CRT,VFD及FED显示器用的荧光粉的进展

本文综述ＣＲＴ、ＶＦＤ及ＦＥＤ三种阴极射线发光显示器用的荧光粉近年来的进展。这三种显示器的原理和使用条件有相同点，也有不同点，因而对荧光粉的要求有相同之处，也有不同之处．介绍这三种显示器用的荧光粉的特性，它们存在的问题和未来发展目标。     

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。     

场发射显示器发展动态

概述场发射显示器件的原理，结构和制作工艺及发展水平。展望ＦＥＤ的前景并介绍了国际上围绕ＦＥＤ展开的激烈竞争。     

薄膜电致发光〔TFEL)用荧光粉的技术发展动态

荧光粉的技术进步在ＴＦＥＬ器件的发展中起着举足轻重的作用。本文分门别类地对各种ＴＦＥＬ用荧光粉作了介绍，并从它们的工艺、性能及结构等方面论述了ＴＦＥＬ用荧光粉的技术发展动态。     

薄膜电致发光（TFEL）用荧光粉的技术发展动态

荧光粉的技术进步在ＴＦＥＬ器件的发展中起着举足轻重的作用。本文分门别类地对各种ＴＦＥＬ用荧光粉作了介绍，并从它们的工艺、性能及结构等方面论述了ＴＦＥＬ用荧光粉的技术发展动态。     

在FEA中使用的MOSFET技术

本文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明,并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进作了介绍。     

千年之交的平板显示技术和市场

论述了新千年开始时的平板显示，包括ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＯＬＥＤ、ＦＥＤ等的市场和技术的最新发展。     

场发射平板显示器件

本文概述真空微电子技术的发展及特点。综述了场发射平板显示器件（ＦＥＤ又称平板ＣＲＴ）的优点及其广泛用途。概述了场发射显示器好的结构和工作原理。综述ｓｐｉｎｄｔ型、硅尖锥型及薄膜边缘型三种场发射阴极的制作工艺、性能水平以及制作显示器件所后材料的特点及制作工艺。对目前国际上ＦＥＤ的典型参数加以比较并概述对ＦＥＤ未来市场的预测情况，此外，我们利用ｓｐｉｎｄｔ型阴极研制了平板显示器的原理性样管，在栅、阳极为４００ｖ，６００ｖ时在荧光屏上显示出足够亮的光点，还设计了像素数为１２８×１２８的平板显示器并用矩阵选址方式控制显示图形。现正在作材料和工艺论证并着手进行试制。     

EDIFACT文电系统的安全

本文综述ＥＤＩＦＡＣＴ文电系统的安全，描述了ＥＤＩ文电安全威胁以及保护ＥＤＩＦＡＣＴ文电的安全服务，介绍了ＥＤＩＦＡＣＴ的文电级安全及可采用的安全技术，最后概述ＥＤＩＦＡＣＴ的安全实现。     

拇指族社区──铃声自创

摩托罗拉手机曲谱刘德华,谢谢你的爱 节奏＝４ Ｂ１ Ｅ＋２ Ｄ＋２ Ｅ＋２ Ｄ＋２ Ｅ＋２ Ｄ＋１Ｅ＋４ Ｅ＋１ Ｄ＋２Ｂ２　Ｄ＋２　Ｂ１　Ｄ＋４　Ｂ１Ｅ＋２Ｄ＋２Ｅ＋２Ｄ＋１ Ｅ＋２ Ｆ＃＋４ Ｅ＋２ Ｄ＋２ Ｂ２ Ｄ＋２Ｅ＋２ Ｂ４ Ｅ１Ｇ１ Ａ４Ａ２ Ｇ２Ａ１Ｄ＋２Ｂ８黄品源　　你怎么舍得我难过 节奏＝４ Ｆ＋１ Ｆ＋１ Ｆ＋１ Ｅ＋１Ｆ＋２Ｅ＋１Ｅ＋２Ｄ＋１Ｄ＋２ Ｄ＋１Ｃ＋１Ｄ＋１Ｅ＋２Ｅ＋１Ｅ＋２Ｄ＋３Ｃ＋４Ｅ１ Ｃ＋１Ｄ＋１Ｄ＋１Ｄ＋２Ｄ＋２Ａ１Ｃ＋２Ｂ４Ａ１Ｂ１ Ｃ＋２Ｃ＋１Ｃ＋１Ｃ＋２Ｄ＋１Ｅ个４张 宇。…     

GaAs DCFL超高速集成电路研究

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。     

DWDM用增益平坦EDFA研究

本文阐述了ＤＷＤＭ系统对ＥＤＦＡ的要求和ＥＤＦＡ为达到这些要求的几种实现方法。并给出了ＤＷＤＭ用ＥＤＦＡ级联和增益锁定的实验结果。     

DVD的调制方式EFM plus（8／16调制）

ＤＶＤ的调制方式ＥＦＭｐｌｕｓ（８／１６调制）张绍高ＤＶＤ（ＤｉｇｉｔａｌＶｉｄｅｏｄｉｓｃ，数字视频光盘，或ＤｉｇｉｔａｌＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ，数字通用光盘）的调制方式ＥＦＭｐｌｕｓ（８／１６调制）是在ＣＤ的ＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ－Ｆｏｕｒｔｅｅ...     

掺铒光纤放大器特性分析及长度优化设计

掺饵光纤放大器（ＥＤＦＡ）是光纤通信系统中的关键器件之一。文中从ＥＤＦＡ的基本理论出发，对ＥＤＦＡ的各种特性进行了计算机模拟分析，并研究了ＥＤＦＡ的长度优化设计，实验结果与理论计算相吻合。     

CPLD,FPGA在EL显示模块及接口电路中的应用

在ＥＬ显示模块中，采用ＣＰＬＤ芯片可以实现数字电路的集成。这种方法有利于缩小模块体积，加快开发速度，提高模块电路的稳定性。在相关的接口电路中，采用ＦＰＧＡ替代液晶显示器专用控制芯片，实现ＥＬ模块所需的接口时序及数据格式，这种方法具有较强的实用性及可升级性。     

THE OUTPUT OPTICAL FIELD INTENSITY DISTRIBUTION FORMED BY AN OPTICAL FIBER END

ＴＨＥＯＵＴＰＵＴＯＰＴＩＣＡＬＦＩＥＬＤＩＮＴＥＮＳＩＴＹＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮＦＯＲＭＥＤＢＹＡＮＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲＥＮＤ￥ＹＵＡＮＬｉ－Ｂｏ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＨａｒｂｉｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ...     

真空微电子平板显示器（FED）进展述评

本文描述了场致发射阵列平板显示器（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｐｌａｙ）工作原理，和其他平板器件性能的比较，关键技术及未来市场发展前景。     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

深亚微米PESD MOSFET特性研究及优化设计

本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导较大，且对热载流子效应的抑制能力较强，因此具有比较好的性能．给出了ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ的优化设计方法．当ＭＯＳＦＥＴ尺寸缩小到深亚微米范围时，ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ将成为一种较为理想的器件结构     

信息通信英语新缩略语[3]

ＥＤＦＡ(Ｅｒｂｉｕｍ -ＤｏｐｅｄＦｉｂｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ,掺铒光纤放大器 )利用光纤中掺入稀土元素饵而引起的光增益机制来实现光信号放大的光纤线路元件。ＥＤＦＦＡ(Ｅｒｂｉｕｍ -ＤｏｐｅｄＦｌｕｏｒｉｄｅＦｉｂｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒ,掺铒氟化物光纤放大器 )ＥＴＥ(ＥｑｕｉｖａｌｅｎｔＴｅｌｅｐｈｏｎｅＥｒｌａｎｇｓ,等效电话占线小时呼 )一种通话计量单位。通信中话务量常以爱尔兰小时呼表示。ＥＴＳＩ(ＥｕｒｏｐｅａｎＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＳｔａｎｄａｒｄｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ,欧洲电信标准协会 )…