历产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索，成功实现了在国产设备上搠制Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶。填补了空白，节约了外汇，打破了迷信，为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

在国产炉上研制区熔D101mm硅单晶

高反压，大电流电力电子器件的发展要求FZ硅单晶直径进一步增大，大直径FZ硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产D101mmFZ硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索。成功实现了在国产设备上拉制D101mmFZ硅单晶。填补了空白。节约了外汇。为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

Φ105mm区熔硅单晶设备改造

本文分析了“ＥＢＧ－６０”型高频感应加热装置的结构及一些问题，介绍了如何使其适用于控制Φ１０５ｍｍ区熔硅单晶的方法。     

大直径（100）区熔硅单晶生长的特点

大直径〈１００〉区熔硅单晶生长的特点谭伟时陈勇刚孙华英周旗钢（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：大直径区熔硅单晶１引言随着电力电子器件的飞速发展，高反压、大电流半导体器件对硅单晶的质量要求越来越高：纯度高、直径大、无位错、无旋涡缺陷及电...     

Φ20mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚泊选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转瘃规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

Φ125mm硅单晶的控氧技术

Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...     

Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10 5mmFZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述     

Φ125 mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究

为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。     

探测器级NTD硅单晶的研制

介绍了探测器级NTD硅单晶的制作工艺 ,并对如何保证探测器级NTD硅单晶的质量进行了讨论。     

300 mm 硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析

采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟，模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变，以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程，考虑了硅单晶的各向异性，计算了〈100〉硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律，结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著，界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。     

8英寸大直径区熔硅单晶在津投入试生产

天津中环半导体公司最新研制开发的国内首颗8英寸大直径区熔硅单晶投入试生产。其产品质量和工艺技术达到国际先进水平,并使之形成从节能材料到硅片、芯片制造的垂直整合能力和完整产业链。     

固结磨料切割Φ200 mm硅单晶表面损伤研究

研究电镀刚石线在多线切割过程中对半导体硅材料的去除机制与表面损伤情况,在不同的钢线速度下对Φ200 mm硅单晶进行切割实验,并对切割的试样与切屑进行扫描电镜（SEM）测试,观察试样的表面形貌和切屑的形貌,分析半导体硅材料的去除机制与硅片表面不同位置的粗糙度及损伤深度。结果表明：电镀金刚石线切割硅晶体时,线速度越高,进给速度越小,硅晶体材料越容易以塑性方式加工;固结磨料切割后的硅片表面,沿着工作台进给方向,表面粗糙度先增大再减小,硅片中间位置粗糙度最大。钢线入线位置的损伤层最深,且随着切割深度的增加,表面损伤层深度逐渐减小;沿着钢线往复运动的方向,两侧边缘位置粗糙度比中间小,钢线前进侧损伤层深度比回线侧深;进给速度一定时,硅片相同位置表面损伤层深度随着钢线速度的减小而增大。切割后的硅片表面由于局部切削热应力分布不均匀导致有微裂纹产生,相同进给速度时,线速度越高,切割后硅片相同位置表面微裂纹越窄,反之表面微裂纹越宽。     

NTDFZ（H）－Si单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用

ＮＴＤＦＺ（Ｈ）－Ｓｉ单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用陈燕生，刘桂荣，王培清（北京科技大学１０００８３）（清华大学电力电子厂）陈炳贤，张文成，郑慧秀，解俊东（中国科学院原子能研究院）（冶金部自动化研究院）关键词：区熔，硅单晶，热处理，微缺陷，...     

在线监测技术在Φ550mm轧机上的应用

本文介绍了Industral—PC工业控制机在φ550轧机生产线上进行在线监测的应用,并重点介绍了该系统的主要功能及在轧钢生产、工艺技术管理、设备管理工作中的使用情况。它以科学先进的手段代替了传统的经验操作,取得了可喜的效果。     

在Φ650 mm开坯轧机上轧制棒材的生产实践

介绍了在φ650mm开坯轧机上生产圆钢的生产工艺设计和生产经验，为φ650mm开坯轧机轧制棒材的工艺设计提供参考。     

在Φ825mm轧机生产SuS630Φ100mm钢材生产工艺的研究

马氏体沉淀硬化不锈钢的热加工温度范围较窄,轧制成形比较困难,本文介绍了马氏体沉淀硬化不锈钢SuS630在Φ825mm初轧机上和Φ825mm单机座精轧机上生产Φ100mm钢材的生产工艺;较详细地介绍了该种钢的加热工艺、压下制、轧制方式、轧制温度及在轧机上所采用的孔型系统,同时对成材后的热处理工艺也作了介绍。通过制订的工艺在生产中的实践,证明了该工艺是可行的;钢坯的成材率指标、钢材的尺寸精度、表面质量、组织性能均达到了较好的水平。     

Φ840 mm自动轧管机回送辊的研制

介绍了Φ840mm自动轧管机回送辊的工况条件,该轧辊成分选择原则、铸造工艺、球化孕育处理工艺等。研制出的自动轧管机回送辊综合指标符合GB/T1504—91标准,轧辊的强韧性、耐磨性好,达到同类产品较好水平。     

周期轧管工艺生产Φ508mm×50mm WB36钢管的研制

WB36钢管(%:0.16C、0.46～0.47Si、1.02～1.05Mn、0.008～0 010P、0.00IS、0.29～0.30Mo、1.17～1.20Ni、0.58Cu、0.02Nb、0.05 Al)冶金流程为45 t EAF-LF-VD-Φ600 mm铸坯-穿孔,ΦP600 m×70 mm-Φ720周期轧管机组轧制.通过控制环形炉加热气氛,均热段温度～1 250℃,穿孔温度1 100℃,随后毛管在周期轧管机中以三向压应力状态进行轧制,WB36钢管淬-回火后的组织为铁素体+贝氏体,室温和高温力学性能以及焊接性能均符合EN10216-2标准要求     

Φ160mm高强韧性非调质钢S38MnSiV的研制

采用30t EBT EAF-40 t LF+VD-3.16 t铸锭-800/650×4轧机流程开发了Φ160mm非调质钢S38MnSiV(%:0.38～0.45C、0.55～0.75Si、1.40～1.55Mn、0.08～0.15V、0.020～0.050S、≤0.025P)。检验结果表明,钢材中氧含量(8～13)×10^-6,氮含量(128～186)×10^-6,氢含量(0.4～1.2)×10^-6;Φ160mm非调质钢S38MnSiV锻成Φ110mm圆钢的组织和机械性能均满足标准要求,用该钢生产的曲轴中值弯曲疲劳极限为3633.3 N·m,安全系数1.771。