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选择性相强化对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
研究了合金元素W、Co的加入对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响。研究结果表明,合金元素选择强化CuCr材料的Cr相能够显著提触头间隙的耐电压强度,而强化Cu相对间隙的耐电压强度没有明显作用。文章认为制备CuCr系触头材料时应选择适当的制备工艺,使合金元素能够选择强化材料中的Cr相。 相似文献
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显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了CuCr真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Cu50Cr50合金,首次穿相为Cr相,而对GuCr50Sel合金,首次击穿相为Cu2Se相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高,电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织和成分均匀化,本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提 相似文献
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合金元素对CuCr触头材料不同温度下真空耐电压强度的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
研究了合金元素W、Co对真空中CuCr触头材料在不同温度下的真空耐电压强度的影响。研究结果表明,高温时CuCr材料的耐电压能力比室温耐电压能力有所降低,合金元素W、Co通过弥散强化、固溶强化和增大了CuCr的表面张力而提高了CuCr材料室温及高温时的耐电压能力。 相似文献
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本文研究了真空灭弧室用CuCr25、CuCr50、WCu30烧结触头材料的真空间隙的绝缘性能。通过采用局部放电测量仪和多路分析仪,对预击穿阶段的典型现象──微放电现象进行了研究。结果表明,真空间隙的耐电压强度与微放电现象的特性参数之间具有非常密切的关系。 相似文献
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本文研究了真空灭弧室用CuCr25、CuCr50、WCu30烧触头材料的真空间隙的绝缘性能。通过采用局部放电测量仪的多路分析仪,对预击穿阶段的典型现象-微放电现胆进行了研究,结果表明,真空间隙的耐电压强度与微放电现象的特性参数之间具有非常密切的关系。 相似文献
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真空中沿固体绝缘材料表面的闪络电压通常远低于绝缘材料自身及相同长度真空间隙的击穿电压,长期以来这一现象极大地限制了高压电真空设备的发展进程。鉴于此,将一种具有优良的可加工性能及表面耐电特性的可加工陶瓷引入真空绝缘领域,进而通过离子交换的方式改变可加工陶瓷的表面元素分布,以降低其表面的二次电子发射系数。并采用Cu+置换可加工陶瓷表面的Na+,考察了经不同离子交换时间后试品的表面形貌、介电特性及沿面耐电特性。结果发现:Cu+离子交换Na+能够提高可加工陶瓷的沿面闪络电压,随离子交换时间延长试品的沿面闪络电压有提高的趋势,并且出现闪络电压最高点,当离子交换时间过长时,闪络电压会有所降低。这为通过表面改性无机材料提高其表面耐电强度提供了一种新的方法。 相似文献