利用三相负载中点电位波形的变化来监视三相可控硅交流调压装置输出电压的对称度

我厂氨合成塔电加热器采用三相可控硅调压装置供电,其原理接线如图1所示.图中R_A、R_B、R_C分别为电加热器三相负载电阻(材质Ni_(80)Cr_(20)).可控硅AKGZ、BKGZ、CKGZ分别与硅整流器AGZ、BGZ、CGZ反极性并联.合成塔升温时,通过改变可控硅元件的导通角,就能改变调压装置的输出功率,从而实现对合成塔触媒温度的调节.图2表示在不同的控制角α时A相负载电压的波形图,可见,装置的输出电压已经发生畸变,已不再是一个正弦波.在这种情况下,要用普通示波器观察三相负载电压的对称度是十分困难的.一九七八年,我们试制了一台功率为1000KVA三相可控硅调压装置.在调试的     

提高高压直流发生器稳定度的原理及措施

在高压直流发生器中,通过调节主触发电路输出脉冲的触发角可调节半可控桥整流电路电压;亦可调节逆变触发电路使可控硅逆变电路的输出波形的脉宽或波形的频率发生变化,控制发生器的输出电压。在相位控制方式中,采用从高压侧引入采样信号方式,发生器稳定度更高一些。     

数显式调压装置

普通的可控硅无级调压电路是通过连续调节控制回路的电压,改变可控硅的导通角,来改变主回路的输出电压。这类电路结构简单,输出电压可无级调节。但由于是模拟调节,输出电压难以定量显示;每次开机时的输出值都处在上次关机时的位置,不能预先设置。这对电风扇启动不很理想。 本文介绍的数显式调压装置,具有1～9档确定的电     

东芝S3ES、D91SB、F2DB/P、D3SS大屏幕,F3SSR宽屏幕机芯保护电路原理与维修(五)

2.测量关键点电压,判断是否保护(1)判断是否进入保护状态由于保护时采取待机方式,如果开机的瞬间有+B电压输出,然后降为70V左右,即可确定是进入保护状态;同时测量可控硅电路D471控制极电压,自动关机后,D471控制极电压由正常时的0V,变为0.7V,即可判断是进入保护状态。对开关电源维修时,可对判断故障范围内的元件电压进行测量,表1是该开关电源和保护电路三极管     

内置调光功能且封装面积小的LED驱动控制IC

瑞萨电子新推出了LED驱动控制IC“R2A20135SP”,该产品集成有检测三端双向可控硅开关元件（TRIAC,相位）调光器的导通角信息、并可将其反馈到输出电压的导通角检测电路。与需要准备外置导通角检测电路的瑞萨原产品“R2A20134”相比,新产品可将印刷基板上的封装面积削减约40％。该产品主要面向LED照明器具。     

不用电源变砣器的CMOS——可控硅电路

一、引言 采用通常由电源变压器供电的办法,当CMOS组成的电路作功率控制时,输出功率要受到变压器容量的限制。利用CMOS集成元件低功耗、工作电源电压范围宽抗干扰能力强、输入阻抗高等特点由市电220V(或380V)电阻降压供电,使电路系统正常工作,简化了电路。 CMOS集成件输出直接控制灵敏度高的通用小功率可控硅,通过小功率可控硅接成的所谓准双向可控硅,便可作交流负载控制。再由准双向可控硅与大功率双向可控硅组成的复合可控硅,便几乎能控制任意大安培的可控硅。见图(1)。     

矩阵变换器的输入电流控制策略

根据有功功率平衡原理推导出不平衡输入电压下表征矩阵变换器输入电流特性的通用方程,分析表明矩阵变换器的输入电流特性只能通过对输出功率及输入电流偏置角的控制来调节.根据矩阵变换器输入电流特性方程及输入电流控制目标得到3种典型输入电流控制策略.在输出电压平衡正弦的情况下:使矩阵变换器的输入电流矢量与输入电压矢量保持固定的功率因数角(策略1),可得到不平衡且非正弦的输入电流男;使输入电流矢量跟踪输入电压正序分量与负序分量之差的方向(策略2),可得到不平衡但正弦的输入电流;输出电压矢量幅值变化并使输入电流矢量与输入电压正序分量保持固定的功率因数角(策略3),可得到平衡正弦的输入电流,但输出电压不平衡且非正弦.其中,策略1的输入功率因数及输出电压控制能力最强,但输入电流波形质量最差;策略2的输入电流波形质量较好,但输入功率因数和输出电压控制能力有限;策略3得到的输入电流波形质量最好,但输出电压特性最差.通过仿真及实验验证了理论分析的正确性.     

用电子调压器调整操作控制电源

利用可控硅交流调压原理（即改变可控硅导通角的大小,从而改变输出电压的大小）来实现控制电源的电压调节。     

步进电动机可控硅驱动电源抗干扰的研究

(一)可控硅驱动电源的概述功率步进电动机可控硅驱动电源,由于采用了电流电压耐量高,(di)/(dt)、(du)/(dt)大的高频可控硅作为开关元件,很容易提高线路的工作电压和工作频率,能较好地发挥电机的工作性能,获得较大的输出功率。图1是这种驱动电源的单相主回路,其中L_P 为步进电机控制绕组电感。当接通电源时,SCR_3先被触发导通,切换电容C_2,由 E_G 经 SCR_3充电至 E_G,极性是左正右负。当该相绕组工作时,首先是 SCR_3消失触发信号,之后才是 SCR_1、SCR_2同时触发导通。一方面 SCR_2一开通,C_2通过 SCR_2、SCR_3放电,关断SCR_3。继而通过能量转换回路 L_4D_4     

可控硅感性负载交流调压设计与瞬态分析

对于双向可控硅控制大功率感性负载的交流调压装置,大功率感性负载的瞬态尖峰电压容易导致可控硅误导通,输出电压波形不对称导致无用功率增加而损坏负载的问题。通过对交流调压电路建模,分阶段分析电路特性,设计了一种过零移相触发调压电路,并改进电路结构参数,避免直接工作在大导通角状态下相位对电压的影响,大大减小瞬态突变电压干扰,消除了误导通情况。实验结果证明,此电路很好的实现了感性负载交流调压功能,控制输出精度高,电路性能稳定且抗干扰能力,证实了设计与分析的有效性。     

变频器谐波抑制方法及测量

变频器产生谐波的原因众所周知,目前低压变频器(≤700V)的主电路都选用交-直-交形式,且是电压型,如图1所示。它有整流部分AD/DC及逆变部分DC/AC,电容器C接在P N-。它的输入及输出电压、电流波形见图2。及输出电压、电流波形见图2。AD/DC直流逆变成交流DC/AC直流DCP 交流任意可调频率R交流U·VWSMT50HzIpcN-交流变成直流制动图1交直交电压型变频器主电路及输出电流波形主回路电源(输入)端主回路电源(输出)端主电路电压波形电流波形电压波形电流波形直流输出部分频率P -N图2输入部分:电压主波形为正弦波,但电流波形为非正弦波,…     

可控硅整流中的一种防护方法

在输出电压能大幅度变化的直流稳压电源中,为了能达到减少串联调整管功耗的目的,一般采用可控硅整流技术。控制可控硅导通的触发电路一般是取样于调整管两端的管压降。当输出电压调低时,调整管两端的管压降升高,触发电路产生的触发脉冲相位后移,使可控硅导通角减小,于是输入电压减少,调整管两端电压也随之减小,从而抵消了因输出电压调低而引起调整管两端电压的升高,最终使调整管两端电压控制在一定的范围内,反之亦然。     

关于不对称桥式半控线路的问题

《电气传动》1977年第一期《一种改进的桥式半控线路》一文(以下简称[参1])中介绍了一种线路(见图1),这样线路与一般的桥式半控线路不同之处在于:将有可控硅元件的可控半桥接到整流变压器次级全电压上,而将有硅整流元件的不可控半桥接到其抽头上。为了与一般的桥式半控线路相区别,我们不妨称这种线路为不对称桥式半控线路。不对称的意思是指可控半桥与不可控半桥的电压不对称。 [参1]分析了这种线路的特点。文中说“由于可控半桥的交流电压比不可控半桥的交流电压为高,所以当输出电压V等于零伏时的控制角α,可以做到小于150°,甚至更小,此     

采用波形合成法的级联型多电平逆变器谐波控制

为改善级联型多电平逆变器输出电压波形质量,对通过控制逆变单元开关角实现级联多电平逆变器谐波控制的方法进行了分析研究。针对解方程组法消除特定谐波中高次多变量方程组难于求解的问题,提出了一种波形合成消除特定谐波的方法。利用此方法可通过简单的三角公式递推计算获得实现特定谐波消除的开关角。依据理论计算结果进行的例证演示列出了开关角所有可能的取值情况,说明通过逆变器开关角的选择可同时实现输出电压中特定谐波的消除及基波幅值的调节。仿真与实验结果验证了该方法的可行性。     

从电子、家用电器元器件到基本电路(十一)

(10)可控硅(又称晶闸管):它是一个四层(P、N、P、N)、三个极(阳极A、阴极K、控制极G)、三个PN结(J1、J2、J3)的硅半导体器件,如图86所示。可控硅整流元件与普通硅整流元件(不可控)相比较,发现普通硅整流二极管上加上一个正向电压,它就立即导通,而可控     

可控硅装置换流时产生的电网电压瞬变对其它可控硅装置的干扰

采用可控硅变流器的地方,由于可控硅元件在电路中的开通,要造成电压和电流的突变,从而引起电网电压畸变,即在电压波形上叠加一些尖脉冲或出现缺口。这些畸变会对其它可控硅装置的触发线路产生干扰,使它们不能正常工作。本文通过QX63—20强力旋压机床的主传动和进给控制系统之间的干扰实例来对论这一问题。     

可控硅直交流变换器

可控硅是近十年来劳动人民创造的一种新型半导体元件,无产阶级文化大革命以来,可控硅的生产和应用在我国得到了突飞猛进的发展。我厂对可控硅这一技术的应用也作了些试验。现将我们试制的可控硅直交流变换器及其试用简况介绍如下。一、概述我们试制的可控硅直交流变换器的输入电压为110伏直流电压,输出为110伏400赫芝交流电压300VA容量,波形为方波,效率为70%,它用作中频电源,供仪器配套,可代替原来的笨重昂贵的中频发电机组,具有体积小,重量轻没有运转噪音等优点。     

整体型分马力逆变器异步电动机研究(二)SPWM变频器

1.概 述 VVVF变频器是整体型分马力逆变器异步电动机的重要组成部分。本项目研制的变频器其特点: (1)逆变器的功率元件和驱动元件均采用模块器件,使逆变器的可靠性高、体积小、重量轻。 (2)逆变器输出电压波形好。输出电压波形为正弦PWM波,经过电机绕组电感滤波,绕组中电流波形为正弦波。 (3)可以很方便地调节逆变器的输出电压,可以设定整个频率范围内不同频率时的电压值,从而可以很好地与电机匹配。 (4)可以很方便地调节电动机的起动时间,逆变器内含软起动和软制动,避免了起动     

利用GCF-2高频磁放大器作调节器的试验小结

通常,在可控硅控制的传动装置中,为实现电压、电流、速度等控制,广泛采用了晶体管调节器。由于晶体管调节器是低压弱电元件,它不能直接与50伏以上的强电回路联接,需要隔离。为此设计了直流电压检测、电流检测、高频磁放大器等检测单元,输出与主回路隔离的电压、电流、速度等信号,供晶体管调节器使用。图1示出了我所设计的GCF—2高频磁放大器原理图(图号0L97—01、02、03YT)。     

可控硅电压调节器的高频干扰

大功率半导体技术的迅速发展,已使大量的、各种各样的、具有特大功率、具有高度可靠性和很小外形尺寸等技术指标的调节电流和电压的装置能研制出来。照例,其中包括着可控的半导体可控硅整流器。可控硅电压调节器方块图如图1所示。用包含有控制脉冲的形成部件和反馈部分的相位脉冲控制电路(СИФУ)来改变可控硅T_1、T_2的导通角。这个部分对调节器的控制,取决于作用在调节系统上的因素。人工换向部件(УИК)可以关闭处于导通半个周期的可控硅。