InP/InGaAs异质结双极晶体管研究

阐述了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ异质结双极晶体管的最新发展动态,重点讨论了ＨＢＴ的结构与性能以及ＨＢＴＩＣ的高速性能与可靠性问题     

InGaAsP/InP激光二极管与异质结双极晶体管的单片集成

本文报导了1.3μm 波长范围的激光二极管及其高速激励电路首次成功地集成在一起的情况。在这种光电子集成电路中,利用在同一衬底上生长的 InGaAsP 和 InP 液相外延层制作了隐埋异质结激光二极管和三个异质结双极晶体管。因异质结构的发射极效率较高,故做出的异质结双极晶体管具有高速性能。结果证实了这种新型的光电集成电路可在频率高达1.6GHz下工作并观测到调制的激光器输出。     

InGaAsP/InP波长可选异质结光电晶体管

采用InGaAsP/InP材料系,将吸收层加到宽带隙异质结光电晶体管上,研制出了具有窄光谱响应的高增益光电晶体管(波长可选光电晶体管)。得到了光谱响应峰值约1.2μm,光谱半宽度为53μm。在峰值波长和入射光功率P_(in)为3.6μw时,这种器件呈现出高达400的光学增益。在P_(in)=10μw时,测得上升时间是18μs。还测量了器件的噪声特性,在光学偏置功率为0.1μw、频率为2 KHz时,估计器件总探测度为3.7×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。从理论上详细讨论了这些特性。     

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;     

InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;     

垂直集成的InGaAsP/InP双异质结型的双极晶体管和双异质结激光器

据《A.P.L.》1987年6月报道:美国加利福尼亚州理工学院已成功地研制出垂直集成的InGaAsP/InP异质结双极型晶体管(HBT)和激光器,该器件由七层组成,上面四层构成双异质结激光器,下面四层构成双     

InP／InGaAs异质结双极晶体管研究

阐述了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ异质结双极晶体管的最新发展动态，重点讨论了ＨＢＴ的结构与性能以及ＨＢＴ ＩＣ的高速性能与可靠性问题。     

InGaAsP/InP准平面异质结双极晶体管及其与光器件的集成

本文采用计算机辅助分析等方法,讨论了InGaAs/InP异质结双极晶体管(HBT)结构参数与其性能的关系.在此基础上,提出了一种准平面、双集电区HBT,及其相应的制作工艺.初步测试了器件的性能,就其与材料质量的关系作了讨论.文章还提出和制作了一种采用这种HBT为电子器件的光电子集成电路(OEIC).     

收集区制在半绝缘磷化铟衬底中的InGaAsP/InP异质结双极晶体管

本文提出并成功地试制了一种InP异质结双极型晶体管.其主要特点是利用在半绝缘InP衬底中注硅形成收集区,然后再进行液相外延形成基区和发射区.本结构能有效减少基区一收集区的结电容C_(BC)和寄生电容.避免了薄基区上制作基极欧姆接触时经常发生的基极-收集极之间的短路问题,提高了器件的可靠性结果表明,该器件具有较高的共发射极电流增益(h_(FE)=150～250),并能够双向工作.文章对该结构的优点进行了分析,给出了器件的工艺过程.     

InGaAsP/InP双异质结激光器的研究

近年来,激光通讯技术在国内外迅速发展。作为长波长激光通讯光源的InGaAsP/InP激光器也在不断改进,目前国际上已开始进入实用化阶段。我们从1979年开始研制InGaAsP/InP双异质结激光器,同年实现室温脉冲激射,今年10月初做出18℃下连续激射的样品,11月份实现了室温以上连续激射。器件波长为1.1μ,连续工作温度最高可达40℃以上,室温连续激射阈值电流最低可低于200mA。目前正在进行加电工作试验,20～25℃下连续工作已超过500小时,未见失效,这一工作还在继续之中。本文分三个部分报告InGaAsP/InP双异质结激光器的研制情况。     

InP／InGaAsP异质结双极晶体管发射极条长及基区宽度的选择

本文以Ｅｂｅｒｓ－Ｍｏｌｌ模型为基础，对ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析，研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数，讨论了在一定的工作电流下，发射极条长及基区宽度对器件高频小信号调制性能的影响，给出了优化选择发射极条长及基区宽度的近似方法。     

InGaAsP/InP双异质结双极晶体管与1.5μm激光二极管的单片集成

介绍一种双异质结InGaAsP/InP双极晶体管,它包括一层用溅射淀积制备的作宽禁带发射区的CdO膜。电流增益已高达40。用CdO层作集电区时,晶体管还能以相反方式工作。该管的主要特点是在结构方面与可作单片集成的1.5μmDH激光器相容。     

InGaAsP/InP激光晶体管

日本松下电器制作出InGaAsP/InP激光晶体管,在室温附近已实现连续振荡。激光晶体管是具有半导体激光器和异质结双极晶体管(HBI)两种光功能的集成器件,该公司着眼于研制在饱和时发光的HBT。该器件的光电子集成度很高,光学器件和电学器件的外延结构相同。器件结构是:在n-InP衬底上用液相外延法依次生长集电极层、基极层、发射极层,顶层。基极层由p-InGaAsP构成,厚0.2μm,宽几μm,杂质浓度是1×10~(17)cm~(-3)。发射极层、集电极层是n-InP(5×10~(17)     

InGaAsP/InP光电晶体管

本文介绍在光通信和光一电子IC中使用的,用InGaAsP/InP四元材料制作的新的穿通肖特基·克莱克特光电晶体管(SCPT)和达林顿光电晶体管。图1是SCPT剖面图。从Au和p-In_(0.73)。Ga_(0.27)As_(0.63)P_(0.37)的功函数之差算得肖特基接触的内建电势差为0.77伏。Au/p-InGaAsP肖特基接触的Ⅴ-Ⅰ曲线与四元层表面的处理有很大关系,如图2所示。用Br CH_3OH腐蚀而用水冲洗收尾,其击穿电压最大。椭圆对称测量表明,用这一工艺形成了大约60(?)的氧化层,在白色光的照射下,所制作的     

InGaAsP/InP双异质结激光器的制备

本文介绍InGaAsP/InP双异质结激光器的各种制管工艺,重点介绍隐埋条形和扩散条形的结构和工艺。     

162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管

报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流Ic=34.2mA的条件下,发射极面积为0.8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz,最大振荡频率fmax为52GHz,最大直流增益为120,偏移电压为0.10V,击穿电压BVCEO达到3.8V(Ic=0.1μA).这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.     

InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计北大核心

应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。     

InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管技术发展现状(Ⅱ)

5 制作工艺和优化 Ⅱ型InP DHBT的工艺流程与传统Ⅰ型InP HBT和DHBT工艺基本相同,一般沿用传统的三台面工艺,所不同之处主要是基区材料不同而导致湿法腐蚀和工艺细节变化,此外,由于Ⅱ型DHBT集电区全部采用InP材料,从而减小了由于四元缓变层带来的形成集电区台面时的工艺难度.     

SiGe/Si异质结双极晶体管研究

介绍了一咱ＳｉＧｅ／Ｓｉ分子束外延异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的研制。该器件采用３μｍ工艺制作,测量得其电流放大系数β为５０,截止效率ｆｒ为５．１ＧＨｚ,表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的音片成品率在９０％以上。