宽带低损耗声表面波滤波器

介绍了利用在３６°Ｙ－ＸＬｉＴａＯ３、６４°Ｙ－Ｘ　ＬｉＮｂＯ３、４１°Ｙ－Ｘ　ＬｉＮｂＯ３基片漏声表面波设计制作的宽带低损耗滤波器,给出了用耦合模理论模拟的曲线和实验结果,其相对带宽为２ ．８％～６． ５％,插损为１．７～２．４ ｄＢ,带外抑制大于４５ ｄＢ。     

高频宽带低损耗声表面波滤波器

从分析产生压电漏表面波（ＰＬＳＡＷ）的材料和镜像阻抗连接耦合换能器型双通道低损耗结构入手,介绍了宽带低损耗声表面波滤波器的设计方法,在超高频段上,给出了一些我们的实验数据,得到了宽带低损耗、高阻带抑制的结果     

声表面波低损耗滤波器的进展

本文从分析获得声表面波低损耗的途径出发,概述声表面波低损耗滤波器的最新进展,介绍几种单层工艺制作的实用型声表面波低损耗滤波器结构。并报道我们研究的650MHz高频低损耗滤波器以及10%宽带低损耗滤波器的结果。     

高频低损耗声表面波滤波器研制

回顾了低损耗声表面波滤波器的主要设计方法，介绍了镜像阻抗连接换能器结构中调整滤波器带宽的设计技术，给出了在９６０ＭＨｚ高频下的两种试验结果，相对带宽分别为１％和２％，插入损耗小于５ｄＢ，阻带抑制优于５０ｄＢ。     

一种低损耗声表面波滤波器

本文从声表面波滤波器的基本原理出发，介绍了我们研制的低损耗声表面波滤波器，给出了实验结果，经实验证实有较好的频率特性。     

低损耗高阻带抑制声表面波滤波器

为了提高雷达信号的接收灵敏度,提出一种低损耗高性能的单相单向换能器,其设计采用了电极宽度控制来实现。发射和接收叉指换能器分别选取适当的加权函数,能得到更低的旁瓣电平。设计制作了中心频率67 MHz,3 dB带宽1 MHz,单向性为21 dB,插损3.8 dB,阻带抑制大于45 dB的低损耗高阻带抑制声表面波滤波器。     

声表面波低损耗滤波器的换能器结构

一、前言 声表面波(SAW)器件以它的独特优点已广泛用于军事、民品电子设备中,由于常规的叉指换能器(IDT)结构,SAW是双向传播的,存在6db的固有传播损耗。如果IDT与外部负载匹配以实现最小的插入损耗,则三次渡越回波抑制只有12db,使幅度和相位波动大到不能使用,通常解决的办法是使IDT失配增大插入损耗来降低三次渡越信号。不用任何办法设计出的常规SAW滤波器插入损耗在20db左右,在中频范围内,在电路中加一级     

900MHz高频低损耗声表面波滤波器

介绍了在３６°ＹＸＬｉＴａＯ＿３基片上采用镜像阻抗连接换能器结构研究制作出９００ＭＨｚ高频低损耗声表面波滤波器，插入损耗小于５ｄＢ、带外抑制优于５０ｄＢ。     

一种宽带低损耗声表面波滤波器

阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带低损耗声表面波滤波器的方法，给出了理论计算方法和计算机模拟结果，最后给出了制作中心频率为４５３ＭＨｚ的声表面波滤波器实验结果，插入损耗为１．９ｄＢ，１ｄＢ带宽为６．６６ＭＨｚ，远端带外抑制大于４５ｄＢ。     

低损耗声表面波滤波器用自然单向换能器

报道了采用自然单向换能器制作的低损耗声表面波滤波器，介绍了自然单向换能器的基本原理和自然单向换能器用水晶基片的特性参数。最后给出了制作的中心频率为１３６ＭＨｚ的声表面波滤波器的频率响应图。     

设计声表面波低损耗滤波器的换能器结构

本文介绍了设计声表面（ＳＡＷ）低损耗滤波器的叉指换能器（ＩＤＴ）结构的发展历程,分析了ＩＤＴ的原理及利弊关系,给出了设计低损耗ＳＡＷ滤波器用的压电基片参数。     

GSM用低损耗声表面波滤波器的设计

报道了双模声表面波滤波器（ＳＡＷＦ）的研究结果和设计的ＧＳＭ用９０２．５ＨＭｚ的ＳＡＷＦ,对双膜ＳＡＷＦ的基本原理和分析方法进行了描述,并给出理论模拟结果,对几个关键参数进行了比较计算,研究表明,双模ＳＡＷＦ具有低损耗,宽带的特性,较好地满足了ＧＳＭ用９０２．５ＭＨｚ的ＳＡＷＦ电性能要求。     

跳频源用低损耗声表面波滤波器

介绍了几种用于跳频源的低损耗声表面波滤波器的制作结果，其插入损耗为４ｄＢ，阻带抑制优于４５ｄＢ。     

用于频率合成器的低损耗声表面波滤波器

简述了产生声表面波滤波器插入损耗的主要机理和获得低损耗的原则；介绍了根据此原则对１００～５００ＭＨｚ５种滤波器的研制过程和结果。实验表明，采用镜像阻抗连接换能器结构可达到３～４ｄＢ的低损耗，并成功地应用于频率合成器中。     

光纤定时恢复器用声表面波低损耗滤波器

介绍了定时恢复器对声表面波滤波器的基本要求及实现低损耗的方法，并给出了实验结果。     

一种低损耗高抑制的声表面波滤波器

该文采用周期调制及双通道设计的方法实现了一种低损耗高抑制声表面波滤波器的研制。该滤波器以64°Y X LiNbO3为基片材料,其中心频率约475 MHz,插入损耗小于2 dB,阻带抑制优于60 dB及1 dB相对带宽约5%。研制的滤波器具有低插损及高阻带抑制的特性,结果表明该设计方法具有很好的实用性。     

高阻带抑制宽带低损耗声表面波滤波器研究

基于分布间隙纵向耦合五换能器结构,加入谐振器单元,采用41°〖WTBX〗Y X〖WTBZ〗 LiNbO3基片材料,通过优化设计,研制出中心频率232 MHz,3 dB带宽23.2 MHz的声表面波滤波器。该产品的插入损耗为-1.9 dB,相对带宽达到10%,矩形系数2.2,阻带抑制大于50 dB,产品综合性能指标优异,有很好的实用性。     

宽带低损耗声表面波设备

发明背景 1.本发明的范围本发明涉及诸如耦合器、谐振器或滤波器那样的声表面波设备,这些设备设计成能得到同时具有低损耗、低旁瓣和高极限抑制的宽带设备。 2.以往技术的回顾具有宽带、低插入损耗、低旁瓣或陡峭通带边缘的声表面波设备,由于它们与集中常数设备相比具有体积小、制造容易等优点,在中频滤波器或雷达信号处理等方面早就获得了应     

基于SOI衬底的宽带低损耗声表面波滤波器研究

使用结构为42°Y-X LiTaO₃(600 nm)/SiO₂(500 nm)/Si的SOI衬底,通过抑制横向模式等优化设计,研制了单端谐振器和声表面波滤波器。经测试,谐振器的谐振频率为1.5 GHz,品质因数(Q)值高达4 000;滤波器的中心频率为1 370 MHz,插入损耗为-1.2 dB,1 dB带宽为74 MHz,相对带宽达到5.4%,阻带抑制大于40 dB,且温度系数在-55～+85℃时优于-9×10^-6/℃。该产品具有高频、宽带、低损耗、低温漂、高阻带抑制的特点,其性能指标优异,具有很好的实用性。     

一种宽带低损耗表面波滤波器

阐述了一种利用纵向耦合双模制作宽带损耗声表面波滤波器方法，给出了理论计算方法和计算机模拟结果，最后给出制作中心频率为４５３ＭＨｚ的声表面波滤波器实验结果，插入损耗为１．９ｄＢ，１ｄＢ带宽为６．６６ＭＨｚ远端带外抑制大于４５ｄＢ。