法、部分水解法等杂质去除机理;最后提出了电子级多晶硅国产化进程中应侧重的提纯技术研究方向。     

洁净用品在高纯多晶硅后处理过程中的重要性

高纯多晶硅是生产电子材料最为基础且最为重要的一项原料,它的纯度和金属的杂质控制有着极为严格的要求.多晶硅在由还原炉中生产出再至下游的厂家过程中经过了多种复杂工艺的处理,在每一个处理环节当中都存在被二次污染的风险.为了最大程度降低甚至是完全避免产品遭到污染,就需要通过多种工具以及装置进行干预,同时这也就给与多晶硅物品近距...     

电感耦合等离子体质谱法测定电子级NF_3中金属杂质

采用密闭的取样系统吸收电子级NF_3中金属杂质,利用电感耦合等离子体质谱法(ICP—MS)测定了吸收液的金属杂质含量。结果表明:该方法测定电子级NF_3中金属杂质含量的相对标准偏差≤3.09%,NF_3中各项金属杂质含量远远低于指标3×10–9。     

高纯水技术发展的新趋势

随着科学技术的不断发展,高纯水在现代科学、现代工业、尤其是在电子工业生产中的重要作用,正在日趋突出、日益显著。它不仅与电子产品的质量及成品率有着直接的关系,而且对电子工业、特别是集成电路的发展水平亦有着极大的影响。它已是微电子器件工厂不可缺少的基础材料之一。从某种意义上说,高纯水技术水平的高低,亦是衡量一个国家科学技术和工业水平高低的一个重要标志。     

集成电路用电子级多晶硅大规模产业化技术实践

国内高端电子级多晶硅长期被国外垄断,理论研究和产业化实现都与国外存在差距,严重威胁了集成电路行业的安全发展.江苏鑫华半导体通过在超痕量杂质提纯技术、非接触硅料精制技术等瓶颈问题的突破,成功构建了5000 t/a电子级多晶硅生产体系,在高等级硅料产品实现、新工艺体系构建、高效产品评价等方面填补国内空白,达到了国际领军企业...     

酸洗提纯AlN粉体的研究

氮化铝(AlN)粉体中的金属杂质与氧化是影响其纯度和性能发挥的主要因素,而酸洗是提纯AlN粉体的有效手段.实验采用磷酸(H3 PO4)、硝酸(HNO3)、氢氟酸(HF)和盐酸(HCl)对AlN粉体进行酸洗提纯,主要研究了酸洗过程中酸液的选择与配比对提纯效果的影响.实验结果表明:这四种酸均显著降低了AlN粉体表面的金属杂质含量,而HF和HNO3的混合酸具有更好的提纯效果,特别能降低其中的Na、W、Fe等金属杂质,而且还可通过HF与Al2O3的反应有效去除氧杂质.HF/HNO3酸液的适宜配比为HF:HNO3=2:1,在该条件下酸洗后的AlN粉体中,金属杂质含量均下降到100 ppm以下,氧含量仅为1.2wt%.     

电子级多晶硅生产技术

电子级多晶硅是多晶硅经过高度提纯所获得的一种材料,广泛应用于高纯硅制品,是人类现代高科技所不可缺少的一种原材料。而随着人类科学技术的发展,对于原材料质量和纯度的要求也不断提升,对此,也产生了对于电子级多晶硅生产技术的探讨。以全球发展技术状况的阐述作为基础,充分探讨了当前能够获得高质量、高纯度电子级多晶硅的相应生产技术。     

电子级多晶硅产品在还原过程中的影响因素

近些年来,我国的电子信息技术产业发展快速,尤其是高科技领域对于电子级高纯多晶硅的需求量有所增长,多晶硅材料已成为电子信息、电力产业和太阳能光伏产业最主要、最基础的功能性材料,本文主要介绍了电子级多晶硅在还原炉内的沉积过程受到反应温度、反应配比、气体流速、炉内压力、原料纯度等许多因素的影响,同时介绍了其与多晶硅的沉积质量和电耗之间的关系。     

文摘选录

<正> 随着电子工业的发展,电视机、录音机、电子计算机的出现,对化学品不但纯度要求高,而且配套性也很强,要控制对电子有害的杂质,于是出现“电子纯”的化学试剂,单项杂质的含量控制0.1—10ppm,到了七十年代随着集成电路和大规模集成电路(MOS)的出现。微型电子计算机及电子手表都用MOS 专用配套化学品,这就是MOS 级试剂,要控制30项有害杂质,单项杂质要求控制在ppb 级(ppb 二十亿分率)、即0.001—0.1ppb 范围。甚至于对冲洗用的蒸馏水、房间、洁净     

多晶硅中杂质含量、分布及其检测方法的探讨

多晶硅中杂质的组成及含量是衡量多晶硅产品质量的重要指标之一,由于其杂质组成复杂、含量低于常规检测方法检出限,这就使对多晶硅中杂质含量、分布及检测方法的研究具有重要意义。概述了目前用于检测分析多晶硅中杂质含量、分布的方法及其优缺点;总结了近年来国内外在多晶硅杂质检测方法研究中的进展以及多晶硅中杂质的含量和分布数据,为多晶硅的检测提供了参考。     

HR-ICP-MS测定电子级氨中的痕量杂质

电子级超纯氨是半导体产业上游关键配套原材料,其痕量杂质含量直接影响材料的光学及电学性能乃至器件的使用寿命,是半导体产业链发展中一个重要环节。本文采用高分辨电感耦合等离子质谱仪(HR-ICP-MS)标准加入法检测电子级氨水中痕量杂质元素,回收率在92.1%～119.6%之间,重复性在0.2%～3.9%,检测限能满足电子级氨中杂质含量在(0.1～1.0)μg·kg~(-1)的测试需求。     

用高分辨电感耦合等离子体质谱仪检测电子级多晶硅中表面金属杂质的方法

将多晶硅试样用硝酸、氢氟酸和水的混酸（1:1:10）浸取后,在硝酸介质中,用高分辨电感耦合等离子体质谱仪定量检测电子级多晶硅中表面金属杂质痕量分析方法。对杂质成分Na、K、Fe、Ca等的测定同位素和分辨率的比对研究,优选出最佳参数可显著减少对绝大多数多原子离子以及对电荷分子干扰的影响危害,实现了被测元素与干扰元素的完全分离。标准曲线线性R值>0.999,方法检出限<5ng/L,采用MSA分析Na、K、Ca、Fe元素的测量精确度R&R%<10%。     

电子级多晶硅生产技术分析

电子级多晶硅是电子工业生产中的重要内容,在现代工业生产中的应用比较广泛.电子级多晶硅生产企业需要加强对产品质量的保障,提升工业生产效率,优化生产工艺.从我国当前电子级多晶硅生产技术开展情况来看仍然存在很多的不足,需要进一步对电子级多晶硅的生产技术进行改良,促进我国电子工业的稳定发展,提升工业生产效率.主要对电子级多晶硅...     

MOS试剂

MOS试剂是电子工业中不可缺少的关键材料,在电子计算机和大规模集成电路的制造过程中,所使用MOS试剂的纯度对它们的质量有极密切的关系。随着时代的推移,技术的进展,MOS试剂的纯度正在不断刷新。关于MOS试剂中的杂质不外乎二类:一是溶解的杂质,一是微粒(不溶解的杂质),它们一旦与集成电路表面接触,便形成污染的潜在来源而影响成品率,这样,为了取得高的成品率,就必须将它们的质景提高。     

超快激光在多晶硅还原炉的应用技术优化研究

针对电子级多晶硅还原炉底盘附着的残留物，研究超快激光技术在电子级多晶硅还原炉的应用。通过超快激光电子级多晶硅还原炉清洗设备结构，分析其清洗电子级多晶硅还原炉设备过程。选取试验材料、试剂和设备后，分别制备含有无定形硅粉、氯硅烷水解物、二氧化硅粉尘、甲基硅油油脂、多晶硅颗粒等污染物的基板作为还原炉污染样本；并以制备的还原炉污染样本为基础，设定初始条件和边界条件后，展开电子级多晶硅还原炉污染试件清洗试验。结果表明：污染物基本被去除；在不同清洗次数下，超快激光清洗时的重复频率和扫描速度越高，其清洗电子级多晶硅还原炉污染试件效果越好。     

选择先进技术路线 引发我国多晶硅产业热

多晶硅材料作为制造集成电路硅衬底、太阳能电池等产品的主要原料，是发展信息产业和新能源产业的重要基石，我国多晶硅的自主供货存在着严重的缺口，95％以上依靠进口，近年多晶硅市场售价的暴涨，已经危及到我国多晶硅下游产业的正常运营，并成为制约我国信息产业和光伏产业发展的瓶颈。最近，中国电子材料行业协会经济技术管理部在北京组织召开多晶硅材料“十一五”科技发展战略研讨会，业界的领导、专家以及企业家代表对如何加快我国多晶硅产业的发展进行了深入的探讨。