L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管

南京电子器件研究所最近研制成功 L波段2 5 0 W宽带硅微波脉冲功率晶体管。该器件在 1 .2～ 1 .4GHz频带内 ,脉宽 1 5 0 μs,占空比 1 0 %和 40V工作电压下 ,全带内脉冲输出功率在 2 4 0～ 30 0W之间 ,功率增益大于 7.8d B,效率大于 5 0 %。器件设计为梳条状结构 ,单元间距 6μm,发射极和基极金属条条宽 2 .4μm,金属条间距 0 .6μm。每个器件由 6个尺寸为 1 60 0μm× 75 0μm功率芯片组成 ,每个功率芯片含有 2个子胞。整个器件包含 1 2个子胞、2 0个电容和 2 0 0多条连接金丝匹配而成。在微波功率发射等领域 ,硅微波脉冲大功率晶体管具…     

超大功率L波段脉冲功率晶体管

超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...     

P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制

报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果.所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻.研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,485～606 MHz全带内输出功率达到450 W,增益大于18 dB,效...     

一种基于LDMOS器件的小型化P波段功率放大模块

设计了一种基于LDMOS器件的功率放大模块。该模块采用高增益的SiGe HBT单片、高压LDMOS单片和大功率LDMOS器件的多级级联形式,实现长脉宽(15ms)、高占空比(33%)、高增益(48dB)以及大功率(200W)的设计要求;同时,该模块采用独特的两腔体一体化结构设计,使整个模块的体积和重量缩小为相同性能水平产品的五分之一到十分之一。     

S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.     

L波段LC滤波器的设计

随着电子通讯产品使用频率不断提高，L波段LC滤波器的需求越来越多，本文以5BC1875／P—S01型LC滤波器为例介绍了L波段LC滤波器的一般设计方法，给出了从低通原型经过阻抗倒置变换、诺顿变换等一系列变换得到最终电路的详细过程，以及电路的实现方式。     

一种基于LDMOS器件的小型化P波段功率放大模块北大核心CSCD

设计了一种基于LDMOS器件的功率放大模块。该模块采用高增益的SiGe HBT单片、高压LDMOS单片和大功率LDMOS器件的多级级联形式,实现长脉宽(15ms)、高占空比(33%)、高增益(48dB)以及大功率(200W)的设计要求;同时,该模块采用独特的两腔体一体化结构设计,使整个模块的体积和重量缩小为相同性能水平产品的五分之一到十分之一。     

L 波段高功率微波对计算机的损伤效应试验研究

高功率微波能对计算机等电子信息设备产生不同程度的损伤。利用高功率微波模拟试验系统,研究了L 波段高功率微波对计算机主机和显示器的损伤效应,通过改变微波源和计算机设置,得到了损伤规律,分析了损伤机理,确定了受试样本的损伤阈值,并通过三参数威布尔函数法拓展得到了计算机类设备的损伤阈值范围。研究结果为计算机等电子信息设备对高功率微波的防护技术研究和防护标准规范制定提供了数据支撑和参考依据。     

L波段窄脉宽500W固态功放组件的设计

介绍了作者研制的应用于固态雷达发射机上的L波段500W固态功放组件的工作原理、用途及其主要技术指标。描述了功放组件的设计过程和测试结果。该功放组件在窄脉宽条件下实现了快速上升沿,性能优良,工作稳定可靠。     

一种L波段小型化高性能锁相频率源

利用锁相环技术,实现了一种小型化高性能L波段频率源方案。设计得到的频率源输出频率为1.8～2.1GHz,同时具备低功耗、低相噪、低杂散等特点,且其体积和重量分别仅为28mm×20mm×6.4mm和15g,完全满足航天导航应用的要求。     

高压LDMOS功耗的分析

利用二维半导体器件模拟软件MEDICI对LDMOS进行了模拟.采用分段模型计算了器件各部分电阻值和总电阻值,并讨论了电阻值随器件结构参数以及外加偏压变化的情况,给出了高压LDMOS主要的功耗区及其变化情况.     

L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验

Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能.以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案.采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3 GHz,Pin=40 W,TW=150 μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算.推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25 ℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106 h.     

L-Band Ferromagnetic Resonance Experiments at High Peak Power Levels

Ferromagnetic resonance absorption at high peak power levels has been observed at 1300 mc in yttrium-gadolinium garnets and in a nickel ferrite-aluminate. In agreement with theoretical predictions, the critical field characterizing the onset of nonlinear effects, in a series of yttrium-gadolinium garnet disks of a given shape, was found to be very sensitively dependent on the gadolinium content. Similarly, for samples of a given composition, the critical field strength was sensitively dependent on the shape of the sample in agreement with theoretical predictions. At moderate power levels the susceptibility varies linearly with the square of the RF magnetic field strength over an appreciable range. This result can be understood in terms of an extension of Suhl's theory. The results can be used to predict the high power performance of these materials when used in isolators.     

基于LDMOS 器件的高功率宽带小型化功率放大器

相对于双极型Si功率器件,LDMOS功率器件在增益、线性度、可靠性等方面具有明显的优势而且成本较低。理论分析表明,固态雷达发射系统应用该功率器件可以减轻发射系统的重量和减小体积,提高输出功率和功率密度。本文依据相控阵雷达实际需求,利用LDMOS功率器件设计出一款P波段1000W高功率宽带小型化功率放大器。通过设计宽带输入、输出匹配网络实现放大器宽带工作(相对工作带宽50%),通过小型化紧凑电路设计和减重设计减小功率放大器体积和减轻重量,实现功放模块体积小(55×95mm)、重量轻(120g)的设计要求,通过漏极调制电路提高功率放大器的效率。实测结果与传统Si器件功率放大器相比,该功率放大器具有高输出功率及功率密度、体积小、重量轻、工作带宽宽的特点。     

RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计

为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块,针对GSM基站频段,通过对RF LDMOS版图的优化,制备了实际的RF LDMOS芯片,使用负载牵引系统测出器件在940MHz时P3dB压缩点输出功率52.6dBm,效率72%。并使用负载牵引系统测量出的数据制作了一款工作于920~960MHz的高效率功率放大器,通过对匹配电路地优化,P1dB压缩点达到52.7dBm,P1dB压缩点效率为65%,在功率回退8dB时效率为32.8%,线性增益18dB。     

L波段高功率单刀双掷开关设计与实现

选用PIN二极管设计了一款工作在L 波段的高功率单刀双掷(SPDT)开关,能耐受100 W连续波功率信号。开关采用串并联结构,增大开关的隔离度的同时拓宽了带宽。通过厚膜工艺、丝网印刷制作微带线、微组装工艺完成各个器件焊接互联,完成开关的制作。开关采用-5 V/+30 V 的偏置电压进行控制。实测表明:该单刀双掷开关在1~2 GHz 内,插入损耗小于0. 7 dB,频带内输入驻波比和输出驻波比均小于1.4,隔离度大于25 dB,在连续波100 W 功率下,二极管最高温度为122.6 ℃,满足设计需求。     

一种L波段高效率阵列应用GaN功率放大器

设计了一种L波段高效率阵列应用GaN功率放大器,该模块包含基于谐波控制方法设计的高效率末级功率放大器和一个基于小信号S参数方法设计的高增益驱动功率放大器.高效率末级功率放大器最高效率达到82％.整个高效率功率放大器模块幅度一致性小于±0.35dB,相位一致性优于±3.6°,输出功率大于18W,效率大于52.8％.     

单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验

传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170 mA/mm、击穿电压120 V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5 GHz和10 GHz的RF LDMOS器件。在50 V工作电压、1 090 MHz频点下栅宽345 mm单芯片器件的最大输出功率362 W,功率增益15.6 dB,漏极效率38.1%。