石墨烯片上螺旋电感的射频建模和参数提取

基于物理原理,对石墨烯螺旋电感提出了一种改进的等效电路模型,该模型在传统π模型的串联支路中增加了RC并联网络.并结合分析法和优化法,对此模型提出了一种参数提取方法.结果表明,在1～40 GHz频率范围内,测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合.     

基于DGS结构的超宽带高通滤波器设计

介绍目前应用于微波平面电路小型化领域的DGS结构,通过仿真试验研究了DGS结构对耦合微带双线的影响,基于仿真结果设计小型化、结构简单的超宽带高通滤波器,并制作实物进行测量,实测数据与仿真结果基本吻合。     

一种新型一维周期DGS单元结构特性研究

该文设计了一种新型一维周期地面缺陷(Defected Ground Structure, DGS)单元结构,该DGS单元结构提高了等效电感。增加的等效电感可以容易控制DGS平面电路的截止频率特性。设计的周期DGS单元结构有非常好的截止和带阻特性。为了显示改进的等效电感,该文设计了3个周期相同而单元尺寸不同的DGS电路。DGS电路的测试结果显示截止和带阻的中心频率特性由该DGS单元结构的物理尺寸决定。     

（英）片上叠层式变压器的建模及参数提取

结合分析法和优化法,针对片上叠层式变压器提出了一种参数提取方法.分析法得出的参数值作为优化法的初始值,从而得出最终的模型参数值.结果表明,在100 MHz~60 GHz频率范围内,硅衬底的叠层式变压器S参数的仿真结果和测试结果吻合很好.     

肖特基二极管毫米波等效电路模型参数提取方法

提出了一种肖特基二极管的毫米波等效电路模型参数提取方法。该方法利用开路测试结构确定焊盘电容,并结合短路测试结构确定馈线电感;基于直流I-V特性曲线和小信号S参数分别提取了寄生电阻并进行了对比分析;给出了本征元件随偏置电压的变化曲线。在频率高达40 GHz的范围内,截止和导通状态下S参数的模拟与测试数据吻合良好,验证了提取方法的有效性。     

低辐射DGS 及其串扰分析

在传统哑铃形缺陷接地结构(DGS)的基础上,设计出一种新型低辐射DGS。该结构既具有传统DGS的优良电路性能,又大大降低了由于接地面蚀刻缺陷图案而引起的无意辐射。进一步仿真分析了低辐射DGS 的串扰,结果表明低辐射DGS 近端串扰峰值电压较哑铃形DGS 下降60%,远端串扰峰值电压下降了36. 8%,证明低辐射DGS 能大大降低由于DGS 的应用对周围电路产生的影响。与接地面完整的平行微带线相比,低辐射DGS 近端串扰略大,但远端串扰在4 ~6 GHz 频段内存在阻带,当受扰线工作在远端串扰的阻带频段内,对远端串扰的抑制效果十分明显。     

缺陷地面结构最新研究进展

本文综述了缺陷地面结构(DGS)的研究现状,主要介绍了DGS的基本概念和传输特性,给出了用于描述各种DGS单元特性的等效电路模型,归纳总结了DGS在微波技术领域的主要应用,最后给出了DGS的发展趋势.     

基于FDTD的DGS微带线特性分析

借助时域有限差分法（FDTD）并结合完全匹配层（PML）对多种类型的缺陷地结构（DGS）微带线进行了电磁仿真,分析了其带阻特性和慢波特性,并以哑铃型DGS微带线为例,分析了DGS结构参数改变对微带线带阻特性的影响。仿真结果与相关文献及HFSS软件仿真结果吻合良好,从而验证了该分析方法的有效性和计算的准确性。     

封装基板过孔电特性建模方法

基于电路二端口网络理论,建立了过孔电学特性等效电路模型,给出了模型参数的提取过程。在分析比较物理模型和经验模型两种不同的模型参数提取方法及其优缺点的基础上,给出了过孔高频特性的经验模型及其模型参数。为验证经验模型的有效性,提出了基于仿真的快速验证方法。实验结果表明,该方法避免了实物测试验证所带来的测试误差,同时为降低建模成本提供了新思路。     

基于DGS和SIR单元的超宽阻带低通滤波器设计

为了解决传统的微带线低通滤波器尺寸偏大,阻带较窄的问题,采用阶梯阻抗谐振(SIR)单元加载哑铃型缺陷地结构(DGS)单元设计了一个五阶微带低通滤波器,并通过在主传输线两侧添加并联开路枝节,以补偿DGS微带线的特性阻抗。测试结果表明:该滤波器结构尺寸21.6mm×8mm,3dB截止频率4GHz,通带内平均驻波比小于1.5,阻带范围5GHz～35GHz。实现了滤波器结构尺寸的减小和超宽阻带。     

一种基于DGS和EBG混合结构的毫米波滤波器设计

设计了一款可应用于毫米波频段（22.5～29.5 GHz）的小型化、高性能带通滤波器。首先利用羊角型DGS结构的谐振特性,在基片集成波导（Substrate integrated waveguide,SIW）的高通通带内产生阻带和低通特性;之后在滤波器输入微带线上耦合U型电磁带隙结构（Electromagnetic band gap,EBG）,利用该结构产生的两传输零点之间的带宽可以调整的特性,来保证滤波器通带带宽及提供高带外抑制;最后利用电磁仿真软件HFSS 13.0对滤波器进行仿真与优化。实测结果表明,该滤波器整体尺寸为10 mm×5 mm,中心频率为26 GHz,3 dB截止频率分别为22.1 GHz和29.3 GHz,带宽为7.2 GHz,相对带宽达到了28%,滤波器的插入损耗为1 dB,回波损耗优于15 dB,上、下边带带外抑制均优于25 dB,可应用于毫米波频段无线通信系统中。     

微带DGS低通滤波器的设计

研究了实现DGS(defected ground structure)低通滤波器的方法。DGS滤波器具有很好的慢波、带阻特性,可以有效地改善滤波器特性。利用电路分析法讨论了DGS微带线的等效LC电路及其参数提取。研究了加窗技术在微带缺陷地结构中的应用,仿真表明加窗技术可以有效地改善带内平坦度。制作了相应的实际电路,仿真结果和实验测试结果基本吻合。     

提取太阳电池参数的解析方法和显函数方法的研究

对提取太阳电池参数的解析和显函数两种方法进行了比较研究。结果表明,两种方法均可以正确拟合太阳电池电流-电压特性,显函数方法的拟合精度比解析方法高约1倍,而解析方法的运行时间约是显函数方法的1%。在解析方法中,最大功率点选取将影响拟合参数的结果;而显函数方法,初始值的选取将影响太阳电池参数的拟合结果,选择合适的初始值可以大大提高太阳电池参数的拟合精度。     

一种微波滤波器的参数提取方法

在微波滤波器的计算机辅助调试技术中,必须要知道滤波器的状态参数。以往的方法主要是通过滤波器的耦合矩阵来求得它的状态参数,但计算起来相当复杂。介绍一种简单易行的提取滤波器状态参数的方法,该方法通过建立滤波器的等效电路模型,运用软件的优化拟合功能,从而提取出等效电路模型的参数值。实验证明,只要搭建的电路模型精确度较高,就能够迅速、准确地提取出滤波器的状态参数。     

基于微带和DGS耦合的谐振器及带通滤波器设计

提出了一种基于缺陷地结构的新型左手传输线结构。新结构由微带线与共面波导通过上下耦合构成,其中共面波导由缺陷地（DGS）结构设计,串联电容通过介质基板上表面的微带线与共面波导中心导带耦合而成,并联电感则由共面波导与地之间的短截线得到。     

基于DGS的微带DBR双工器的研究

提出了一种高隔离度的微带双工器结构.在微带双重行为谐振(DBR)滤波器中引入基于缺陷地结构(DGS)的低通滤波器,利用DGS的慢波特性减小DBR滤波器奇偶模之间的相速差,从而改善滤波器的上阻带特性.使用本文提出的微带滤波器结构设计并研制了一C波段的微带双工器,仿真和测试结果表明:微带双工器的插入损耗小于1.3dB,隔离度大于65dB.     

基于RBFNN和GA优化设计DGS微带*线

采用神经网络与遗传算法相结合的方法,对一种缺陷接地结构微带线进行优化设计。整个优化设计过程分为两步进行：首先采用基于混合递阶遗传算法优化训练的RBF神经网络对缺陷接地结构微带线进行建模,当神经网络模型训练成功后就实现了对这种缺陷地结构微带线传输系数快速和精确的输出仿真;然后利用该神经网络模型,并结合遗传算法共同优化设计这种缺陷地结构微带线的传输系数和尺寸参数。仿真结果验证了该方法的有效性和准确性。     

采用DGS降低相位噪声和提高输出功率的倒扣集成振荡器

设计了一种新型的缺陷接地结构(DGS)并将之应用到倒扣集成毫米波振荡器中.分析并比较了具有DGS结构和没有DGS结构的两种振荡器性能.测试数据显示具有DGS结构的振荡器与没有DGS结构的振荡器相比,相位噪声降低4～6dB,输出功率增加0.8dBm.研究结果表明DGS结构嵌入到振荡器的谐振电路和输出端时,振荡器的相位噪声降低且输出功率增大.     

一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法

提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法．这种方法以两组S参数为基础,应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数．该方法适用范围广．以一个0.3μｍ×280μｍ商用器件的一组寄生参数为基础,对该方法进行了验证．     

一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法

提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法.这种方法以两组S参数为基础,应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数.该方法适用范围广.以一个0.3μm×280μm商用器件的一组寄生参数为基础,对该方法进行了验证.