显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金,首次穿相为Ｃｒ相,而对ＧｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金,首次击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高,电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织和成分均匀化,本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提     

真空间隙的电击穿分析

真空断路器在中等电压领域中被大量使用,但是由于订货、安装、检修存在一定的不严密性,造成在使用过程中出现了不少外部、内部缺陷及故障,其中真空击穿可谓是这些事故中比较突出的一个.对真空间隙电击穿的概念、原理分类以及影响因素进行了分析探讨,以便为检修开关的事故分析提供一些切实的依据.     

高温下 CuCr 触头材料对真空小间隙击穿强度的影响

测量了含不同合金元素的ＣｕＣｒ真空触头材料不同温度下的击穿强度,讨论了合金元素Ｗ、Ｃｏ及温度对ＣｕＣｒ真空触头材料高温下小间隙击穿性能的影响。     

真空灭弧室预击穿的测量与分析

通过对真空灭弧室击穿电压的测量,拟合出了真空灭弧室在小间隙下的击穿电压与间隙的关系式,结合对真空灭弧室电场强度的计算,得出了真空灭弧室的动、静触头在不同间隙下的击穿场强。将拟合到小间隙下的击穿电压与间隙的关系式应用到真空断路器关合时的预击穿特性,根据断路器的关合动特性,得到了断口间耐受电压随时间的变化规律,由此得出断路器实现同步关合的速度低限,以及在什么相位进行关合时暂态分量最小。     

真空灭弧室静态击穿电压的统计估计

基于统计学原理,借助于计算机辅助电场分析的手段,可以由少量的试验结果估计出大量真空灭弧室的静态击穿电压。     

硅烷交联聚乙烯的电击穿

研究了由乙烯-乙烯基三甲氧基硅烷共聚物制成的硅烷交联聚乙烯在30℃～160℃温度范围内的电击穿。在30℃下施加冲击电压时,不论采用何种交联方法以及交联度如何,交联聚乙烯的击穿场强 F_B 除个别情况外总是低于未交联的低密度聚乙烯。讨论了由于交联过程产生微孔,造成在非晶体区域的非均匀性,因而使 F_B 值降低。根据随机分布弱点模型和单电子雪崩击穿理论的统计方法,进一步讨论硅烷交联聚乙烯在室温范围内的击穿机理;还比较在高于室温区域的直流电压 F_B 值与冲击电压 F_B 值,并讨论了空间电荷对 F_B 值的影响。     

变压器油击穿电影响因素的探讨

变压器油的有机介质在运行的过程中会逐渐发生老化,从而影响绝缘的电气强度和寿命.本文介绍了影响变压器油击穿电压的因素,通过分析比较得出杂质是影响变压器油击穿电压的重要因素的结论,给出了提高工程用变压器油击穿电压的方法措施.     

串联电容器介质耐电强度试验研究

文中针对串联电容器的运行特点,对不同介质结构的串联电容器元件、串联段模型进行了交、直流电气击穿强度试验,对试验数据进行统计分析、比较和完全样本置信估计。对不同试验条件下的极间耐压、短时过电压及保护水平电压下的设计裕度进行了估计。对击穿元件的电压击穿点位置分布进行了占比分析。     

真空间隙在直流脉冲电压作用下的长延时击穿

真空间隙在直流脉冲电压作用下的长延时击穿国营旭光电子管厂陈军平编译１．前言就高压真空绝缘来说，导致真空电击穿的过程尤其是在大触头开距和长的时间延滞情形下的击穿过程，到目前为止尚有许多不明了的地方。近期的测量结果表明，机械冲击是导致间隙击穿的原因。击穿...     

浅析高压开关设备中提高气体间隙击穿电压的措施

从理论上分析了高压开关设备中提高气体间隙击穿电压的几项措施。     

PE/MMT纳米复合材料的电击穿与耐局放性能

为了研究具有优异热、力学性能的聚合物/层状硅酸盐(PLS)纳米复合物的介电性能,采用熔融插层法制备了低密度聚乙烯/蒙脱土(LDPE/O-MMT)纳米复合材料,试验研究了它的击穿性能和耐局部放电性能,并对击穿场强进行了威布尔(Weibull)分析。对比试验表明:加入相容剂的纳米复合材料的击穿强度明显高于纯聚乙烯,尤其是在试验温度为60~90°C的范围内,前者的击穿场强为后者的1.35~1.70倍;在相同测试条件下,纳米复合材料的放电量和放电次数都小于纯聚乙烯。通过对比试验研究证明:纳米蒙脱土改性聚乙烯具有更高的介电强度和更好的耐局放性能。     

提升纳米复合电介质击穿强度的理论与方法

聚合物复合电介质材料在电工领域有着广泛的应用。在电力设备运行过程中,电介质材料在温度、电(磁)场、机械力以及环境的作用下会发生击穿现象,造成电力设备失效以及由此引起的损失。因此,提升复合电介质的击穿强度一直是电工领域的重要问题。纳米复合电介质代表未来电力设备绝缘的发展方向。该文首先简述聚合物电介质的基本击穿理论,并总结提升纳米复合电介质击穿强度的基本策略及原理。接着,聚焦纳米粒子对电荷产生、输运以及电场分布的作用,总结几种提高纳米复合电介质击穿强度的方法,包括纳米粒子的表面工程、调控纳米粒子的维度和排列、制备多层结构的复合电介质、制备核壳结构纳米粒子复合介质,以及利用金属纳米颗粒的纳米效应。最后,对提升纳米复合电介质击穿强度未来的研究方向进行展望。     

高压短脉冲作用下岩石击穿特性的实验研究

为了开发脉冲等离子体钻机,开展了高压短脉冲作用下岩石击穿的实验研究。以去离子水为工作介质,将不同种类和不同厚度的岩石放置于尖板电极间,通过加载不同大小的电压于岩石上,考察了岩石的电击穿概率与平均电场强度的关系。实验结果发现:7%空隙率的黄砂岩电击穿场强为70kV/cm;0.8%空隙率的白大理岩电击穿场强为160kV/cm。岩石孔隙率的大小对电击穿场强影响显著,孔隙率越大,电击穿场强越小。岩石厚度对电击穿场强也有一定影响,电击穿场强随厚度增加而减少。     

直流电絮凝法处理印染废水的研究

为提高传统化学法和生物法处理色度高、颜色变化频繁、化学需氧量(COD)值大和pH值高的印染废水的效果,试验研究了用直流电絮凝法处理实际印染废水并分析了COD、pH值和COD的变化以及极板和电能的消耗。试验结果表明,电絮凝法处理效果好,对pH值要求低,工艺简单,操作方便,成本低。     

基于面积效应的真空灭弧室触头间隙击穿特性研究

针对一种中压真空灭弧室模型,研究开距变化时触头有效面积对击穿电场强度的影响。通过电场仿真计算得到了开距对触头间隙内有效面积的影响;通过冲击耐压试验得到了开距与击穿电场强度之间的关系。在此基础上发现在不同的开距范围内,触头间隙内的有效面积对击穿电场强度的影响不同:在开距1～2 mm范围内击穿电场强度Ebd随着触头有效面积Se的增大而增加;在开距2～6 mm范围内击穿电场强度Ebd随着触头有效面积Se的增大而减小。     

嵌入屏障的绝缘介质中电树生长模型

利用WZ模型将绝缘介质离散化,使用分形理论讨论了绝缘介质中电树发展的随机性和确定性。在原有WZ模型的基础上引入了分布耐电强度的概念,建立了新的模型。通过此二维模型仿真了在绝缘介质中嵌入了耐电强度高于原介质的屏障后的电树生长情况。在针板电极结构下用模型仿真了在绝缘介质中所嵌入屏障耐电强度的不同对电树发展造成的不同影响,并比较了不同情况下的平均击穿距离。通过比较得出,当嵌入耐电强度远大于原介质的屏障后,电树发展过程中需要绕过屏障进行生长,从而等效于增加了原有介质的厚度,使得整个介质的绝缘性能有一定程度的提高。     

真空熔炼CuCr25合金及其性能研究

采用真空熔炼法制备ＣｕＣｒ２５合金，能提高ＣｕＣｒ触头材料的生产率，节约Ｃｕ，Ｃｒ资源。实验结果表明，该合金Ｃｒ相尺寸为３０－５０μｍ，相对密度大于９８％，气体含量低于５００×１０＾－６Ｐａ，耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。     

液体介质击穿机理研究进展

在参阅大量文献的基础上,给出当前液体介质击穿理论的最新进展及成果:电子理论、气泡理论、小桥理论,并且比较分析不同理论的优缺点,指出纳秒脉冲液体击穿机理研究的独特性,供该领域的研究者借鉴。     

单片机控制绝缘油击穿电压测试仪

研制了采用AT89C5 1单片机的绝缘油击穿电压测试仪 ,提高了仪器的自动化程度和测试数据的准确性 ,介绍了仪器的硬件组成和软件设计 ,说明了系统的工作过程 ,分析了测量误差和减小误差的措施