共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
阐述单片机控制系统在智能电梯安防联动控制系统中的应用,在设计中要符合科学性、合理性,探讨智能电梯安防联动控制系统工作原理、控制系统的设计、自动化技术的应用、智能电梯安防联动控制系统的技术发展。 相似文献
2.
3.
续竞存 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):254-258
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs/InP0.7Sb0.3HET可在GaAs衬底上实现单片集成。 相似文献
4.
基于提高电梯控制系统的可靠性、安全性能及工作效率等方面的需要,本文设计出一种新电梯控制系统———以西门子S7-200PLC———CPU226为核心的电梯控制系统。此系统的主电路的设计主要采用YTD系列双速笼型异步电动机,红外探测器以及超重感应器等充分应用在开关门控制中。此外,可编程控制程序具有自我检测的功能,因此,在电梯在利用PLC程序进行工作的情况下,仍然可以自行的对故障进行检查并发出报警信号,这为维修提供了很大方便,大大缩短了工作时间提高了工作效率,并且可以最大限度的克服人为因素的干扰。这所有的一切都使得电梯运行达到最佳状态。 相似文献
5.
本文介绍了基于VHDL的六层电梯控制系统设计的总体设计方案,详细描述了六层电梯内部功能模块的工作原理。利用硬件描述语言VHDL对功能模块进行编译,仿真结果表明,此设计能够遵循方向优先的原则正常工作。 相似文献
6.
7.
续竞存 《固体电子学研究与进展》1995,15(1):41-44
分析InAs/InP(0.7)Sb(0.3)热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压V(CM)。计算结果表明,β超过20,V(CM)接近1.5V。 相似文献
8.
9.
Ba(Ti0.91Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷的介电弛豫特性 总被引:2,自引:0,他引:2
采用固相反应法制备了Ba1-xBi(Ti0.09Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷,借助XRD、Agilent4284A、ZT-I电滞回线测量仪,研究了Bi^3+和Al^3+共掺杂后对陶瓷的相结构和介电特性的影响。研究结果表明,掺杂后Ba(Ti0.91Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷的体积密度在x=0.03时,可达5.859g/cm^3,XRD结果显示,在x≤0.01时,衍射峰具有单一的四方BaTiO3结构,观察介电温谱(-30℃≤T≤130℃,10^-1kHz≤f≤10^3kHz,其中f为频率)可发现陶瓷从正常铁电体转变成弛豫铁电体,电滞回线显示矫顽场(Ec)和剩余极化强度(Pt)小,即Ec=0.93kV/cm,Pc=2.63μC/cm^2。 相似文献
10.
11.
K0.9Li0.1(Ta0.5Nb0.5)O3晶体压电应变系数的测量 总被引:2,自引:2,他引:2
用准静态d_(33)测量仪和干涉法相结合。测量了K_(0.9)Li_(0.1)(Ta_(0.5)Nb_(0.5)Nb_(0.5))O_3晶体的压电应变系数。结果为:d_(33)=86.0,d_(33)=一29.5,d_(15)=112.9×10 ̄(-12)C/N. 相似文献
12.
为了实现电梯的自动控制,使其运行灵活方便.稳定可靠、抗干扰能力强。本文基于PLC控制技术,介绍了PLC技术控制下的电梯系统组成和工作过程,并阐述了PLC技术控制下电梯系统实现的功能、设计思路、实现的语言和算法。 相似文献
13.
14.
以0.1molMoO3取代PbWO4中WO3生长Pb(WO4)0.9(MoO4)0.1晶体。测试了晶体的密度、透射率和闪烁性能。克服了PbWO4晶体在生长中出现的开裂。生长出质量优良的Pb(WO4)0.9(MoO4)0.1晶体。 相似文献
15.
16.
17.
一具有极高发光效率和长寿命的白色OLED器件得到开发,其中使用的是蓝色、黄绿色和红色磷光发射器。通过使用光外耦合技术,其性能实现了在1000cd/m2的初始亮度时的64流明,瓦和10000个小时的寿命。器件还表现出良好的耐久性,这对实际的使用是很重要的。如蓝色磷光材料和精密的有机层结构两样新技术都适用于该器件。这些技术非常有希望对作为光源的OLED的实际应用敞开大门。 相似文献
18.
(英)一种新型低暗计数率单光子雪崩二极管的设计与分析 总被引:1,自引:1,他引:0
基于0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS) 图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率(Dark Count Rate)单光子雪崩二极管(SPAD)器件.该器件是利用P+/LNW(Light N-well doping)结检测光子,并通过低浓度的N型扩散圆形保护环抑制边缘击穿,确保其工作在盖格模式.测试结果表明在室温环境下,直径为8 μm的SPAD器件,雪崩击穿电压为14.2 V,当过调电压设置为2 V时,暗计数率为260 Hz,具有低的暗计数率特性. 相似文献
19.
胡志勇 《现代表面贴装资讯》2007,6(4):41-44
随着电子行业产品竞争的不断加剧,人们对如何控制制造成本倾注了极大的关注,因为成本控制关系到一家企业的生命力是否长久。制造设计(DFM)是指通过对产品制造过程进行深入的分析,对涉及制造过程的六大环节予以认真的考虑,通过它们达到最大限度地节省成本费用的目的。本文试图就这一主题进行介绍。 相似文献