铜质异形辐射栅极(网)的设计

本文提出了铜质异形辐射栅极的设计计算方法。通过计算确定中心圆铝丝、铝型丝、镀层厚度及铜管尺寸,能够满足所要求的栅极几何形状和尺寸。其中的计算公式可作为设计此种栅极和类似栅极的参考。     

滚焊、钎焊法制造输辐状栅极

铜的蜂窝状栅极由于散热性能不佳,在功率比较大的速调管中不仅容易产生变形,影响管子参数,甚至还可能被烧毁,而使管子报废。为了满足速调管输出功率增加的要求,我们用滚焊和钎焊的方法制成了输辐状的钼栅极。此种栅极(见图1)国外已有应用,但我     

低栅极电荷MOSFET可简化栅极驱动设计

在高频快速开关电源变换器设计中，设计者通常要求电源变换设备能够在极短的时间内转移栅电荷，并产生噪声较低的干净波形。采用国际整流器公司的“低电荷”ＬＣ系列ＨＥＸＦＥＴ能够降低栅极驱动要求和开关损耗并可简化驱动电路。这类器件的输入电容较小，所以较容易驱动...     

电子管栅极新材料

上海电子管厂与机械工业部上海材料研究所协作,在1976年至1978年间,共同研制成功了Fe-Ni-Mo合金代替作电子管栅极材料的钼丝。新材料用大气中频感应炉冶炼,经过锻造、轧制、退火、拉丝以后,机械性能及电参数等均达到钼丝的技术要求,先后使用在收讯、放大管的各种类型栅极上,制造电子管近十万只,流入整机使用。结果与原产品无明显差异。在东北地区用户反映其寿命比原来的更长。而6J4管子用于上海电表厂的产品上,功效比原来的更佳。     

6017钼栅极和石墨栅极掩模的电火花加工

一、6017钼栅极的特点形状像鸟笼式的6017钼栅极(图一)是由内栅和外栅(图二)组成的。以内栅为例,外径φ41.6毫米,共120根栅丝,每根宽0.12毫米。     

双极栅极驱动器系列

ZXGD3000能输入高达9A的电流，栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快。该系列包含4款高速非反向栅极驱动器，电源电压为12～40V。其快速开关射极跟随器配置，实现了小于2ns的传播延迟和大约10ns的上升／下降时间。ZXGD3000还能防止锁定，并消除击穿现象。     

MOSFFT栅极驱动发生器

ＭＯＳＦＦＴ栅极驱动发生器印度Ｃｅｎｔｒｅ　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ＴｅｌｍａｔｉｃｓＶ．Ｌａｋｓｈｍｉｎａｒａｙａｎａｎ毫无疑问，功率ＭＯＳＦＥＴ正在日益普及，但是，由于它需要栅极驱动电压，因而人们可能对其某些优点持否定态度。在ＭＯＳＦＥＴ从...     

高压栅极驱动器IC

该系列包括具备关断功能的双输入、双输出／高侧和低侧栅极驱动器FAN7392;具备关断功能和受控死区时间的单输入、双输出／半桥器件FAN7393;具备关断和固定死区时间控制功能的单输入、双输出／半桥器件FAN73932,以及具有可控死区时间的双输入、双输出／半桥器件FAN73933。     

栅极电阻及其影响

在设计DC/DC转换器时,在MOSFET的栅极上串联一个电阻Rg或将它接在MOSFET的栅极与驱动电路之间,这是常见的做法。Rg能够衰减栅极上出现的振荡,但降低了转换器的总效率。如今的转换器中,空间十分宝贵,元件变得越来越小,传统     

IGBT的栅极驱动

ＩＧＢＴ的栅极驱动是ＩＧＢＴ应用中的关键问题。本文阐明构成ＩＧＢＴ栅极驱动电路的注意事项，基本电路参数的选择原则，还介绍了几种驱动电路实例。     

平板栅极的热计算

本文从热辐射及热传导的基本原理出发,导出了计算栅极温度分布的公式,这些公式适用于计算带加强筋的平板框架栅极。介绍了利用电子计算机进行计算的三种计算方法。给出了具有两根和六根加强筋的平板框架栅极的计算结果。对于没有加强筋和有任意根加强筋的平板框架栅极的热计算,也可以采用本文中列举的公式进行。平板栅极的热计算是微波三极管设计中的重要课题之一,近代微波三极管为了提高工作频率和电气性能,往往采用精密的细栅丝,近的阴栅距离及高的栅耗。因此,栅极的工作温度往往较高。若栅极的热设计不当,则往往导致栅极松丝,而引起阴栅短路。或栅极涂复层蒸散使栅放增加及缩短电子管的寿命等问题。为了提高栅极的热性能,在平板框架栅极中,常常设计多根起加强支撑和散热作用的加强筋。在什么情况下需要设置加强筋,筋的尺寸及位置的选择,都是电子管设计中必须回答的重要问题。利用电子计算机进行计算的优点是可以在短时间内进行多种方案的选择,以得到既能保证电气性能的要求,又能保证安全热性能的最佳栅极结构。本文首先叙述了栅极接受功率的计算方法。同时对计算中的若干近似做了说明。然后叙述了利用电子计算机计算的三种计算方法,即迭代法,解方程组的方法和叠加法。并讨论了这几种计算方法的优缺点及其计算结果。     

紧凑型高速单通道栅极驱动器

该UCC27511与UCC27517驱动器是TI最新UCC2751x系列的新成员,可有效取代使用双极型晶体管的分立式栅极驱动电路。     

600V栅极驱动IC

新系列有五款高速功率MOSFET和IGBT驱动IC,它们的源电流输出最高达1．9A,最大吸电流能力为-2．3A,具有快速开启和关闭时间。同时,高电流能力能够让这些新器件有效地驱动更高功率应用中更大的开关。该系列产品包括两个半桥驱动器;     

紧凑型车用栅极驱动IC

在IN引脚的低输入状态下,OUTL被下拉至VEE,帮助实现IGBT低限度和广泛选择下的负栅极驱动。内部击穿预防逻辑控制OUTH和OUTL,以避免同时传导,从而优化纯时滞。另外,新器件通过一个LPM输入引脚来激活低电流消耗模式,以更加缓慢的操作延迟来减少IC消耗。     

MOSFET栅极驱动的优化设计

介绍了MOS管的电路模型、开关过程、输入输出电容、等效电容、电荷存储，及其对MOS管驱动波形的影响和驱动波形的优化设计实例。     

电子管栅极的制造方法

本发明涉及一种电子管栅极的制造方法,通过含碳气体的热分解使热解石墨沉积在芯模上,把由此构成的坯体与芯模分离,就具有栅极的形状和尺寸。石墨作为一种材料,已经在充气管或高真空的管子中获得了广泛应用。决定石墨在这些     

大功率电子管热解石墨栅极

大功率发射管的栅极一般都采用钨、钼材料。随着电子管的发展,采用栅极涂复的办法,改善了栅极的性能。但是用钼做栅极经过涂复处理后装成的电子管,在应用时如果增加栅极耗散,会出现热发射、二次发射和机械稳定性差等缺陷。严重影响电子管的寿命、电气参数和整机的正常使用,特别是在作丁类放大器时更为明显。采用热解石墨做栅极材料,成功地克服了以上缺点,提高了电子管栅极耗散功率,使电子管又向前发展了一步。     

三相BLDC电机栅极驱动器

MCP8024能够为dsPIC数字信号控制器（DSC）和PIC单片机（MCU）供电,同时驱动六个N沟道MOSFET。它可在6～28V的较大电压范围内运行,可承受高达48V的瞬态电压。     

大电流MOSFET栅极驱动器

该系列包括6A吸入电流同步MOSFET栅极驱动器ISL6615和ISL6615A。这些驱动器增加了栅极驱动电流（UGATE的流出和吸入栅极驱动电流为4A,LGATE的吸入和流出电流则分别为6A和4A）,可以缩短栅极电压上升、下降时间。     

新型前栅极CNT-FED的研究

传统的前栅极场致发射显示板由于介质层和栅极的制作在生成或制作阴极场致发射源之后，在制造过程中容易破坏场致发射源；另外阴极发射对介质层厚度、阳极电压和调制极开口等参数非常敏感，所以器件的发射均匀性难以保证。为了解决这些问题，引入了类似HOP玻璃的结构。阴极上只需要丝印碳纳米管，无需制作介质层和栅极，解决了场致发射源被破坏的问题。阴极与栅极之间真空取代了介质层，由于真空的绝缘性能高于介质层，所以阴极与栅极之间的距离可以减小，栅极的调制效果更显著。由于玻璃的平整度高于一般方法制作的介质层的平整度，所以器件的发射均匀性比较好。