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本文讨论了国产厚膜导体材料的微波性能。用国产Au浆料和Pd—Ag浆料,通过传统的厚膜工艺,在99%Al_2O_3陶瓷基片上制作了一组特性阻抗为50欧姆的微带线。用薄膜技术制作了几条和厚膜微带线一样的薄膜微带线。使用HP8410S网络分析仪测出了频率在2~12GHz范围内各条微带线的散射参数的幅度和相位。对微带线的损耗测量值和理论值进行了比较。用台阶测试仪测绘出了微带线中心导体的截面膜厚分布图。实验结果表明:在频率8GHz下,国产Au厚膜微带线的损耗和薄膜微带线的损耗几乎相等。另外,用国产Au浆料制作了一个3dB分支线定向耦合器,器件的性能良好。 相似文献
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聚合物共面波导行波电极电光调制器 总被引:2,自引:1,他引:1
用聚合物材料BPAN-NT设计并初步成功制作了共面波导(CPW)行波电极电光调制器。用反应离子刻蚀(RIE)的方法制作脊波导,通过电晕极化使芯层有电光效应,利用电镀方法制作厚行波电极。对调制器的各项特性参数进行了测试,测得调制器的微波损耗系数0α=0.9 dB/cm.(GHz)1/2、在1.317μm波长上Vπ=250 V,由此算得芯层材料的电光系数3γ3=3.7 pm/V,同时测得消光比为13.49dB、插入损耗为18.6 dB,在8 GHz的微波频率上观察到了调制光信号,理论计算3 dB光调制带宽为43.77 GHz。 相似文献
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“中膜”工艺是一种兼有薄膜技术的高分辨率和厚膜技术成本低(因无需真空设备)等优点的工艺。本文就用于3~12GHz频率范围的微波集成电路的中膜微带传输线的性能给以阐述。对特性阻抗为35、50和71Ω的几个环形谐振器做了一些实验。这些谐振器是用中膜金导体在96%和99.6%的氧化铝衬底上制成的。进行了微带损耗的理论计算,并和使用扫频技术所得的微带衰减测量数据进行了比较。结果表明,中膜微带传输线的衰减与使用同样导体材料的厚膜线的结果基本相同,而且中膜另外还增加两个优点:一个是精细线条的分辨率高(50μm的线宽和间距),另一个是成本低。典型的数据是,在7GHz下在99.6%氧化铝衬底上的50Ω线的衰减常数是0.06dB/cm,而理论上的下限值是0.05dB/cm。另外,已经使用由100Ω厚膜电阻器(EMCA5512)隔离的中膜金微带支路制作出了Wilkinson 3dB同相功率分配器。也发现,中膜导体可以和厚膜电阻器同时使用,而且,正如所预计的,Wilkinson 3dB混合电路的性能为:在中心频率为6GHz、带宽为500MHz的范围内,隔离度大于30dB。 相似文献
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提出了一种基于MEMS技术的在线式微波功率传感器结构,并对该结构进行了理论分析、设计、制作和测量。该微波功率传感器通过加入阻抗匹配和开路短截线结构实现低损耗和宽频带的在线测量。该结构制作工艺与GaAs MMIC工艺完全兼容。测量结果显示,在8GHz~12GHz频率范围内,微波功率传感器的反射系数小于-18dB,插入损耗优于0.45dB,在10GHz中心频率下的灵敏度为12.0μV/mW。 相似文献
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BCB/InP基宽带低损耗共面波导微波传输线 总被引:1,自引:0,他引:1
面向高速行波电吸收(EA)调制器的需要,设计并制作了基于苯并环丁烯(BCB)聚合物/InP衬底的宽带(0~40 GHz)、低损耗微波共面波导传输线.对共面波导结构开展仿真设计,分别对BCB材料厚度、InP衬底导电率和信号电极宽度等关键参数进行了优化.结果表明,当设计的BCB膜厚为4 μm、InP衬底导电率小于0.002(Ω·cm)-1和信号线宽度为84μm时,微波传输性能可达最优.在此基础上,采用电阻率为108Ω·cm的半绝缘(SI)InP衬底、涂覆4μm BCB薄膜,制作出0~40 GHz范围内微波损耗小于0.5 dB/mm的共面波导传输线. 相似文献
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对滤波器的高精确度理论设计及小误差的工艺实现进行探讨与设计加工。总结了国内外的多种设计经验,讨论了多种类型的滤波器设计方案,选取适当的滤波器结构形式,设计加工了110 GHz的感性窗耦合波导滤波器,其中感性窗耦合结构采用传统机械加工技术实现,与法兰盘结构一并集成。基于高频结构仿真(HFSS)软件进行仿真,结果表明:设计并制作的110 GHz带通滤波器,其中心频率为110 GHz,相对带宽为5%,插入损耗小于1 dB,带内回波损耗大于 20 dB,距中心频率2倍带宽处,带外抑制大于40 dB。 相似文献
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系列微波宽带放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了反馈式放大器、平衡式放大器及行波式放大器等宽带放大器的工作原理,采用多种宽带电路结构设计制作了系列微波宽带放大器,进行了微波仿真,给出了设计过程及测试结果.频率覆盖2~18 GHz,分为2~8 GHz,4~8 GHz,8~12 GHz,12~18 GHz,6~18 GHz和2~18 GHz 6个品种,增益为10~30 dB,增益平坦度小于2 dB,输入输出驻波比小于2.5,1 dB压缩输出功率可达16 dBm.由于采用模块化设计,技术指标可以灵活调整,满足不同需要.该系列微波宽带放大器采用PHEMT管芯,微波薄膜工艺,封装在密封的金属盒体中,具有系列化、模块化和小型化的特点. 相似文献
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提出了一种具有工作和不工作两种状态的8GHz-12GHz宽带在线式微波功率传感器结构,该功率传感器通过测量由MEMS膜从共面波导线耦合出的一小部分微波功率实现功率的测量。为了降低功率传感器在不工作状态的微波损耗,提出了一种能够实现两种工作状态的新型的状态转换开关结构。该结构制作工艺与GaAs MMIC工艺完全兼容。测量结果显示,在10GHz中心频率处,该结构功率传感器在不工作状态下的插入损耗为0.18dB,而在工作状态下的插入损耗为0.24dB,这意味着在不工作状态下没有微波功率被耦合出来。 相似文献
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通信系统向高频的发展趋势使声表面波(SAW)滤波器技术面临着越来越多的挑战。利用传统材料制作SAW滤波器的中心频率很难达到GHz频段,因此探索在高声速材料基础上制作SAW滤波器成为一种必然趋势。基于高声速材料金刚石设计了IDT/ZnO/金刚石结构的薄膜SAW滤波器,设计了镜像阻抗连接IDT的结构参数,并采用ADS软件对该结构进行了建模仿真。然后,通过ZnO薄膜制备工艺和IDT电极制备工艺,获得了金刚石SAW滤波器样品。最后,采用RF探针台对所制得的样品进行了性能测试和数据分析。测试结果表明,在金刚石厚膜衬底上获得了频率超过1 GHz的SAW滤波器样品。 相似文献
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