抗坏血酸在L-半胱氨酸自组装膜修饰电极上的电化学特性

制备L -半胱氨酸自组装膜修饰金电极,并研究抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为,同时建立了利用修饰电极催化作用快速测定抗坏血酸的方法.在含有抗坏血酸的0.1mol/L HAc-NaAc(pH＝4.0)缓冲溶液底液中,在-0.20～0.60V(vs,SCE)电压范围内,用修饰电极作为工作电极进行循环伏安扫描,抗坏血酸分别在峰电位Epa=0.264V,Epc=0.199V(vs.SCE)处产生灵敏的催化氧化还原峰.修饰电极对抗坏血酸的催化氧化峰与抗坏血酸的浓度在4.0×10-7～7.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系.用该方法测定抗坏血酸检出限可达1.0×10-7mol/L.利用该方法测定维生素C丸中的抗坏血酸含量,结果令人满意.     

酞菁铁修饰碳糊电极测定抗坏血酸的研究

制备了酞菁铁邻苯二甲酸二正辛酯修饰碳糊电极,发现该电极对抗坏血酸的电氧化具有催化作用.在最优化条件下,抗坏血酸的氧化峰电流与其浓度在1.0×10-6～3.4×10-4mol/L范围内成良好的线性关系,检测限为3.2×10-7mol/L.初步讨论了电催化机理.该电极已成功用于果汁和药品维生素C片中的抗坏血酸含量的测定.     

酞菁铁修饰碳糊电极测定抗坏血酸的研究

制备了酞菁铁-邻苯二甲酸二正辛酯修饰碳糊电极,发现该电极对抗坏血酸的电氧化具有催化作用.在最优化条件下,抗坏血酸的氧化峰电流与其浓度在1.0×10-6～3.4×10-4 mol/L范围内成良好的线性关系,检测限为3.2×10-7 mol/L.初步讨论了电催化机理.该电极已成功用于果汁和药品维生素C片中的抗坏血酸含量的测定.     

盐酸曲马多在玻碳电极上的伏安行为及测定

研究了盐酸曲马多在玻碳电极上的伏安行为.在pH=7的BR底液中,用微分脉冲阳极溶出伏安法得到良好的氧化峰,峰电位为0.694 V(vs.Ag/AgCl).峰电流与盐酸曲马多浓度在6×10-6~1×10-4mol/L(r=0.995 1)范围内呈线性关系,检测限为1.52×10-6mol/L.采用该方法可不经分离直接测定药物制剂,回收率在95.6%~102.8%.     

铁氰酸镍复合修饰电极的电化学行为及其电催化研究

利用化学沉积技术制备了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极,研究了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极作为安培型L-半胱氨酸传感器的电化学行为.NiHCF修饰电极在不同扫速的循环伏安行为表明在-0.1～ 0.7 V电位窗内,半波电位(E1/2)为 0.393 V的可逆氧化还原波为[FeⅢ(CN)6]3-/[FeⅡ(CN)6]4电对;在扫速小于100 mV/s时,阳极峰电流与扫速成很好的线性关系;当扫速大于120 mV/s时,阳极峰电流却与扫速平方根成正比,电极反应被扩散过程所控制;NiHCF修饰电极催化L-半胱氨酸结果表明NiHCF的引入明显降低了催化氧化电位;实验结果表明L-半胱氨酸在1×10～2×10-2mol/L内,电流响应性与浓度成很好的线性关系,电极的检测限为2.6×10-6mol/L.NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极制备方法简单,电极稳定性高,表面可以更新,为三维复合电极在电催化中的应用和研究提供了新的方法.     

直接耐晒大红4BS的电化学行为研究及应用

采用循环伏安法和差分脉冲伏安法研究了直接耐晒大红4BS染料在碳糊电极上的伏安行为,探讨了其反应机理.该染料在pH 3.5的B.R.缓冲溶液中,有一对准可逆氧化峰和还原峰.通过差分脉冲伏安法测定,该染料在10^-3mol·L^-1～10-6mol·L^-1的范围内,氧化峰电流与浓度呈良好线性关系,检出限为2.5×10^-7mol·L^-1,由此建立测定直接耐晒大红4BS的差分脉冲伏安法.该方法可用于测定实验室染色废水水样中直接耐晒大红4BS的含量,平均回收率在95%～99.5%.     

羟基磷灰石修饰碳糊电极(HAP-CPE)预镀铋膜法检测水体中的Pb~(2+)和Cd~(2+)

以羟基磷灰石修饰碳糊电极为工作电极,采用预镀铋膜和差分脉冲溶出伏安法检测水体中的重金属离子(Pb~(2+)、Cd~(2+))。考察了Bi 3+投加量、富集电位和富集时间对测定重金属离子的影响。结果表明,在Bi 3+质量浓度200μg/L、富集电位-1.0V、富集时间360s条件下制得的电极最为灵敏。该电极对Pb~(2+)和Cd~(2+)的可检测范围为10~350μg/L,检出限分别为1.252和1.242μg/L。平行测定显示其具有较好的重现性,且样品回收率达到99.42%、97.88%。利用本方法可实现Pb~(2+)和Cd~(2+)的高灵敏度同步检测分析。     

阳极溶出伏安法测定半光亮镍镀液中磺基水杨酸

研究磺基水杨酸在玻碳电极上的电化学行为,并确定溶出伏安法对其进行测定的实验条件。通过考察底液、底液浓度、富集电位、富集时间等因素对峰电流的响应情况,确定最佳实验条件。表明:在0.05mol/L的KCl底液中于0.1V富集3min后,进行阳极扫描,扫描范围0～2V,扫描速率为0.1V/s,发现磺基水杨酸在三电极系统玻碳电极上产生一灵敏的氧化峰,峰电位为1.5V。在1×10-4～4×10-3mol/L范围内磺基水杨酸与峰电流呈良好线性关系,检出限达8.8×10-5mol/L。将该方法用于测定半光亮镍镀液中的磺基水杨酸的浓度,结果令人满意.     

对乙酰氨基酚在玻碳电极上的伏安法测定

采用循环伏安法,对对乙酰氨基酚在玻碳电极上的伏安行为进行了研究,并在1.0mol/L的盐酸溶液中得到一灵敏而尖锐的氧化峰,EP为+795 mV(vs.Ag/AgCl)左右,峰电流与对乙酰氨基酚浓度在6.6×10-6～1.32×10-4mol/L近3个浓度范围内呈现良好的线性关系.该法应用于扑热息痛药剂含量的测定,简便快速.     

基于氧化铝模板亚甲基蓝修饰电极的电化学性质及对抗坏血酸的催化氧化

采用电化学方法制备聚亚甲基蓝（PMB）修饰阳极氧化铝（Anodic alumina oxide,AAO）纳米电极（PMB/AAO）,并研究该电极的电化学性质和对抗坏血酸（AA）的催化氧化.结果表明：PMB/AAO纳米电极对AA有明显的催化氧化作用,其催化活性强于PMB/Au电极的催化作用.同时,应用线性扫描伏安法（Linear Sweep Voltammetry,LSV）对AA进行定量分析,其氧化峰电流与AA的浓度在5.0×10-6～1.0×10-3 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0×10-6 mol/L.该电极重现性良好,并将PMB/AAO用于维生素C片剂中AA的测定,结果令人满意.