一种PIN开关高速驱动器的设计

介绍了一种用于驱动PIN开关的高速驱动器的设计。该电路的传输延时为5 ns,工作电压范围±5~±12 V。文章详细介绍了高速驱动器加速电路和偏置电路的设计方法,分析了影响高速驱动器传输速度和工作稳定性的一些因素,提出了克服这些影响的措施。     

一种低功耗宽电源电压范围的电机驱动器北大核心

设计了一种低功耗、宽电源电压范围的电机驱动器。通过采用高效率泵电路，设计新型的电荷泵供电方式，使得电机驱动电路能够实现宽电源电压范围和低功耗。该驱动器保证功率管在低压下仍具有较低的导通电阻和较大的输出驱动电流，而在高压情况下功率管栅源不会被击穿。设计电荷泵时钟控制电路，使得驱动器具有更低的功耗。基于SMIC 180 nm BCD工艺完成设计。仿真结果表明，该电机驱动器的电机电源输入范围为0～15 V,逻辑电源范围为1.8～5.5 V,且静态功耗为284.5μA。     

大电流窄脉冲半导体激光驱动器的设计

设计了一款基于Marx Bank脉冲发生原理的纳秒脉冲激光驱动器.该驱动器电路由两级电路组成,一级为触发脉冲产生电路,一级为纳秒脉冲生成电路.通过装机、调试,测得所得驱动器的最大峰值电流为12.5 A,半高全宽为1.51 as,重复频率为100 kHz,满足了大幅度纳秒脉冲半导体激光器驱动器的设计要求.     

一种应用于高速电流型DAC的电流开关驱动器

就电流开关驱动器对高速电流型DAC动态性能的影响因素进行了分析,给出了设计应对措施,并设计了一种结构简单使用了同步锁存技术、低驱动信号摆幅技术和低信号交叉点技术的电流开关驱动器电路.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,采用Hspice仿真工具,对电流开关驱动器进行仿真分析,结果表明所设计驱动器电路功能正确.测试结果表明,应用该电流开关驱动器的一款嵌入式14位400MSPS DAC电路在输出80 MHz正弦信号时,达到76.47 dB的无杂散动态范围,所设计电流开关驱动器能保证高速电流型DAC的良好动态性能.     

一种基于升压DC-DC变换器的白光LED驱动芯片

设计了一种升压型恒流LED驱动芯片,驱动电流可由外接电阻从15～300 mA任意调整,输入电压为2.8～5.5 V,输出电压最高可达38 V.设计固定开关频率为1 MHz,应用时只需很小的外接电感即可.相对于其他驱动器电路,该驱动器增加了过压保护电路,无需外接稳压二极管,降低了应用成本.采用上华0.5μm BCD工艺完成芯片的设计,传输效率高达94％.     

双环功率控制的突发模式激光驱动器

设计了一款应用于无源光网络（PON）的突发模式激光驱动器及其双环功率控制电路。提出一种电荷补偿和动态偏置电路,减小了激光驱动器电流上升和下降时间,提高了输出电流能力;提出一种双环功率控制的反馈电路,解决了平均功率和消光比随温度变化的问题。基于0.18m RF CMOS工艺完成流片,激光驱动器芯片面积为1 600m800m。测试结果表明,激光驱动器的输出偏置电流和调制电流分别可达90 mA。激光驱动器突发响应开启时间小于2 ns,关断时间小于1 ns,发送数据速率高达2.5 Gbit/s,抖动大小为41 ps。激光驱动器输出平均光功率稳定性为0.26 dB,消光比稳定性为1 dB。该激光驱动器满足了PON系统对激光器的输出功率和稳定性要求。     

基于HV9931的LED驱动器设计

分析并设计一种采用Supertex公司生产的HV9931 LED驱动器,同时介绍了HV9931内部结构及工作原理,以单颗大功率白光LED为设计对象,详细给出该驱动器的主电路和外围电路的元器件设计和选择方案,最后给出LED工作输出波形。     

基于共模扼流圈的高速CCD驱动电路

为了降低CCD驱动电路的功耗,设计了基于共模扼流圈的CCD驱动电路。采用CCD驱动器产生低电压的驱动信号,然后利用共模扼流圈进行电压幅度的放大。由于CCD驱动器的电压幅度降低了,使得CCD驱动器的自身功耗大幅度下降。由于共模扼流圈的差模电感很小,有效地避免了和CCD的容性负载产生谐振,因此可以保证驱动信号的质量。对设计的电路进行了电路板制作和测试。实验结果表明,该电路在保证驱动信号质量的前提下,可以有效地降低驱动电路的功耗。     

一种专为IGBT和MOSFET设计的新型集成驱动器

介绍了一种专为IGBT和功率MOSFET设计的电力电子驱动器件———SCALE集成驱动器的性能特点和内部结构 ,给出了SCALE集成驱动器在中频臭氧发生器电源中的应用电路     

一种高速大电流开关驱动器的设计与实现

设计并实现了一种高速大电流的开关驱动器,可用于驱动PIN开关以及IGBT开关等.开展了系统结构、电路和版图技术研究,并采用亚微米CMOS标准工艺进行设计和制造.通过采用一种带隙基准结构提供偏置的方式使电路兼容TTL和CMOS输入,保证良好的温度特性;通过采用传输门功率驱动电路实现三态控制,解决了高速应用时电容馈通效应问题.详细设计了TTL输入转换电路、基准和偏置电路、三态输出和功率驱动等电路;基于0.6 μm CMOS工艺重点设计了高速驱动器中功率开关版图.该高速大电路开关驱动器产品的传输速度达到了25 ns,驱动电流达500 mA.     

基于DSP28335的无刷直流力矩电机驱动器的设计

本文应用DSP28335和FPGA设计了一种新型无刷直流电机驱动器,对硬件电路的进行分析和设计,同时对整个驱动器软件的控制流程进行介绍,经过实际应用,此新型的驱动器能够很好对无刷力矩电机的力矩输出和转速进行控制。     

新型的芯片间互连用CMOS/BiCMOS驱动器

从改善不同类型 IC芯片之间的电平匹配和驱动能力出发 ,设计了几例芯片间接口 (互连 )用 CMOS/Bi CMOS驱动电路 ,并提出了采用 0 .5 μm Bi CMOS工艺 ,制备所设计驱动器的技术要点和元器件参数。实验结果表明所设计驱动器既具有双极型电路快速、大电流驱动能力的特点 ,又具备 CMOS电路低压、低功耗的长处 ,因而它们特别适用于低电源电压、低功耗高速数字通信电路和信息处理系统。     

互感器传输设定脉宽的驱动电路设计分析(中)

根据文章（上）工作状态分析和IGBT栅极驱动特性的要求,文中对160个IGBT串联开关调制器的驱动电路进行了深入的论述、分析。全面系统地介绍了设定脉宽的电流互感器型驱动器的工程设计方法,给出了实用电路参数的计算公式,提出在密勒电容C_m影响下驱动器工作状态的设计原则,归纳出驱动电压U_GE前沿τ_r分段设计的2种计算方法。最后介绍了2种双极性脉冲驱动器的实用电路、RC加速网络的参数设计方法。     

基于BP3125的LED驱动器

采用BP3125芯片设计了一款照明用LED驱动器。文中介绍了该驱动器的工作原理、技术创新,分析了其恒流控制原理以及各种保护电路,通过实验验证了该驱动器的性能。     

基于MSP430F149的串口屏背光随环境光的变化控制

为了达到节能的目的,设计一个实现液晶屏的显示亮度随着环境光的改变而改变的电路,目的是通过降低背光亮度来达到减小电路功耗的目的.本设计利用MCU控制液晶显示驱动器的电路,提出一种采用串行方式来设计MCU和液晶显示驱动器之间接口的方案,通过MCU中的A/D模块采集光敏传感器输出的电信号,并根据采集信号通过串口去控制显示屏的亮度.同时考虑到实用性,还设计了按键显示电路.     

一种2.2Gbps基于0.35µm CMOS工艺新颖的LVDS驱动器设计

本文介绍了针对点对点通信的一种新颖的高速低压差分驱动器的设计。由于加入了充放电电路使得驱动器的开关噪声大大降低,进而该电路有效工作频率得到提升。同时,通过加入一个简单且有效的共模反馈电路使驱动器输出共模电压得到稳定。该驱动器采用0.35μm CMOS工艺加工,占用芯片面积15mm2。测试结果表明在1.8V电源电压下,该驱动器能有效传输2.2Gbps的数据流,总输出抖动为21.35ps, 总功耗仅为23mW。     

基于AVR高低压步进电机驱动器设计

针对传统步进电机驱动器电路结构复杂、噪声大、精度差等问题,设计了一款基于AVR的高低压步进电机驱动器。文中重点介绍了新型的高低压步进电机驱动器的电源切换原理和构成,并设计了相关电路进行验证。实验结果表明:文中所研究的步进电机驱动器具有设计简单、电机震动小、噪声低等优点,且能高效地对步进电机进行控制,满足了工业生产要求。     

一种新型移相驱动器的设计

设计了一种新型移相驱动器,它在常规移相驱动器的基础上集成了D/A转换器、积分器、比较器等多种电路.该电路具有功耗低(≤5 mA),驱动能力强(驱动电流≥±30 mA),可靠性高等优点,符合移相驱动器高精度、高集成度、小型化的发展方向.     

基于LNK306P的LED驱动器设计

本文分析并设计一种采用PI公司LinkSwitch-TN系列LNK306P的LED驱动器,同时介绍LinkSwitch-TN系列的内部结构及工作原理,给出该驱动器的主电路和外围.电路的设计方案及LED工作输出波形。     

一种带有软启动与欠压锁定电路的新型可调光LED驱动器

本文提出了一种基于电流PWM模式DC-DC转换器的全集成LED驱动器。设计了一个软启动电路,用以消除启动瞬间的浪涌电路与过冲电压。此外,为了调整LED的亮度但不产生色散,同时获得较宽的调光范围和较高的效率,设计了一个PWM调光电路。另外,设计了一个内部补偿网络,用来消除占空比大于50%时产生的次谐波振荡,以保证LED驱动器的环路稳定性。UVLO电路保证了LED驱动器在输入电压变化时的可靠性。LED驱动器采用标准的0.5 μm CMOS工艺生产。实验结果表明：LED的亮度可被一个片外的PWM信号调整,在较宽的调光范围内。在全负载变化范围内,电感电流以及输出电流在启动时都平滑上升。当输入电压低于2.18V芯片被锁定,典型的启动时间为137μs。