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国际整流器公司(简称IR)是全球电源管理技术领袖。IR的模拟及混合信号集成电路.先进电路器件.集成功率系统和组件广泛用于驱动高性能运算设备。降低电机的能耗,是开发下一代计算机。节能电器.照明设备.汽车.卫星系统.宇航及国防系统的电源管理基准。 相似文献
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Hg1-xCdxTe长波光伏探测器的低频噪声研究 总被引:2,自引:2,他引:0
在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件的低频噪声和暗电流进行了测试.发现单层钝化的器件在反偏较高时具有较高的低频噪声,在对器件的暗电流拟合计算中发现,单层钝化的器件具有较大的表面隧道电流,而这正是单层钝化器件具有较高低频噪声的原因.并通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术RSM(reciprocal space mapping)研究了两种钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高的低频噪声和表面隧道电流的原因. 相似文献
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小型CRT-LCLV组合器件 总被引:1,自引:0,他引:1
选用1英寸阴极射线管(CRT)和液晶光问(LCI-V)研制成直径1英寸的CRT-LCLV组合器件,介绍了组合器件的工作原理、制作工艺和性能指标,并给出了在小型光学相关器上的应用实例. 相似文献
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介绍了绝缭体上硅(SOI)材料的制作方法.阐进了SOIMOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象.对SOI器件的退化构成潜在的威胁。虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能、低电压ULSI SOI电路的发展。 相似文献
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《光电技术》2010,(1):17-21
研制成功了一种新型提高有机电致发光器件效率、降低其功耗的新型电子注入层。本文讨论了这种新型电子注入层的性能及其与之相关的电子传输层的性能。与通常使用的LiF注入材料或Li掺杂的Alq3:BPhen电子传输层器件相比,使用新型电子注入层和电子传输层的性能更加优良。在20mA/cm2的电流密度下,红光器件的性能为:亮度为10.8cd/A,工作电压为3.9伏,色座标为(O.66,0.34):绿光器件的性能为:亮度为18.4cd/A,工作电压为4.2伏,色座标为(0.29,0.62);深蓝色器件的性能为:亮度为7.7cd/A,工作电压为3.70t,色座标为(0.14,0.13;蓝绿色器件的性能为:亮度为21.1cd/A,工作电压为3.8伏,色座标为(0.16,0.37);白光器件的性能为:亮度为13.2cd/A,工作电压为3.80t,色座标为(0.34,0.34)。在同样的工作条件下,红光、深蓝色光和蓝绿光的外部量子效率分别为8.7%,6.6%和9.7%。迄今为止所报告单色发光器件中,这些器件是效率最高的器件。 相似文献
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根据市场调研公司Databeans在其2011年第三季度电源管理跟踪报告(Power Management Tracker)中的预测,到2016年,全球LDO稳压器市场规模将达32.93亿美元。而在移动通信终端上,对于器件的体积要求越来越小、性能越来越高也一直是这一部分市场的发展趋势。据此,恩智浦半导体(NXP SemiconductorsN.V)认为,运用公司在分立器件上产能和封装的优势, 相似文献
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3.2.7关于绕线器件(电容、变压器、扼流圈等)的问题
对于绕线(感性)器件,需要从三个方面进行考虑:杂散磁场的控制、特性参数随电流和温度的变化以及电阻特性。 相似文献
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介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0.8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性,该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad(Si)的总剂量的关系来表征.实验结果表明pMOS器件在关态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于320mV,nMOS器件在开态下1Mrad(Si)辐射后最大阈值电压漂移小于120mV,器件在总剂量1Mrad(Si)辐射后没有观察到明显漏电,在总剂量500krad(Si)辐射下专用集成电路的静态电流小于5pA. 相似文献
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