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采用Petritz双层薄膜结构模型,用化学腐蚀的方法分离MBE外延双色HgCdTe薄膜,测试并验证了双层模型对中短双色MBE外延HgCdTe薄膜中各层的霍尔参数计算的有效性,给出了测量不确定度评定以及相对误差.实验表明,MBE外延双层HgCdTe薄膜中的中波薄膜层电导率及霍尔系数的扩展不确定度范围分别为0.33~0.41Ω·cm和61~113 cm3/C,置信概率为95%,与对比样品的中波膜层霍尔参数相比,载流子浓度及霍尔迁移率的相对误差分别小于20%和10%. 相似文献
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研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge浓度和梯度组分SiGe层的梯度,并由二次离子质谱仪测量验证.由原子力显微术和喇曼光谱测试结果得到应变硅帽层的表面粗糙度均方根和应变度分别为2.36nm和0.83%;穿透位错密度约为4×104cm-2.此外,发现即使经受了高热开销过程,应变硅层的应变仍保持不变.分别在应变硅和无应变的体硅沟道上制作了nMOSFET器件,并对它们进行了测量.相对于同一流程的体硅MOSFET,室温下观测到应变硅器件中电子的低场迁移率显著增强,约为85%. 相似文献
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研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge浓度和梯度组分SiGe层的梯度,并由二次离子质谱仪测量验证.由原子力显微术和喇曼光谱测试结果得到应变硅帽层的表面粗糙度均方根和应变度分别为2.36nm和0.83%;穿透位错密度约为4×104cm-2.此外,发现即使经受了高热开销过程,应变硅层的应变仍保持不变.分别在应变硅和无应变的体硅沟道上制作了nMOSFET器件,并对它们进行了测量.相对于同一流程的体硅MOSFET,室温下观测到应变硅器件中电子的低场迁移率显著增强,约为85%. 相似文献
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用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当. 相似文献
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用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当. 相似文献
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厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长 总被引:1,自引:1,他引:0
利用LPCVD方法,在厚表层Si(SOL≈0.5μm)柔性绝缘衬底(SOI)(001)上外延生长出了可与硅衬底上外延晶体质量相比拟的SiC/SOI,表明SOI是一种很有潜力的柔性衬底.Raman光谱结果表明SiC/SOI外延层比SiC/Si外延层有更大的残存应力,对此从理论上进行了解释.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和喇曼散射光谱(RAM)技术研究了外延材料的晶体结构、界面性质和应变情况 相似文献
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用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex∶C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜. 根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4, C2H4反应而生成的Si1-xGex∶C外延层和由Si1-xGex∶C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层. 缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0E19cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当. 相似文献
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采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高宽明显减小,缺陷密度降低,单晶质量显著变好,c轴方向应变由0.49%变为-0.16%,即由拉应变变为压应变且应变值变小,说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变,改善外延膜质量,实现Si衬底上单晶ZnO的生长. 相似文献
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励磁系统的PID参数对发电机组和电网稳定的可靠性和动态品质具有重要的作用。检验励磁系统PID参数准确性的方法主要是进行发电机空载阶跃响应试验。本文采用中国电力科学研究院研制的电力系统综合仿真程序PSASP对沧东电厂4号机励磁系统进行了5%机端电压阶跃仿真试验,然后根据仿真结果进行了现场试验,结果表明仿真结果对现场试验具有重要的指导意义,不仅节省了现场调试的时间,而且进一步提高了现场试验的安全性。 相似文献
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Barker L. Drakakis K. Rickard S. 《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》2009,97(3):586-593
In this paper, we show that in order to ascertain whether a permutation has the Costas property, only a restricted subset among the totality of pairs of entries in the same row of the difference triangle needs to be checked, and we explicitly describe such a subset. This represents a further refinement on the definition of a Costas permutation. This observation can be used to speed up algorithms that exhaustively search for Costas permutations. Asymptotically, the savings approaches 43% for large orders when compared with the previous standard efficient method. 相似文献
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文章根据灰色预测模型的建模机理,针对灰色预测模型中背景值的赋值过程,结合拉格朗日中值定理从数学上证明了灰色预测模型中背景值的赋值是不合理的。针对其不合理性,提出了一种模型改进的方法。并以重庆市农村用电量进行了实证分析,验证了模型改进的效果。 相似文献
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由于背景电离层关于磁赤道存在南北不对称,可能对赤道电离层中的等离子体不稳定性过程产生影响,背景电离层参数的变化可能作为不规则结构出现和闪烁发生的前兆.本文利用通量管积分方法,研究背景电离层电子密度和Pedersen电导率的半球不对称特征,发现积分电子密度N和积分Pedersen电导率〖AKΣ~9〗P以及F区积分电导率〖AKΣ~9〗FP与E区和F区积分电导率之和〖AKΣ~9〗E+FP的比值〖AKΣ~9〗FP/〖AKΣ~9〗E+FP的不对称强度随季节和太阳活动的变化规律与实验观测的不规则结构和闪烁活动的变化规律存在联系.这表明背景电离层电子密度和Pedersen电导率的分布对不规则结构和闪烁活动的出现有重要影响,表征积分电子密度和积分Pedersen电导率不对称强度的参数IN和IP可作为一种应用于电离层闪烁预报系统的预报指数. 相似文献
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根据汽车发动机装配流水线的要求,采用西门子S7-300系列PLC以及PROFIBUS-DP总线设计了汽车发动机装配线控制系统。在控制系统软件STEP7的编程环境下,通过在装配现场的调试,完成了设备层中变频器、拧紧枪的数据采集、通讯、控制等要求。实验结果表明,该控制系统稳定可靠。 相似文献
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着重讨论了驻极体电容传声器(ECM)的相位受振膜材料影响的问题,即振膜的基材在生产中,受生产过程影响而对振膜产生影响的分析,以及各种因素形成的应力对驻极体电容传声器(ECM)相位影响的分析. 相似文献