高密度封装的发展趋势

本文描述了近年来高密度封装中出现的新技术、新结构,如载带自动键合技术(TAB)、带线四边有引线扁平封装(TQFP)和多芯片模块(MCM)结构等。论述了高密度封装的设计考虑及材料的选择。并且指出,只有低介电常数且制成薄膜的聚酰亚胺介质材料才能提高封装密度。     

细间距封装技术

<正> 正当人们希望SMT的尺寸需要继续减小时,于是便出现了引线间距为0.010in、0.015in、0.020in,中心距为0.025in的细间距表面安装封装。目前50mil间距的封装实际只限于120条输入/输出引线,但最新的VLSI技术要求每个管壳高达300多条输入/输出引线。引线数增加和表面安装器件之间的间隔变小的一些实例如图1所示。大概你已经听到过而且也可能遇到过关于缺乏表面安装标准化的一些问题。到现在为止,还没有见到过表面安装技术的标准!进一步来说,如果要应用FPT,那     

互连技术

半导体封装技术中的电气互连技术，有引线接合法、TAB（带载自动安装）、FC技术等。这个技术的主体为PKG，从模块封装的现状分析，TAB、FC封装需要与采用形成精细图形的技术相配合。     

倒装芯片的底部填充材料和涂布

倒装芯片是当今半导体封装领域的一大热点,它既是一种芯片互连技术,更是一种理想的芯片粘接技术。以往后级封装技术都是将芯片的有源区面朝上,背对基板粘贴后键合(如引线键合和载带自动键合TAB)。而倒装芯片则是将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点来实现芯片与衬底的互连。显然,这种芯片互连的方式能够提供更高的I/O密度。     

最新式加压引线框架

新光电器工业公司开发出一种内引线间距为 14 8μｍ的超微细间距加压引线框架“ＱＦＰ 2 16”管脚产品。近年来 ,随着半导体微细化的进展 ,ＩＣ的缩小 (收缩 )是十分显著的 ,然而在芯片尺寸缩小后 ,键合引线长度要有一个界限 (约 4ｍｍ) ,内引线必须更靠近芯片。为此 ,内引线顶部的微细间距化就是必然的了。但是 ,随着芯片的不断缩小 ,采用引线框架封装就越来越难了 ,有必要使用其他的高价封装。因此 ,该公司通过有效利用精密金模制造、压力加工的固有技术 ,在批量生产性上采用优秀的压力加工 ,使内引线比原来前进了 1ｍｍ。这种先进的微细…     

大规模集成电路使 LCD 板支架减少一半

日立有限公司研制的 HD66214T、HD66205T 和 HD66110T LCD 驱动大规模集成电路采用带式自动键合(TAB)技术,使 LCD 板的支架面积减少了一半。该公司提供了样机,以带载封装(TCP)的形式提供薄型 LSI 芯片。与传统 TCP 芯片相比,这种安装在 LCD 板上的     

功率器件封装工艺中的铝条带键合技术

文章回顾了功率器件封装工艺中几种常见的互连方式,主要介绍了铝条带键合技术在功率器件封装工艺中的主要优点,特别是它应用在小封装尺寸的功率器件中。铝条带的几何形状在一定程度上降低了它在水平方向的灵活性,但却增加了它在垂直方向上的灵活性。铝条带垂直方向的灵活性可以让我们使用最少的铝条带条数来达到功率器件键合的要求。也由于几何形状的不同,铝条带键合具有一些不同于铝线键合的特点,但它对粘片工艺、引线框架和包封工艺的要求与粗铝线键合极其相似,可以与现有的粗铝线键合工艺相兼容,不需要工艺和封装形式的重新设计。     

微电子封装中芯片焊接技术及其设备的发展

概述了微电子封装中引线键合、载带自动键合、倒装芯片焊料焊凸键合、倒装芯片微型焊凸键合等芯片焊接技术及其设备的发展 ,同时报告了世界著名封装设备制造公司芯片焊接设备的现状及发展趋势。     

金凸点键合工艺在国产陶瓷外壳中的应用

国产陶瓷外壳已经逐渐应用于高可靠要求的各类电子元器件的封装上。在IC封装过程中, 随着封装密度的提高,因其键合指状引线的质量难以满足键合工艺要求,为使其能达到工艺控制要求, 我们开发出一些相应的封装技术,提高了产品的可靠性。金凸点键合工艺用于提高国产陶瓷外壳键合指 上的键合引线强度有非常明显的效果,是一项较新的技术。     

引线带楔焊键合技术

引线带楔焊键合和引线(圆形)楔焊键合是不同的。对于高频器件应用来说,引线带键合较之于圆形引线键合更为有利。为了让更多的人了解该项技术,文章对部分相关技术,其中包括键合工艺过程、键合引线的断丝方式、键合引线带规格以及键合劈刀的选择作了介绍。