磺化酞菁铜单分子复合膜及其光电导性研究

用吸附法制备了无脂链磺化酞菁铜LB膜,紫外光谱表明所制备的LB膜具有很高的有序性。以上述磺化酞菁铜LB膜为光生层,制备了机能分离型有机光电体。研究结果显示经结晶紫敏化后的该类光电导体具有良好的光导特性。这与磺化酞菁铜分子排列的高度有序有关。     

掺碘酞菁铜多晶及其与酞菁镍混合物的导电性转变

本文研究了掺碘酞菁铜多晶粉末压片及其与酞菁镍多晶粉末混合物的压片电导率对温度的依赖性。并观察到它们均存在“金属—半导”性转变。用非均相结构模型定性讨论了这种现象,并用作者曾对掺碘酞菁镍多晶粉末压片导出的电导率随温度变化的简化公式:σ=[AT~2+B+Cexp(△E/2k T)]~(-1)拟合了实验测试结果。所得的拟合曲线与实验点相符甚好。     

酞菁铜羧酸掺杂聚苯胺薄膜制备表征及光电性研究

成功制备了酞菁铜羧酸掺杂聚苯胺(PANI)薄膜.红外光谱测试结果说明酞菁铜羧酸的羧基和聚苯胺的氨基发生了酸碱中和反应,即成功的对聚苯胺进行了掺杂.紫外可见光谱说明酞菁铜羧酸掺杂后PANI在紫外区有强吸收峰,在可见光区吸收变宽.光电性能测试结果表明掺杂后酞菁铜使聚苯胺对光的敏感性增强,更容易受光子的激发,因而具有更优越的光电性.     

含酞菁功能基聚苯胺的合成及性能研究：Ⅰ.酞菁铜磺酸掺杂聚苯胺的合成与表

以耐晒翠蓝为原料合成了酞菁铜磺酸（ＣｕＰｃＳ）,用其对本征态聚苯胺分别在水相和油相中进行掺杂,获得了具有酞菁功能基了聚苯胺的分子结构。该聚合物具有优良的溶解性能和成膜能力,电导率达到１０Ｓ／ｍ,红外谱图证实了所合成产物的结构,紫外吸收分析表明,用酞菁铜磺酸掺杂聚苯胺后在可见光区、近红外区具有较强的吸收,可大幅度提高其光电导性能。     

多壁碳纳米管-酞菁铜复合物的合成表征及光电性能

采用氯磺酸作为磺化试剂, 在多壁碳纳米管上接枝氯磺酰基, 之后通过乙二胺的胺解反应, 制备出胺基修饰的多壁碳纳米管MWCNT-NH2, 并进一步与氯磺酰基酞菁铜反应制备出MWCNT-Pc复合物. 产物采用红外光谱,紫外可见, 拉曼光谱, X射线光电子能谱, 循环伏安, 热重分析等进行了表征. 结果表明, MWCNT-NH2上磺酰胺基接枝在MWCNT表面, 而MWCNT-Pc上的酞菁基团是通过MWCNT-NH₂上的酰胺基团与Pc形成复合物, 碳纳米管上约38个碳原子结合一个磺酸基酞菁分子; 该MWCNT-Pc复合物的热稳定性较MWCNT-NH2低; 利用喷涂法构筑了ITO/MWCNT-Pc光电极, 光电性能的研究结果表明在AM1.5光照条件下, 光电压及光电流分别为0.434V和0.158mA/cm²; 在320nm处的IPCE达19.8%, 具有较优良的光电转化性能. 根据测得的MWCNT-Pc的能带结构, 推知MWCNT-Pc的光诱导电子转移过程是Pc端基发生光激发电子跃迁, 此后电子转移到MWCNTs上并进一步传递到ITO, 完成电荷分离.     

含酞菁功能基聚苯胺的合成及性能研究Ⅰ.酞菁铜磺酸掺杂聚苯胺的合成与表征

以耐晒翠蓝为原料合成了酞菁铜磺酸(CuPcS),用其对本征态聚苯胺分别在水相和油相中进行掺杂,获得了具有酞菁功能基聚苯胺的分子结构.该聚合物具有优良的溶解性能和成膜能力,电导率达到10S/m,红外谱图证实了所合成产物的结构,紫外吸收分析表明,用酞菁铜磺酸掺杂聚苯胺后在可见光区、近红外区具有较强的吸收,可大幅度提高其光电导性能.     

高量子效率有机光电导材料的研究

介绍了一种优良的光电导体的制作，用Ｏｎｓａｇｅｒ模型对其性能进行了模拟，认为其高量子效率是光电导体性能优良的原因。     

光电导性聚酰亚胺的研究(Ⅲ)含咔唑、酞菁铜聚酰亚胺LB膜的制备及其光电导性能

研究了聚酰胺酸聚季铵盐在汽液界面上的单分子膜行为，采用“预聚法”制备了含咔唑、酞菁聚酰亚胺ＬＢ膜，对所制备的ＬＢ膜结构进行了表征。以具有光电导性能的含咔唑、酞菁铜聚酰亚胺ＬＢ膜作为光生层和相应的涂膜法制得的体系相比较，发现其光电性能具有较大程度的提高。在表面充电电位基本不变的前提下，光衰速率从２５０Ｖ／ｓ提高到３７５Ｖ／ｓ，光衰百分比从３０．６３％提高到６３．３２％，半衰时间从２．６３ｓ下降到０．６３ｓ。     

酞菁类化合物有机光电导材料的成膜方式

为制备较高光电导性的酞菁有机复合膜，本文简要分析了影响其光电导性的主要因素，针对酞菁类化合物难溶性和成膜困难，对这类有机光电导材料的成膜方式进行了概述，着重探讨了分散于聚合物成膜材料中涂覆成膜、LB膜，蒸发镀膜及悬挂酞菁环衍生物的可溶性聚合物成膜等工艺过程中遇到的某些关键性技术问题，并提出了对这类光电导材料进一步研究的部分建议。     

光电导性聚酰亚胺的研究（Ⅲ）含咔唑,酞菁铜聚酰亚胺LB膜的制备及…

研究了聚酰胺酸聚季铵盐在汽液界面上的单分子膜行为，采用“预聚法”制备了含咔唑、酞菁聚酰亚胺ＬＢ膜，对所制备的ＬＢ膜结构进行了表征。以具有光电导性能的含咔唑、酞菁铅聚酰亚胺ＬＢ膜作为光生层和相应的涂膜法制得的体系相比，发现其光电性能具有较大程度的提高。在表面充电电位基本不变的前提下，光衰速度从２５０Ｖ／ｓ，光衰百分比从３０．６３％提高到６３．３２％，半衰时间从２．６３ｓ下降到０．６３ｓ。     

酞菁染料与氯离子协同效应在酸性镀铜中的作用

采用旋转圆盘电极和交流阻抗方法研究酞菁染料（PC）及其与氯离子协同效应对酸性镀铜电沉积过程的影响，通过选择不同浓度的酞菁染料，研究它们在不同转速下的阴极极化行为和交流阻抗图谱，对其在电极表面的成膜状态作了深入研究。极化的电位从自然电位到－0．6V（相对SCUE）。结果表明，PC在酸铜电镀中所起的作用更多依赖于其在表面形成吸附膜的结构，而非单纯的电荷吸引。     

酞菁铜的性能和应用研究进展

酞菁铜是一种重要的多功能高分子材料,其良好的光电性能,正越来越引起人们广泛的研究。介绍了酞菁铜的研究发展历史,简述了酞菁铜的结构及能级特征。详细介绍了酞菁铜的耐高温性、导电性、光电导性、光伏效应、气敏性、热电效应、电致发光性、光存贮性和催化学性等性质及其应用。在此基础上展望了酞菁铜的应用前景。     

酞菁铜纳米微粒的制备及其聚集态行为

利用气体冷凝法成功地制备了平均粒径约20～100 nm的有机半导体材料酞菁铜(CuPc)纳米微粒,并讨论了不同的热场空间分布范围,加热温度对CuPc纳米微粒的粒径及其聚集态行为的影响。     

CuPc/C60薄膜太阳能电池的制备及膜厚对其光电性能的影响

本文采用CuPc作为电子给体,C60作为电子受体制备了ITO/CuPc/C60/Al异质结太阳能电池。实验表明器件中活性层(CuPc/C60)对太阳能电池的光电性能有很大的影响。主要原因是有机物的激子扩散长度大约是十几纳米左右,产生的激子大多数在未到达异质结之前就已经复合。本文讨论了活性层(CuPc/C60)的厚度比,并获得其最优比例。     

四氯苯醌/三苯磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜材料的导电性能研究

本文通过电化学沉积方法制备了一种四氯苯醌/三苯磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜材料体系,研究了该可控掺杂有机薄膜材料的导电性能.研究结果表明,四取代酞菁铜可控掺杂薄膜材料的电导率,随着温度的升高或掺杂剂浓度的增加而显著增加,其原因是酞菁铜给体与四氯苯醌和三苯基磷等小分子电子受体之间发生了较强的氧化还原作用.     

酞菁钴/MCM-41的制备及其可见光催化性能

以MCM-41分子筛为载体,采用浸渍法将酞菁钴负载到分子筛上以氙灯为光源降解甲基橙溶液。对负载型酞菁钴催化剂进行FT-IR、XRD、SEM表征,结果表明所制催化剂负载效果良好,且分子筛结构未发生改变。以甲基橙溶液为模拟处理对象,研究催化剂的催化性能,考察了光照、酞菁钴负载、催化剂用量等因素对催化效果的影响。结果表明,氧气充足时,在光照条件下、0.04g负载型酞菁钴催化剂处理200mL的0.05g/L甲基橙溶液能够有很好的处理效果,2h降解率能够达到98.3%,且重复利用4次后降解率仍能达到90%。     

激光打印机和复印机的核心部件:有机光导鼓OPC--发展历程和制作技术及装备

在本文中，根据历史的文献，阐明国外OPC鼓生产工艺的发展过程；并且介绍当代OPC鼓流水生产线的主要工艺技术参数，同时，根据实践经验，探讨在国内设计与建设OPC鼓流水生产线的方法。     

酞菁铜（CuPc）薄膜器件的制备及其电双稳特性

一些无机半导体器件和许多有机薄膜器件都具有电双稳特性.通过对CuPc有机薄膜器件的,I-V曲线的分析,说明CuPc薄膜器件具有明显的电双稳特性.研究了膜厚对器件I-V特性的影响,结果表明CuPc膜厚达到750 nm器件才表现出明显的电双稳特性,此时跳变电压为7.51V.Ag底电极器件的转变电压(9.6V)与ITO底电极器件的转变电压(7.47V)不同,简要分析了造成这种区别的原因.并对器件电双稳态特性的形成机理进行了解释.